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【分析事例】デバイスの金属膜中および界面における金属不純物の評価

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最終更新日:2026年04月02日

一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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めっきなどの膜中・界面の不純物をTOF-SIMSで評価できます。

成膜装置部品、ターゲット材、めっき液などからデバイス中に不純物が混入し、悪影響を与えるため、表面、膜中や界面の不純物の定性評価が重要です。TOF-SIMSでは下記3つの特徴から一度の測定で表面、膜中や界面に存在する未知の元素を高感度に評価することが可能です。 1. 金属元素の場合、一度の測定でm/z 1から800のイオンを同時に検出できること 2. 数ppmの検出感度が得られること(材料・各イオンにより変動) 3. スパッタガンを用いることで深さ方向の分布を評価できること

    ウエハーその他半導体受託測定
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【分析事例】デバイスの金属膜中および界面における金属不純物の評価

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測定法:[TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法 製品分野:LSI・メモリ、パワーデバイス、光デバイス、電子部品、製造装置・部品、酸化物半導体 分析目的:故障解析・不良解析、製品調査

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LSI・メモリ、パワーデバイス、光デバイス、電子部品、製造装置・部品、酸化物半導体の分析です。

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MSTは受託分析サービスをご提供する財団法人です。 TEM・SIMS・XRDなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。 知識豊富な営業担当が、適切な分析プランをご提案。貴社に伺ってのご相談も、もちろん可能です。 ISO9001・ISO27001取得。 製品開発・不良原因の解明・特許調査はぜひご相談ください! MSTは、あなたの「困った!」を解決へと導きます。

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