水銀プローバ CV/IV測定システム
アメリカFour Dimensions社の再現性、安全性に非常に優れた水銀プローブ方式を用いたCV/IV測定システムです。Si、化合物、SOI、バルクといった様々なウェハの特性を測定できます。 【特長】 ◆電極作製が不要。水銀自体が電極となるため、コスト／時間の掛かる パターン形成工程が不要。バルク、又は絶縁膜を形成した状態で測定 可能 ◆オートマチックシステム。最大49箇所の測定サイトを指定しC-V、I-V 特性、TDDB、Vdb、Qbdの酸化膜破壊評価、Dit、ドーピング濃度、酸化 膜厚、Low-k、High-k等の自動マッピング測定が可能 ◆高い測定再現性。正確に設計された水源プローブ面積と、測定毎に新鮮 な水銀を使用する独自のメカニズムにより優れた測定再現性を実現 ◆コンパクト構造。CV、IVメータ、搬送台、プローブ部を一体化 ◆様々なウェハやチップに対応。1〜12インチウェハ、チップサイズサンプル の測定が可能
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基本情報
アメリカFour Dimensions社の再現性、安全性に非常に優れた水銀プローブ方式を用いたCV/IV測定システムです。Si、化合物、SOI、バルクといった様々なウェハの特性を測定できます。 【特長】 ◆電極作製が不要。水銀自体が電極となるため、コスト／時間の掛かる パターン形成工程が不要。バルク、又は絶縁膜を形成した状態で測定 可能 ◆オートマチックシステム。最大49箇所の測定サイトを指定しC-V、I-V 特性、TDDB、Vdb、Qbdの酸化膜破壊評価、Dit、ドーピング濃度、酸化 膜厚、Low-k、High-k等の自動マッピング測定が可能 ◆高い測定再現性。正確に設計された水源プローブ面積と、測定毎に新鮮 な水銀を使用する独自のメカニズムにより優れた測定再現性を実現 ◆コンパクト構造。CV、IVメータ、搬送台、プローブ部を一体化 ◆様々なウェハやチップに対応。1〜12インチウェハ、チップサイズサンプル の測定が可能
価格情報
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納期
用途／実績例
◆エピタキシャル／イオン注入層の評価。シリコンウェハ又は化合物ウェハ のイオン注入ドーズ量、キャリア濃度、Vfb など ◆絶縁膜の評価。ゲ−ト、又はフィールド絶縁膜の比誘電率(Low-K, High-K)、Dit、Vbd、Qbd、TDDB、酸化膜容量/膜厚、キャリア生成ライフ タイム、I−V測定、ピンホール密度、抵抗率 など ◆強誘電体膜の評価。ヒステリシス、レスポンス時間、K-E、P-E、K-f など ※詳細は『資料請求』まで
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企業情報
雄山株式会社計測機器部は、半導体、有機ＥＬ、液晶、太陽電池、燃料電池の研究開発や生産に必要な検査・解析・評価用装置の製造販売及び輸入販売を行っています。特に、特殊環境下での測定が必要な研究開発部門にて使用される装置開発を得意として最先端分野への納入実績も数多く有しています。又、現在は、従来のプロービング技術を基軸にそれがインテグレートされた応用技術分野への挑戦も行っており、将来は半導体を核とした応用技術も含め全ての分野での検査・解析・評価のサポートが出来る体制作りを目指しています。 【本社・支店所在地】 ◆神戸本社 〒650-0047 神戸市中央区港島南町１丁目４番地６ TEL（078）304-5178（DI） FAX（078）304-6087 ◆東京支店 〒107-0062 東京都港区南青山1-15-9 第45興和ビル TEL（03）3403−0771 FAX（03）3403-0813 ◆名古屋支店 〒460-0002 名古屋市中区丸の内2-19-25 ｙｈ丸の内ビル TEL（052）212-4932 FAX（052）212-4935
