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フォトダイオード(si) - メーカー・企業と製品の一覧

更新日: 集計期間:2026年01月14日~2026年02月10日
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フォトダイオードの製品一覧

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【光検出器・オプトカプラ】フォトダイオード ラインアップ一覧

カメラや煙探知器、安全装置など、日常的に利用するさまざまな電子機器で使用!

「フォトダイオード」は、光を電気信号に変換する半導体デバイスです。 光のセンサ又は検出器として使用されており、代表的なのは半導体のpn接合を 利用したフォトダイオード。 光がフォトダイオードに入射すると、半導体の接合部分の電子が励起され、電流を 測定することにより光量を検出できます。 【ラインアップ(一部)】 ■フォトダイオード ams OSRAM 赤外線 Si スルーホール実装 5mm package ■フォトダイオード 浜松ホトニクス IR + Visible Light Si スルーホール実装 TO-18 ■フォトダイオード 浜松ホトニクス Full Spectrum Si スルーホール実装 TO-18 ■フォトダイオード ams OSRAM Full Spectrum Si スルーホール実装 3mm package ■フォトダイオード 浜松ホトニクス Full Spectrum Si スルーホール実装 TO-5 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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OPTO DIODE社 XUV−UV検出用Siフォトダイオード

軟X線〜UV領域での内部量子効率がほぼ100%

OPTO DIODE(旧IRD)社は米NIST・LLNL他研究機関と共同で、軟X線〜UV領域において内部量子効率がほぼ100%のSiフォトダイオードを開発しました。 取扱い易く、小型のSiフォトダイオードは、高光エネルギー研究分野のみならず、エレクトロン・イオンの領域においても期待されています。

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Siフォトダイオード『CP0174AL』

ハロゲンフリー対応!小型な光学ユニットへの搭載に適したSiフォトダイオード

『CP0174AL』は、可視光から近赤外光まで(400nm~1000nm)のレーザ 及びLEDなどの光量を測定することができるフォトダイオードです。 受光部のサイズは0.7mm×0.7mmで、ハロゲンフリーに対応します。 小型パッケージ COB-2PIN(2.2mm×1.22mm)の採用により、 ピコプロジェクターなどの小型な光学ユニットへの搭載に好適です。 【特長】 ■感度:0.26A/W@405nm 0.44A/W@700nm ■受光部サイズ:0.7mm×0.7mm ■小型、薄型パッケージ:2.2mm×1.22mm×1.0mm COB-2PIN ■半田リフロー対応 ■鉛フリー対応 RoHS対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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Si フォトダイオード (TOパッケージ) (Si PD)

◆逆バイアス状況下で駆動◆大口径、四角形もラインナップ◆低ダークカレント◆シリコンPINフォトダイオード◆ピーク波長約940nm

■スペクトル検出範囲:400nm~1100nm LD-PDはMIL-I-45208に準拠した検査システムを導入しており、 Telcordia試験要件(TA-NWT-00093)およびMIL-STD-883試験方法に準拠しています。 【パラメータ:Typical値・シンボル・試験条件】 ●丸形φ0.2~φ8.0mm ディテクタサイズ(mm):φ0.2、φ0.5、φ1、φ2、φ4、φ5、φ8 応答波長範囲(nm):400 – 1100・λ 応答性(A/W):0.40、0.45、0.5、0.5、0.5、0.5、0.55・Re・VR=15V、λ=900nm 応答時間(nS):2、5、6、8、15、15、25tr・VR=15V、RL=50Ω 暗電流(nA):1、2、3、5、12、40、60・ID・VR=15V 逆電圧(V):100・VB・IR=10μA 静電容量(pF):0.8、1.2、2.0、6、20、30、70・Cj・f=1MHz、VR=15V 動作電圧(V):0~15・VR ソケット:Coaxial/TO-46/TO-5/TO-8 飽和光パワー:0.3w/cm2

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Siはんだ付け可能チップフォトダイオード

◆感度範囲:400nm~1100nm◆はんだ付け可能チップフォトダイオード◆太陽電池等◆光導電性(太陽電池)はんだ付け可能チップ

■大きい有効径 ■豊富なサイズ ■高シャント抵抗 ■リード付又はリード無し 大きな活性面積光検出器または検出器は「使い捨て」とみなされる場合を必要とするアプリケーションに低コストのアプローチとなります。ハンダ付けリード付きまたはスタンドアロンのベアダイとして使用できます。感度範囲は400nm~1100nmです。

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シリコンフォトダイオード

シリコンフォトダイオード

OSPD50シリーズは、高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。端子間容量6pF、遮断周波数25MHz以上を実現しました。アクティブエリアは標準で0.8mmx0.8mm, 1.2mmx1.2mm, 2.0mmx2.0mmの3種類を用意しプラスチックパッケージサイズは小型で4x4.8x1.8mmになります。分光感度特性は可視〜赤外域用(λ=320nm~1100nm), 赤外域用(λ=760nm~1100nm)及び特別感度波長範囲としてλ=600nm~720nmの3タイプを用意。実装面積の小スペース化を可能にするリードフォーミングタイプへの対応も可能です。魅力的な低価格と短納期にて対応致します。

