SiCウェハーを1枚から低コストで提供！納期は最短2週間から。パワー半導体の開発や試作時に低価格・小ロットで提供できます。
『SiCウェハー・SiCウエハー』とは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種です。 弊社ではSiCウェハーを1枚から低コストで提供が可能。パワー半導体の開発や試作時に低価格・小ロットで利用できます。 また、納期も最短2週間から対応できますので、ぜひ、ご用命ください。 【特長】 ■高い電界をかけても壊れにくい ■熱に強い機器の製造に役立つ ■機器の動作上限温度を向上させる ■熱伝導率が高いため放熱性に優れている 【提供ウェハ】 ８インチ N型 Production ４H-SiC ８インチ N型 Dummy ４H-SiC ６インチ N型 Production ４H-SiC ６インチ N型 Dummy ４H-SiC ６インチ高純度半絶縁性ウエハー ４H-SiC ６インチ N型 P-MOS ４H-SiC ６インチ N型 P-SBD ４H-SiC ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
SiCウェハーとは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種で、SiCとは珪素と炭素の化合物である「炭化珪素」のことです。 より高度な半導体デバイスを製造するために生み出されたSiCウェハーは、従来のシリコンウェハーよりもはるかに優秀な特性を持っています。 例えば、絶縁破壊電界強度はシリコンウェハーに対して約10倍の能力があり、それだけ高い電界をかけても壊れにくいのです。 また、電子が存在することのできない「バンドギャップ」がシリコンウェハーの約3倍あるため、熱に強い機器の製造に役立っています。 回路が高温になると、電子は熱エネルギーによってバンドギャップを越えることができますが、広いバンドギャップを越えるためには多くの熱エネルギーが必要になるため、機器の動作上限温度を向上させるメリットがあるのです。 【特長】 ■シリコンに比べてバンドキャップ幅が約3倍広い ■様々なパワー半導体の他、RFアンプや発光ダイオード(LED)の基板としても使用 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■パワー半導体や、高輝度のLED ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
エムシーオー株式会社は、1994年の創業以来シリコンウェハーの製造・ 販売及び各種シリコンや金属水晶などの薄膜成膜加工、石英加工、 ICファンダリの販売を行っております。 豊富なラインアップでお客様のご要望にお応えします。
