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更新日:2025年07月10日 集計期間:2025年07月02日〜2025年07月08日 ※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
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フッ素樹脂チューブライニングとは、金属パイプ内面にフッ素樹脂チューブ(内径3mm~)を焼付して接着させるライニング技術です。
金属ベローズは各種の真空装置や半導体製造装置に応用された部材です。
Oリングの桜シールは、AS568規格(航空宇宙規格)ほか様々なサイズのOリングを、多種多様な材質によって成形いたします。
【ホットウオール式熱CVD装置】基礎研究に最適なコンパクトサイズ高性能CVD装置
高温アンモニアに耐性があり、容易に高温が得られる機能部品、高温用ヒータ、構造材。窒化物の単結晶成長からウェハプロセスまで対応。
CVD, PVD(蒸着, スパッタ等)均熱性・再現性に優れた高真空 超高温 ウエハー・小片チップ加熱用 プレートヒーター
商業的使用に好適!非常に安定性があり、予測可能な特性と挙動を持っています
ポリパラキシレン(パリレン)とALD(原子層堆積法)による無機酸化物層を交互に積層します。
高機能メタルシール!!各種真空機器、半導体製造装置などに最適!
パイプが細い分、短時間で接着剤が詰まったり、短時間で腐食したりするのは解決できます!
高温のサセプターからウエハを非接触にて取り出す耐熱仕様のピンセット
なぜ断熱材『シルサーム』を導入するのか?そのメリットを解説します。
高精度・信頼性のメタルシールモデル
コスト削減に寄与する汎用性に優れたMFC
Oリングの桜シールによる標準タイプのバイトンETP (FFKM-E)材質
Oリングの桜シールによる白色タイプのバイトンETP (FFKM-E)材質
Oリングの桜シールによる低固着性+低アウトガス性のフッ素ゴム(FKM)材質
Oリングの桜シールは、JIS規格サイズは勿論のこと、中間・延長・派生サイズなども規格に組み込んで、多様な材質にて成形いたします。
半導体・医療機器分野に求められる高清浄度に対応。精密洗浄から包装・組立までを一貫してクリーン環境で行います。
豊富なプロセスレシピを持ちながらも非常に小型な原子層堆積装置
液漏れを早期に発見し事故を最小限に防止!油、有機溶剤検知器にRoHSおよびCE対応のOD-7が加わりました。
コンパクトで省電力!デバイス作成向け単結晶高純度ダイヤモンド合成実験用プラズマCVD装置
配管形状を選ばず、粉体の析出を抑制し配管内の閉塞を局所集中により防止してポンプ性能を延命させます。
最新の制御機能とデータロギング機能を有する、WindowsベースのSCADAパッケージMOCVD装置制御ソフトウエアです。
パッシベーション用MBE装置は、レーザーファセットパッシベーション等のために特別設計された各種チャンバーで構成されております。
クリーンルーム対応の精密機器据付から保守まで、半導体製造装置の導入をトータルサポート! 補足情報
特殊ガス用途に開発された静電容量方式の圧力センサ
コンパクトな構造・高精度にして低価格
200℃の高温でガスフィルターをベーキングする画期的なベーキングヒーターです。
最大1,000lpmまでの流量を確保
安定したパルス放電を実現
ガスボックス
高電圧パルス放電用セラミックコンデンサ
「金属容器用プラズマCVD装置」「ICP型MOCVD装置」などの実績を保有しています!
広範な膜特性の制御可能!大幅なパーティクル低減および生産性を向上します
高効率高周波電源【ローコスト・省電力・コンパクト設計】600W以上の耐反射能力を持ち、短絡・開放の急激な負荷変動に耐えます
大東化成では、フッ素樹脂コーティング、フッ素樹脂ライニングを主軸に、さまざまな表面処理加工を専門に行っております。
フッ素樹脂ライニングとは・・・・厚い膜。塗膜を重ねるなど。弊社では、400μ以上を、フッ素樹脂ライニングとしております。
プラズマCVD装置
量産向け NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用 高生産性 連続式常圧CVD(APCVD)装置(12インチウェハ対応)
FPDなどリジット/フレキシブルデバイスに対応した4.5世代のガラス基板成膜装置
ウエハチップ・高温ウエハ・レンズ・微小物を非接触にて搬送するベルヌーイチャック。
機能性アルミフレームと豊富なアクセサリーのコストダウン【単品はもちろん、面組・立体の「組立品」としても承ります!】
高温領域で使用できるエアロジェル製品のメリットを解説!
