メモリの製品一覧
- 分類：メモリ
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電池の基本概念から、利用目的・実現方法による分類までを体系化。複雑な電池選定の第一歩を、初心者目線で分かりやすくまとめました
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【継続供給】Intelligent Memory製品
ロチェスターエレクトロニクスは、Intelligent Memoryとパートナーシップを締結し、 産業用および組込みアプリケーション向けにカスタマイズされた、成熟したレガシー・DRAMおよびNANDストレージソリューションの継続的供給をサポートします。 ロチェスターエレクトロニクスは、半導体製品を継続供給する業界最大手の正規販売代理店および製造メーカーであり、 オリジナル半導体メーカーに認定された製品、製品履歴が追跡可能な、そして製品保証されたソリューションを提供しております。ロチェスターは現行品の供給と共に、 製造中止品のライフサイクルを延長するサポートにも注力しております。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※詳細はぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。
グローバルな顧客ニーズに応える4GBから8GBのメモリ・ソリューション/製造中止品(EOL品)の継続供給サポート
- メモリ
製造中止品および現行品のライフサイクル管理ソリューションを提供/製造中止品(EOL品)の再生産
- メモリ
高度な通信および産業用製品へのソリューションの提供/製造中止品(EOL品)の再生産
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ロチェスターの継続的なレガシーサポート/製造中止品(EOL品)の再生産
- メモリ
ライフサイクルの長いアプリケーションの課題への対応/製造中止品(EOL品)の再生産
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パラレルNORフラッシュメモリの供給を拡大/製造中止品(EOL品)の再生産
- メモリ
着目の成膜パラメータ（温度、圧力）にて多分子競合吸着性の評価が可能です
- 受託解析
- その他電子部品
- メモリ
実装の信頼性と拡張性を提供するセキュアフラッシュメモリをご紹介！
- メモリ
ウィンボンド、セキュアフラッシュファミリを拡張
台湾, 台中市 - 2024-03-27 - 半導体メモリソリューションのリーディングサプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクス株式会社は本日、TrustME(R)セキュアフラッシュW77Qファミリの最新製品である256Mビット、512Mビット、1Gビット品を発表しました。これらは、商用、産業、およびサーバー分野で使用されるIoT エッジ デバイスを保護するための最新機能である、PQC（Post Quantum Cryptography：ポスト量子暗号）を実現できるLMS（Leighton-Micali Signature）アルゴリズムを実装したメモリ製品です。 ・・・続きは「関連資料」をご覧ください。
高耐久性で高速読み出し！コードストレージ用途向け大容量フラッシュメモリ
- メモリ
ウィンボンド、フラッシュメモリ製品に低温はんだ付け（LTS）を採用で 地球温暖化抑制に貢献
台湾台中市発 - 2022年11月16日 - 半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーである、ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社は本日、同社のフラッシュメモリ製品において、表面実装(SMT/ Surface Mount Technology)の温度を鉛フリープロセスの220～260℃から最高190℃に下げる低温はんだ付け(LTS/ Low Temperature Soldering)プロセスをサポートすることを発表しました。この新しいプロセスにより、ウィンボンドはSMT生産ラインにおけるCO2排出量の大幅削減とともに、SMTプロセスの簡素化・短縮・コスト削減に貢献します。 ・・・続きは「関連資料」をご覧ください。
半導体メモリー Samsung SK hynix Micron 在庫あります。お気軽に問い合わせください。
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データセンターの高速化を支える、ProMOS DDR4 SDRAM
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DDR4 SDRAM、各種DRAM 継続安定供給を目指す台湾のDRAM専業メーカ
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AMIC社では各種メモリーIC（半導体）5V-SRAMやNOR型FLASHの販売を行っています。
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pSLC技術は、微細化・高集積化が可能なMLCをベースに制御回路の工夫で高性能化を実現！
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サイクル時間、アクセス時間を35nsという高速化を実現！バッテリバックアップをしているSRAMの置き換えに
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100兆回の書込み保証！FAのデータロギングを高速・低消費電力で実現
- メモリ
100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAMを開発！高速動作と低消費電力を実現
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最大133MHzの高速読み出し性能と、それぞれ0.3ms、標準60msの高速ページプログラム、セクタ消去時間を兼ね備えています。
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