半導体カーブトレーサは、最大ピーク3000V/最大ピーク電流1000Aまで対応可能な最新鋭の装置です。
最新のIGBTや、パワーMOSFETなど高電圧、大電流のパワーデバイス特性測定だけでなく、トランジスタやダイオード、LEDなど各種半導体の特性測定にお役立ていただけます。
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基本情報
測定結果は、標準装備のUSB ポート・LANインタフェースを介して、外部ストレージにデータを保存したり、PCにデータを送り、レポート作成する事もできます。
価格情報
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納期
用途/実績例
IGBT、MOSFET、トランジスタ、ダイオードなどの 各種半導体の静特性の測定に適しています。
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企業情報
「パワーエレクトロニクス一気通貫。デバイス評価から装置検証まで」をテーマに、パワーエレクトロニクス計測に全力を注いでいます。 世界を駆け巡るセールエンジニアがお客様の問題解決に役立ちます。 ご相談を心からお待ち申し上げています。