試料内部の電界構造（半導体の接合構造）に関する情報を得ることができる手法
SEM装置内で電子線を照射することで、試料内で正孔電子対が発生します。 通常は再結合して消滅しますが、空乏層など内部電界を有する領域で正孔電子対が生じた場合はキャリアが内部電界でドリフトされることで起電流として外部に取り出すことができます。 この起電流をEBIC（Electron Beam Induced Current）と呼び、SEM像と併せて取得することでpn接合の位置や空乏層の広がりを可視化することが可能です。 ・ｐｎ接合部や結晶欠陥(転位、積層欠陥など)の評価が可能。 ・SEM像と重ねることで、接合や結晶欠陥の位置を特定可能。
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基本情報
■概要 EBIC信号を測定することにより試料内部の電界構造（半導体の接合構造）に関する情報を得ることができます。結晶中に少数キャリアのライフタイムが短くなるような箇所に敏感で、転位や積層欠陥の位置も特定できます。 ■測定原理 試料に電子線を照射すると価電子帯の電子が励起され、電子・正孔対が生成します。通常、電子・正孔対は再結合して消滅しますが、試料の内部に 電界がある場合には電界で加速されてドリフト電流を生じます。
価格情報
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納期
用途／実績例
・パワー半導体のpn接合位置評価 ・太陽電池のpn接合位置評価
詳細情報
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