更新日： 集計期間:2025年11月26日～2025年12月23日
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タイプ：整流ダイオード最大正方向電圧：16V 最大回復電圧：15KV 最大正方向電流：550mA 最大回復電流：5.0uA
high voltage high frequency rectifier diode 2CL15KV/550mA : Peak reverse repetitive voltage: 15KV Average current: 550mA Max foward voltage: 16V Max forward surge current: 45A Leakage current: 5.0uA Dimension: 7.5*22mm Trr: 100nS
タイプ：整流ダイオード最大正方向電圧：22V 最大回復電圧：15KV 最大正方向電流：100mA 最大回復電流： 2.0uA
2CL2FL Hot selling global market high voltage high current rectifier diode : Peak reverse repetitive voltage: 15KV Average current: 100mA Max foward voltage: 22V Max forward surge current: 10A Leakage current: 2.0uA Dimension: φ4.5*15mm Trr: 100nS
タイプ：整流ダイオード 最大正方向電圧：16V 最大回復電圧：8KV 最大正方向電流：100mA 最大回復電流： 2.0uA
2CL2FF high frequency diode high voltage avalanche diode : Peak reverse repetitive voltage: 8KV Average current: 100mA Max foward voltage: 16V Max forward surge current: 10A Leakage current: 2.0uA Dimension: φ4.5*15mm Trr: 100nS
タイプ：整流ダイオード 最大正方向電圧：22V 最大回復電圧：20KV 最大正方向電流：100mA 最大回復電流：2uA
LeadSun Ultra fast recovery high efficiency diode 20KV 2CL2FM : Peak reverse repetitive voltage: 20KV Average current: 100mA Max foward voltage: 16V Max forward surge current: 30A Leakage current: 2.0uA Maximum Junction Temperature: 120 °C Storage Temperature: -40~+120 °C Dimension: φ4.5*15mm Trr: 100nS
タイプ：整流ダイオード 最大正方向電圧：18V 最大回復電圧：10KV 最大正方向電流：100mA 最大回復電流：2.0uA
2CL2FG Original new high voltage fast recovery rectifier diodes 10kv : Peak reverse repetitive voltage: 10KV Average current: 100mA Max foward voltage: 16V Max forward surge current: 10A Leakage current: 2.0uA Dimension: φ4.5*15mm Trr: 100nS
波長は1300～1600nm！計測機器、データコム、FTTHなどの用途に使用可能
当製品は、InP基板上にMOCVD(Metal Organic Vapor Deposition)で 成長させたInGaAs材料を使用したフォトダイオードです。 1300nmから1600nmの広い動作波長範囲に対応した前面入射型で、 サブマウントに容易に実装することができます。 ご用命の際は当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■InGaAs材料 ■平面的なZn拡散構造 ■直径70μmの受光部 ■前面入射型フォトダイオード ■高い応答性(0.85 A/W on a Wide Range (1300nm to 1600nm)) ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
【200nmから950nmの広い波長範囲において非常に高い感度を持つフォトダイオード】
ElFys社のブラックシリコンフォトダイオードは、原子層蓄積（ALD）コーティングを組み合わせた表面ナノ構造技術により集光性を高めた、広い波長範囲において高感度に光を検出できるフォトダイオードです。 波長範囲200nmから950nmにおいて96％以上の外部量子効率を持ちます。特に紫外域（UV）においては非常に高い感度を持ち、一般的なpn結合のフォトダイオードの約2倍光応答性が優れています。
【ウェアラブルデバイスに適した超高感度・SMDパッケージ】ブラックシリコンフォトダイオード
ElFys SMシリーズは、可視光・近赤外光の受光性能に優れたSMDパッケージのブラックシリコンフォトダイオードです。 ■超高感度 超高感度で、より多くの光電流を出力。 PPG（光電式容積脈波）モジュールのエネルギー効率を向上させます。 ■SMD小型パッケージ 「小型パッケージ」と「高い受光部充填率」で、 革新的なウェアラブル製品の設計を可能にします。 特に、ウェアラブルデバイスのヘルスモニタリング用途に適しています。
ピーク繰返し逆電圧：12KV；平均順電流：450mA；寸法：7.5*22mm or 4.5*15mm；
2KV High voltage current rectifier diode CL04-12 : Peak Reverse Repetitive Voltage: 12KV Average Current: 450mA Max Foward Voltage: 16V Max Forward Surge Current: 40A Leakage Current: 5.0uA Maximum Junction Temperature: 130 °C Storage Temperature: -40~+130 °C Dimension: diameter 7.5*22mm or 4.5*15mm Trr: 100nS
