深堀エッチング技術で高アスペクトトレンチパターンウェハを実現
当社は先端の半導体技術によるテストウエハで、お客様の技術・製品開発を強力に支援しております。 （ベアSiウエハ/ 膜付ウエハ/パターンウエハ) トレンチパターンパターンウェハ『PT063』は、ボッシュプロセスによる深堀エッチング技術により高アスペクト構造を実現しております。 当社の標準レイアウトで、マスク寸法0.2µm~10µmのトレンチパターンを配置しており、最大アスペクト比は40~65程度となります。 開発効率化を求める皆様のニーズに答える製品としておすすめいたします。是非ご活用ください。 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
・ウェハサイズ：200mm ・ショット数：89 ・マスク寸法：0.2µm~10µm ・最大アスペクト比：40~65程度 （※埋め戻し対応による高アスペクト化も承ります。） ・ウェハ1枚から、チップでのご購入も可能です。 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
※数量によって納期が変動しますので、お気軽にお問い合わせください。
用途／実績例
成膜カバレッジ評価
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企業情報
当社は20年以上にわたり、先端の半導体技術を駆使したテストウエハで、お客様の技術・製品開発を継続的に支援しております。 私たちのノウハウと経験は、半導体製造の枠を超え、ガスの瞬間加熱部品『ヒートビームシリンダー』の開発へと結実しました。この技術は、半導体領域だけでなく、多岐にわたる産業分野での活用が拡大しており、その実績と効果を証明しています。 技術的なご相談や製品のご要望がございましたら、いつでもお気軽にご連絡ください。