小型化が進むパワーデバイスに適した大電流基板!
『異型銅厚共存基板』は、同一層に300μmの厚銅箔と70μmの薄銅箔を 共存させ、途中で切り替えることができる大電流基板です。 組立工数や部品点数の削減を実現。 小型化の進むGaNやSiCに代表されるパワーデバイスにも好適です。 【特長】 ■300μmと70μmを途中で切り替え可能 ■300μmと70μmは入り組んでいてもOK ■銅インレイの組み合わせ可能 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【仕様】 ■銅箔厚:同一層に300umと70umの共存 ■層数:2~6層(※銅箔の組合せにより異なる) ■板厚:1.3~3.5mm ■その他:IVH対応可、400,500及び240um以下の銅箔厚との組合せ可 ■規格:UL取得済み ■銅インレイ:対応 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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