対応可能膜種はDLC、アモルファスSiC等！基板加熱機構付き（最高設定温度：500℃）
当社で取り扱う『立体物対応実験用プラズマCVD装置』をご紹介いたします。 立体物に成膜可能で、対応可能膜種はDLC、アモルファスSiC等。 PC操作（シーケンサー制御）で、全自動、データロギングが可能です。 当社では実験装置から生産装置まで、お客様のご要望、ご予算に合わせて 装置を設計、製造いたします。ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■立体物に成膜可能な実験用プラズマCVD装置 ■対応可能膜種：DLC、アモルファスSiC等 ■基板加熱機構付き（最高設定温度：500℃） ■PC操作（シーケンサー制御）で、全自動、データロギング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【仕様（抜粋）】 ■チャンバー材質：ステンレス製 ■到達真空度：1Pa以下 ■真空ポンプ：ロータリーポンプ＋メカニカルブースターポンプ ■排気圧力コントロール：手動（オプションで自動可） ■成膜対象物：最大Φ100mm×500mm ■高周波出力：最大1kW ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
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企業情報
当社では、CVD、スパッタ、蒸着などの成膜装置から大気圧プラズマ、 加熱/乾燥炉など真空/大気圧問わず実験装置から生産装置まで、お客様の 要望に合わせて装置を設計、製造致します。 また、CVD法の一種であるプラズマCVD法によりDLC膜を生成します。 a-SiCやSiOxといったSi系膜の作成も可能です。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。
