多結晶でも単結晶と同レベルの特性を示し、フレキシブル基板上に製膜可能
Co2MnGaやCo2MnAlに代表されるCo基ホイスラー合金は、大きな異常ネルンスト効果や異常ホール効果を示すため、高感度センサや高効率熱電変換素子の候補材料として注目を集めている。上記の優れた特性を発現させるためには、単結晶成長させたバルク材料、または単結晶基板上に成長させた単結晶薄膜が必要と考えられ、そのような試料が作製されている。しかしながら、実際のデバイスへの応用を視野に入れると、単結晶基板を用いない多結晶膜において単結晶の材料と同等の特性を示すことが不可欠と考えられていた。 本発明では、単結晶薄膜と同レベルの異常ホール角(θAH~7.5 %)および以上ネルンスト係数(SANE~5 μV/K)を示しながらも、単結晶基板に限らない「多結晶ホイスラー合金薄膜」を提供する。多結晶層を絶縁性のAlN層で挟みこむことで、結晶配向の制御や結晶性の向上を促進することができる。
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