精密な組成制御が生みだす次世代半導体素材を提供する
次世代の半導体材料に関する研究・開発が進められている。従来は、シリコンをベースとした材料がトランジスタなどに利用されてきたが、高性能化を求める産業上のニーズに応えるため、高集積化を進めた結果、ナノメートルオーダーの構造を要求されるに至っている。さらに最近では、二次元層状半導体の活用など、新素材の開発が活発化している。現状のデバイス特性向上をもたらす半導体特性が期待され、層状カルコゲナイドの活用に注目が集まっているが、デバイスプロセス上の課題やキャリア移動度の上限性能について十分でないため、既存プロセスに適合しやすい層状物質半導体による解決が求められていた。 発明者らは、グラフェンに類似する層状半導体GeH等の作製プロセスにおいてGe基板上の汎用プロセスを適用しつつ、簡便な新手法により水素置換の制御と電気伝導特性が向上されうることを見出した。新手法により生みだされる二次元層状物質は次世代の半導体材料の候補物質として有効な特性を示すことが実証されている。
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技術移転による収益は、新たな研究資金として大学や研究者へ還元され、更なる研究成果を創出するために利用されます。この一連の循環“知的創造サイクル”を円滑に回すため、我々は技術移転を全力で進めて参ります。取り扱っているシーズは、東北大学、弘前大学、岩手大学、秋田大学、福島大学、山形大学、東北学院大学、お茶の水女子大学等から創出される特許、ノウハウ、データベース、プログラム等です。