試料内部の電界構造（半導体の接合構造）に関する情報を得ることができる手法
SEM装置内で電子線を照射することで、試料内で正孔電子対が発生します。 通常は再結合して消滅しますが、空乏層など内部電界を有する領域で正孔電子対が生じた場合はキャリアが内部電界でドリフトされることで起電流として外部に取り出すことができます。 この起電流をEBIC（Electron Beam Induced Current）と呼び、SEM像と併せて取得することでpn接合の位置や空乏層の広がりを可視化することが可能です。 ・ｐｎ接合部や結晶欠陥(転位、積層欠陥など)の評価が可能。 ・SEM像と重ねることで、接合や結晶欠陥の位置を特定可能。
この製品へのお問い合わせ
基本情報
■概要 EBIC信号を測定することにより試料内部の電界構造（半導体の接合構造）に関する情報を得ることができます。結晶中に少数キャリアのライフタイムが短くなるような箇所に敏感で、転位や積層欠陥の位置も特定できます。 ■測定原理 試料に電子線を照射すると価電子帯の電子が励起され、電子・正孔対が生成します。通常、電子・正孔対は再結合して消滅しますが、試料の内部に 電界がある場合には電界で加速されてドリフト電流を生じます。
価格情報
-
納期
用途／実績例
・パワー半導体のpn接合位置評価 ・太陽電池のpn接合位置評価
詳細情報
-
まずはご相談ください ★分析プランのご提案から行います★ 御社へ伺ってのお打ち合わせも、もちろん可能。 分析結果のご説明も丁寧に行い、疑問を残しません。 まずは03-3749-2525またはinfo@mst.or.jpまでご連絡ください！
-
訪問セミナー実施します ★お客様のニーズに合わせた技術者訪問のセミナーを無料で承っております★ お客様のご要望に応じて、分析技術のご紹介や分析データのご説明をいたします。 ◆セミナー内容例 ・MSTの分析手法を広く解説 ・特定の分析手法を原理からじっくり、詳しく解説 ・お客様がご依頼の分析データを解説 03-3749-2525またはinfo@mst.or.jpまでご連絡ください！
企業情報
MSTは受託分析サービスをご提供する財団法人です。 TEM・SIMS・XRDなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。 知識豊富な営業担当が、適切な分析プランをご提案。貴社に伺ってのご相談も、もちろん可能です。 ISO9001・ISO27001取得。 製品開発・不良原因の解明・特許調査はぜひご相談ください！ MSTは、あなたの「困った！」を解決へと導きます。
