RAMXEEDの製品一覧

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不揮発性メモリ!それぞれ異なる特長をもっているため得意とする用途も異なります

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不揮発性メモリFeRAMでは最大メモリ容量となる8Mビット品を開発。産業機械向けSRAMの置き換えにより、バッテリーの削減に貢献

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FeRAM、ReRAM製品ウェブサイトのリニューアル

富士通セミコンダクターメモリソリューションは、FeRAM、ReRAM製品ウェブサイトをリニューアルしました。

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125℃動作のFeRAMでは最大メモリ容量となる4Mビット品を開発

■高温環境下での信頼性を保証する車載向け、産業機械向けの不揮発性メモリ “MB85RS4MTY”は、倍増した4Mビットのメモリ容量と、1.8V~3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作するSPIインターフェースを持つ不揮発性メモリです。125℃の高温環境であっても動作電流が最大4mA(50MHz動作時)、パワーダウン電流が最大30µAと、消費電流を低く抑えているため環境に配慮したシステムの低消費電力化にも貢献します。 ■主な仕様 ・製品名:MB85RS4MTY ・容量(メモリ構成):4Mビット(512K x 8ビット) ・インターフェース:SPI(シリアル・ペリフェラル・インターフェース) ・動作周波数:50MHz(最大) ・動作電源電圧:1.8V~3.6V ・動作温度範囲:-40℃~+125℃ ・書込み/読出し保証回数:10兆回 ・パッケージ:8ピンDFN, 8ピンSOP

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FeRAM、ReRAM製品ウェブサイトのリニューアル

富士通セミコンダクターメモリソリューションは、FeRAM、ReRAM製品ウェブサイトをリニューアルしました。

SRAMと置き換えが可能な不揮発性メモリ、産業機械や業務機器のバッテリーレス・ソリューションを実現

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125℃動作を保証する、電源電圧が1.8Vの2MビットFeRAMを開発 

ADASなどの先端車載市場向けに最適な不揮発性メモリ 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社*は、125℃動作のFeRAMファミリーのラインナップに、1.8Vの低電圧で動作する2MビットFeRAM「MB85RS2MLY」を追加しました。本製品は、1.7V~1.95Vの低電源電圧で動作するSPIインターフェースのメモリです。現在、評価サンプルを提供中で、6月に量産品の提供を予定しています。 この新製品は、先進運転支援システム(ADAS)などの先端車載市場において低電圧動作が要求される電子制御ユニットに最適です。 ■主な仕様 製品名:MB85RS2MLY 容量(メモリ構成):2Mビット(256K x 8ビット) インターフェース:SPI(シリアル・ペリフェラル・インターフェース) 動作周波数:50MHz(最大) 動作電源電圧:1.7V~1.95V 動作温度範囲:-40℃~+125℃ 書込み/読出し保証回数:10兆回(1013回) パッケージ:8ピンSOP、8ピンDFN 品質規格:AEC-Q100グレード1準拠

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車載グレードに準拠した125℃動作の4MビットFeRAM、量産を開始

富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、125℃動作の 4MビットFeRAM「MB85RS4MTY」の量産品提供を、今月から開始しました。 本製品は、車載グレードと呼ばれる高品質規格AEC-Q100グレード1に 準拠しており、高信頼性が要求される車載向けの先進運転支援システム (ADAS)や高性能産業用ロボットに好適なメモリです。

電池の要らない「電子ペーパータグ」も実現。当社のLSIを利用した 画期的なバッテリーレスソリューションをご提案いたします。

  • ICタグ

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ドライブレコーダの位置情報などリアルタイムでのデータ書換えに好適なメモリ4MビットFeRAM​「MB85RS4MT」

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-55℃での低温動作を保証する64Kビット FeRAM​を開発。 極寒地で信頼性の高い動作が要求される産業機械向けに最適

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