製品の小型化に必要なLeadless Package TOLLが登場
20A,600V,170mΩのリードレスパッケージの製品です。
アイスモス mSJMOS
20A,600V,170mΩのリードレスパッケージの製品です。
GEN1 BVDSS=600V, Max ID=20A, Rdson Typ=170mohm, Qg=59nC
産業用スイッチング電源
当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術プロセス、高度な技術基盤ウエハーやSOI(シリコンオンインシュレーター)、貼り付けシリコン基板を、高い費用対効果で提供するベストインクラスのサプライヤーとして2004年に設立いたしました。(米国本社、英国製造拠点、東京R&D拠点) 革新的な深いトレンチエッチを持つMEMS構造の高耐圧スーパージャンクションMOSFETを、シンプル且つ低コストプロセスで開発、実現しました。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。