半導体に用いられるSiCにつけた圧痕周辺の応力分布の測定例！可視光レーザーで分析
当社では、応力分布測定＜顕微レーザーラマン分光分析＞を行っております。 残留応力は製品に変形や破壊などの様々な悪影響を及ぼします。 その測定方法はいくつかありますが、ラマン分光分析も有効な手段の一つです。 関連リンク先では、半導体に用いられるSiCにつけた圧痕周辺の応力分布の 測定例を、グラフや写真とともにご紹介しております。 【特長】 ■分析装置：RAMAN ■分析方法：可視光レーザー ■分析対象：ラマン活性物質（半導体、カーボン、高分子材等） ■面分解能：約1μm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
大同分析リサーチは、あらゆる材料分野で蓄積してきた信頼性の高い分析・解析技術と、広範囲な業界のお客様からいただいた課題をもとに、先進シンクタンクの構築を進めてまいりました。お客様の種々な課題に対し、最少費用と最短納期で問題解決を図ります。今後も最新鋭の設備と高度なマンパワーを駆使してお客様の研究開発を支援し、未来を豊かに彩る製品づくりのお手伝いをさせていただきたいと考えています。
