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結晶欠陥測定装置 (光散乱断層撮影式)

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LST

最終更新日:2020年07月17日

日本セミラボ株式会社 新横浜本社
日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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結晶欠陥測定装置 (光散乱断層撮影式)

シリコンウェハーの結晶欠陥が高速測定可能。

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結晶欠陥測定装置 (光散乱断層撮影式)

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LSTは、CCDカメラを使用し、切断されたウェハーサンプル断面の結晶欠陥を測定します。

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用途/実績例

- ひとつのイメージからのDZ鑑定 - 高速なウェハー断面に沿った濃度分布測定 - 深さ方向分解能: 0.5μm - 表面から深さ0.5μm以内のパーティクル検知が可能 - 全自動操作(ウェハー搬送含む) - 測定可能最大ウェハーサイズ: 12インチ - 全ウェハー断面直径スキャン - イメージサイズ: 400μm x 2mm (測定時間: 40秒) - 測定面(断面)オートフォーカス

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日本セミラボ株式会社

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