3次元のウェーハレベルパッケージ（WLP）により、半導体の小型化に好適。貫通配線により高周波特性の改善が可能
本製品はパイレックス／テンパックスなどのホウ珪酸系ガラス基板中に電気伝導性を有する金属貫通配線（Via-hole）を多数形成したものです。 最大φ8インチ基板までの対応が可能です。 平面度及び気密性が良好で、Ｓｉ系デバイス封止用としての陽極接合（アノーデックボンディング）が可能です。 【特長】 ○シリコンウェーハと陽極接合が可能 接着剤を使用しない陽極接合が出来るためアウトガス問題を解決 ○優れた高周波特性 ・Viaの浮遊インダクタンスや低い電気抵抗を確保 ・ガラスを母材とすることでシリコンと比較して高い絶縁性を確保 ○ヒートシンクとしての設計が可能 Viaにシリコンを使用することでサーマルViaとしての機能を持たせることが可能 ○可視光を透過 接合箇所の確認や光信号の透過が可能 ○Φ200mmウエーハまで対応可 ※詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
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【AV/モバイル】 ・携帯機器(スマートフォン、携帯ゲーム機、デジカメ、カーナビ)用RFスイッチ・リレー、圧力センサ、ジャイロセンサ、加速度センサ、イメージセンサなど 【半導体】 ・RF-MEMSスイッチなど ・イメージセンサなど 【車載】 ・各種圧力センサ、各種加速度センサなど ・ジャイロセンサなど 【バイオ・メディカル】 ・メディカル用圧力センサなど 【その他】 ○高周波用スイッチ(リレー） ○各種センサ(圧力､加速度､ジャイロ） ○バイオチップ(電気泳動用） ○マイクロリアクタ(バイオ用センサ） ○光デバイスパッケージ他 ●詳細は、お問い合わせ下さい。
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切る、削る、磨く、メタライズ、接合の5つの最先端技術をクロスさせた 複合加工技術（クロスエッジ 微細加工）により、品質／コスト／量産性を考え、 お客様のご要求に最もマッチしたものを提案して参ります。