Premtek RTP-1200A(SEC)(SEF)
4~8インチに対応した、シングルチャンバ全自動RTP装置です。搬送方式はオープンカセット・SMIFどちらかの選択で、カセットステーションは2台になります。 ウェハをサセプタに格納してプロセス処理をするため、反り、厚さ、透過率等のウェハの特性に関わらず、抜群のRc・温度均一性を実現します。 熱源はハロゲンランプで、上下両面配列です。 温度測定範囲は20℃~1250℃となります。熱電対とパイロメータがリアルタイムの温度測定をし、その結果をスマートPIDおよびマルチゾーンSCRが制御することで、優れた温度コントロールを可能にします。 真空チャンバ内には酸素濃度モニターを搭載し、酸素フリーな環境維持をサポートします。 Windowsベースのソフトウェアはマルチリンガル対応。グラフィカルなユーザーインターフェースで直観的な操作を可能としています。 累積出荷台数500台以上の実績で得られたプロセスプロファイリングのノウハウと、常時5台用意されたデモ環境で、貴社のプロセス開発における課題解決のお手伝いを致します。
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基本情報
【仕様】 ■ 温度制御範囲:200~1250℃ ■ 温度制御方式:マルチPIDコントロール ■ 面内温度均一性:≦±3%(600℃以下)、≦±1.5%(600℃以上) ■ 面内抵抗値均一性:面内抵抗値均一性 ■ 真空:〇 ■ ウエハ寸法:6~8 ■ 加熱ランプ:タングステン・ハロゲンランプ ■ ウエハ搬送:フルオート(5軸ロボット) ■ プロセスガス系統数:4 ■ ウエハ位置合わせ:センタリング、OCR、アライナー(Op) ■ 昇温レート:25℃/秒(サセプタ使用時) ■ サセプタ:SiCコーティングカーボン ■ 装置外形寸法:D:1580 W:1500 H:1800mm
価格帯
納期
用途/実績例
■ アプリケーション ・インプラ後のアニーリング ・ドーパント活性化 ・金属膜コンタクトアニーリング ・シリサイド形成(チタン、コバルト、ニッケル、白金など) ・ソース/ドレインアニーリング
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