ピーク繰返し逆電圧：12KV；平均順電流：350 mA；サージ電流：30A
Place of Origin: Liaoning, China (Mainland) ；Brand Name: Leadsun ；Model Number: CL01-12D ；Type: Rectifier Diode；Package Type: Surface Mount；Max. Forward Voltage: 13V； Max. Reverse Voltage: 12KV； Max. Forward Current: 350mA； Max. Reverse Current: 2uA； small dimension: 5*9mm；Packaging Details:200 pcs in one bag, 25 bags in one carton
高周波ダイオードの代表的な製品！携帯電話や無線LAN機器のスイッチング素子に使用
『PINダイオード』(p-intrinsic-n diode)とは、PN接合の間に抵抗値の 高い真性半導体であるI層をはさみ、3層構造にしたダイオードです。 PN接合の間に電気抵抗の大きな真性半導体層を挟んでいるので、 ダイオードの中で最も端子間容量(CT)が低いダイオード。 また、流れる電流によって抵抗が変わるので、高周波の可変抵抗器、 受信用アッテネータ、AGC回路用の可変抵抗素子によく利用され、 逆電圧をかけた時には、コンデンサとしての役割も果たすことができます。 【ラインアップ(抜粋)】 ■ローム PINダイオード RN731VTE-17 ■NXP PINダイオード BAP64-03,115 ■NXP PINダイオード BAP50-03,115 ■NXP PINダイオード BAP64-02,115 ■Infineon PINダイオード BAR6403WE6327HTSA1 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
気密封止で高信頼性！
「CRD Eシリーズ」は小型で安定した定電流特性を供給する素子を使用しています。 DO-35 スタイルのDHD（Double Heatsink Diode）構造でDO35(300mW)パッケージを使用した小型素子です。 気密封止で高信頼性、部品材料が安価で量産性に優れています。 今までのシリーズは「E-153（15mA）」が上限でしたが、「E-183（18mA）」を追加しました。これにより、定格電流20ｍＡの高輝度LEDの輝度安定用として定格電流を超えない 一定電流を単一の部品で供給することが可能です。
高圧整流ボード2CLG250KV/3.0A PCB ファスト回復 250KV
Extreme(Absolute Maximum Rating) Item Symbol Unit Conditions Vlotage Revetitive Peak Reverse Voltage Vrrm KV Ta=25ºC Ir=1.0mA 250.0 Peak Working Reverse Voltage Vrwm KV Ta=25ºC Ir=1.0mA 250.0 No-Revetitive Peak Reverse Voltage Vrsm KV Ta=25ºC Ir=1.0mA 300.0 Average Forward Current Io A 3.0 Surge Forward Output Current Ifsm A 40.0 Operating Ambient Temperature Ta ºC -40~+150 Junction and Storage Temperature Tstg ºC -40~+150
今さら聞けないショットキーバリアダイオードについてご紹介！ ※メルマガ会員募集中
加美電子工業は電源トランス・アダプター・コイル・スイッチング電源などを扱っている会社です。 ショットキーバリアダイオードはスイッチング電源で良く使います。 当資料では、ダイオードがどういったものなのか 一般整流ダイオードと比較しながら違いを探ってみようと思います。 ◎毎月当社では役立つ製品情報や技術ネタをお届けしています！ メルマガ会員限定のプレゼントキャンペーンもあります。 ご希望の方、過去配信をご覧になりたい方は下記リンクよりご覧いただけます。 【スイッチング電源 コンテンツ例】 ・ダイオードについて ・ショットキーバリアダイオードの特長 ※製品について知りたい方は 【PDFダウンロード】より総合カタログをご覧いただけます。 ※技術的なご相談も大歓迎！ お気軽にお問い合わせください。 ※商社で取扱いに興味がある方は、 お問い合わせ内容に「取扱い希望」とご記載下さい。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ランサムウェア感染による身代金要求や診療停止が増加中 IT化が進むほどリスクも増大 的確な侵入対策・情報漏洩対策もお忘れなく
セキュリティ対策には「ゼロトラストがあれば万全で境界制御による侵入対策は古い」と言われていますが… 結局何処かにセキュリティホールはあり侵入され、システムを再起動しバックアップからデータを復帰させるのに幾日も要しその間何もできない、よくニュースになってますよね。もっと酷い事例も。 物理式データダイオードOWCDは手間いらずな境界制御を提供しますが、実は使い方が２つあるのはご存じですか？ ひとつは侵入させずコアを守る。もう一つは「なにも出さない」ことで乗っ取りの実害を受けない です。 ランサムウェアには外部との遠隔通信が欠かせません。それをシャットアウトして漏洩や暗号化身代金要求への対策をします。 アクセス認証やウィルス検知の仕組みと組み合わせることで貴院の医療システム全体の可用性を高め 診療を守ります。 医療機関に限らずOWCDを上手に組み合わせて守りを固め且つコスト低減を行う官庁や企業様、それらを提供するSIerは急増中です。 御社も是非物理式データダイオードOWCDの活用をご検討ください。 弊社HPもご参考に。動画解説もあるよ！ お問い合わせも含め関連リンク⤵もご覧ください。