真空装置周辺機器,バルブの修理なら お任せ下さい! メーカーメンテナンスの『高価格・長納期』の悩みを解消します。
3種類の堆積装置をラインアップ!用途に合わせてお選びください
配管部品は各種の真空装置や半導体製造装置に応用された部材です。
高・強誘電材料、電極材料、配線材料等で多くのオリジナル製品を開発
MOCVD、フィルター、AIXTRON、LED、中国産、高温真空粉塵濾過、
MOCVD装置 VEECO K465i G2
真空蒸着装置とこれらに関連する機器メンテナンスサービスを行っております。
Oリングの桜シールは、過酷な温度条件や強力な薬品にも耐えることが出来る特別な材質を取り揃え、様々なサイズに成形いたします。
Oリングの桜シールによる標準タイプのパーフロロエラストマー材質
Oリングの桜シールによる白色タイプのパーフロロエラストマー材質
Oリングの桜シールによる標準タイプの3元系フッ素ゴム材質
Oリングの桜シールによる白色タイプの3元系フッ素ゴム材質
Oリングの桜シールによる耐熱性3元系フッ素ゴム(耐高温: 250℃)材質
Oリングの桜シールによる耐熱性パーフロロエラストマー(耐高温-300℃)材質の旧グレード
Oリングの桜シールによる白色タイプの耐熱性パーフロロエラストマー(耐高温: 280℃)材質
Oリングの桜シールでは、幅広いサイズと多様な材質をラインナップし、常備20000種類以上の在庫による即納販売を行っております。
Oリングの桜シールは、耐熱性や耐圧性、耐薬品性といった様々な性能を持つ多種多様な材質を取り揃え、様々なサイズで成形いたします。
Oリングの桜シールは、PTFE(テフロン/4フッ化エチレン樹脂)ほか多様な材質で、幅広いサイズのOリングを制作いたします。
Oリングの桜シールによる充填剤無使用の耐熱パーフロ(耐高温: 300℃)材質
耐熱性があり、かつ耐熱衝撃性にも優れている『窒化珪素』は、機械的強度も強くバランスの良い素材です。
砂型鋳造、金型鋳造、金型鋳造、ダイカスト鋳造、石膏鋳造など、あらゆる鋳物品加工を対応いたします。最大900×900×1000mm
◉ 短時間 1バッチわずか30分で容易にグラフェン合成実験が可能 ◉ 高精度温度・圧力制御 ◉ 洗練されたソフトウエア
コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
Φ3inch、Φ4inch ウエハーサイズ対応プラズマCVD 装置。不純物を抑制し清浄・高品質なグラフェンを高速合成。
半導体製造装置の技術サービスはお任せ下さい。
中古装置活用で大幅なコストダウンができるだけでなく、導入後のアフターサービス、メンテナンス、仕様変更にも格安で対応致します。
ガスを化学反応させることで緻密な薄膜を形成!低温加工も可能です。
独自の冷却技術を用いた 多段ルーツ式真空ポンプ
対応可能膜種はDLC、アモルファスSiC等!基板加熱機構付き(最高設定温度:500℃)
3.0x3.0mmから10.0x10.0mmまでのサイズをラインアップしています!
側面粗さRaは、研磨済み、Ra<5nm!光学グレード単結晶をご紹介します
横の許容範囲は+0.1/0-0mm!単結晶メカニカルをご紹介します
完全に再生(リファブ)され、アップグレードされたレガシーMOCVD装置を最良のサービス、サポートと共に提供します。
Agnitron社にて独自開発された、高性能、高スループット先端化合物半導体向けMOCVD装置を提供します。
Agnitron社で開発されたAgniTemp-MOCVD In-situ温度モニターは高精度、高安定である温度モニターです。
各種真空装置内でのウエハ応力、反り、曲率、異方性等をリアルタイム、高精度に測定するIn-situモニター。
毒性ガス漏洩の緊急時に無害化します。(高圧ガス保安法一般則第55条第1項 対応可)
『流路まるごと事例集』半導体ガス供給装置輸送時のリスクに先手を打つ。安全対策の事例を進呈中
『流路まるごと事例集』錠やタグ付きワイヤーでバルブをロック!バルブ誤操作対策の事例を進呈中
デバイスメーカーの求める装置の価値基準とは? KITZSCTは排気系ラインの省スペース化設計/施工性向上をお助けします。
半導体材料メーカー様 必見!固体材料供給における高温化の課題への提案の事例を進呈中
真空配管設備の不安を解消!プラズマや熱によるセンターリングの劣化対策の事例を進呈中
半導体、液晶製造装置用部材、耐熱、耐食部材、セッター、放熱板に!
粒子専用のALD(原子層堆積 Atomic Layer Deposition)装置 ナノスケールの粒子を成膜できます。
従来の陽極酸化装置をさらに応用したポーラスシリコン形成装置。使用薬液・電流密度により多孔質シリコンウエハーが形成されます。
特殊ガスのモニターと制御用に開発されたウルトラクリーンセンサ
小型なボディで装置組込みの省スペース化!
センサー・回路部・ディスプレイが一体型のコンパクトな熱陰極電離真空計です。16種類のガスに対応し、金属製センサーも使用!
省スペース設計で、バキュームポンプ・モジュールはプロセス・モジュールから最大18m離して設置することができます。
炉のスライド移動による急冷機構を搭載
中古半導体製造装置
ICPパワーによるイオン密度の制御!低温成膜、低ダメージ、高コンフォマリティーを実現