低温、高い成長速度で高品質なAlNバルクを生成
深紫外発光素子(DUV-LED)はAlGaN系窒化物半導体から作製される。そのAlGaN系DUV-LEDの基板材料には、AlGaNとの高い格子整合性、AlGaNよりも広いバンドギャップ、および高い熱伝導率が求められ、それらの条件を満たす窒化アルミニウム（AlN）が注目されている。 AlNは高温で高解離圧を示すため、CZ法のような融液からの結晶成長技術ではAlN結晶を成長させることが困難である。そのため、主に昇華法を用いた単結晶成長が行われているが、昇華法では、AlNを昇華させるために極めて高温が必要となり、このため、結晶の大型化、炭素などの不純物の低減、コストの低減が困難であるという課題があった。 本発明は、Fe系フラックスを用いた液相成長法によって、従来の液相成長技術より高い成長速度で、高品質なAlN単結晶を成長させることが可能となった。
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