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Siプラスチックカプセルフォトダイオード

◆プラスチックカプセル化されたフォトダイオード ◆高品質、高信頼性 ◆高密度パッケージ ◆強固なモールドパッケージ

・低暗電流 ・標準リード ・SMT ・モールドレンズ ・横向きあり ・チップ上にフィルター(700nmカットオフ) OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち30年以上の経験があります。当社は大量生産の要件を満たすための効率的な製造と優れたエンジニアリングソリューションを作り出し続けています。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。

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650nm ピンフォトダイオード(650nm Pin PD)

アクティブエリア3.6 mm²の650nm Pin Photo Diode

高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。 アクティブエリアは標準で1.9mmx1.9mmを用意。 パッケージサイズは小型で5.2x4.8x1.43mmになります。 お客様のご要求仕様へのカスタマイズ対応も検討します。 お気軽にお問い合わせください。

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Siポジションセンサーフォトダイオード

◆1次元または2次元アクティブ領域効果 ◆アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能 ◆ポジションセンシング

セグメント化され、1次元または2次元アクティブ領域に横効果PSDが利用できる。 幅広いアプリケーションに適合するように、アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能。 横効果のPSDが広い横方向の変位を測定するのに最も適しているのでセグメント化された検出器は、典型的には、ビームヌルアプリケーションで使用される。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。

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2色サンドイッチフォトダイオード

Two-Color Sandwich PD

■InGaAsの上にSi(1.7、2.05、2.2、2.6μm) ■上部受光部有効径:2.0mm又は5.0mm ■下部受光部有効径:1mm、2.0mm又は3.0mm ■InGaAs(1.7、2.05、2.2、2.6μm)の上にInGaAs(1.7μm) ■下部受光部有効径:1mm又は2.0mm ■標準パッケージ:TO-5、TO-8

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ゲルマニウムフォトダイオード(Ge Photodiode)

GPD社は、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオード・赤外フォトディテクタの製造を行っています

■小から大口径まで各種:100μm~25mm ■波長感度域:800nm~1800nm ■高直線性:>10dBm ■各種レンズ選択可能:両凸レンズ、片平レンズ及びボールレンズ ■光学フィルタ:濃度フィルタ及びバンドパスフィルタ ■シングル及びデュアルステージの電子冷却可能 ■4分割フォトダイオード ■2色(Si/Ge)サンドイッチフォトダイオード ■カスタム付属品付パッケージ可能:ファイバピグテール、高信頼性ピグテール、レセプタクルとサブマウント ■各種パッケージ:TO-46、TO-18、TO-5、TO-8、TO-9、BNC

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Nd-YAG最適化フォトダイオード

◆Nd:YAG感度 高耐電圧 ◆大きい有効径 ◆高速感度 ◆高精度 ◆低電気容量、低ノイズ、高速操作が可能

◆YAGレーザー出力光の位置検出用 ◆1060nmで高感度に最適化されたフォトダイオード ◆高い逆バイアス電圧(200ボルト)で操作 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。 長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。

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InGaAs大口径フォトダイオード

◆大口径アクティブエリアサイズ ◆波長帯:1100-1620nm ◆IR感度ディテクター

アクティブエリアサイズが1mm,1.5mm と 3mmのFCI-InGaAs-XXX-Xシリーズは、OSI Optoelectronics社の1100nm から1620nmで素晴らしい応答性があるIR感度ディテクター(弱いシグナル感度もあります。)の一部です。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。

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Si高速フォトダイオード

◆高速シリコンフォトダイオード ◆800nm波長域にピーク ◆高ハンド幅応用(100Mbps~1.25GHzまで)仕様

高速シリコンフォトダイオードは800nm波長域にピークを持ち、高ハンド幅応用(100Mbps~1.25GHzまで)仕様のディテクターです。100Mbpsから622Mbpsと1.25Gbpsフォトダイオードの2種類あります。 【100Mbps / 622Mbpフォトダイオード】 OSI オプトエレクトロニクス社の大有効径の高速シリコンディテクターシリーズは短距離データ通信用にデザインされた製品です。 【850nm, 1.25 Gbps  フォトダイオード】 OSI オプトエレクトロニクス社の大有効径の高速シリコンピンフォトダイオードシリーズは850nmの短距離データ通信用にデザインされた製品です。

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InGaAs ラージアクティブエリアフォトダイオード

◆ラージアクティブエリア ◆ビームの移動確認等に最適 ◆センサー用途

FCI-InGaAs-QXXXシリーズは、アクティブエリアを大口径にしたInGaAsフォトダイオードです。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。

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紫外 +可視光 波長用フォトダイオード

◆石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージ ◆低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇

◆波長感度は200nmから1100nm 石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージされた、それらのディテクターは200nmから1100nmの波長感度です。 それらは、低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇することができます。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。

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SPO2(動脈血酸素飽和度)向 フォトダイオード(PD)

■広いアクティブエリア■高い感受性■強い耐久性■ワイドアングル■チップオンPCB

◆メディカル向けセンサー◆各種光センサー◆選べる4パターン SPO2(動脈血酸素飽和度)を測定するための受光用フォトダイオードです。これらのフォトダイオードはスマートフォン,スマートウォッチ,メディカル端末に組み込まれ使用されます。 SJ SYSTEMはSPO2(動脈血酸素飽和度)をパルスオキシメーターで計る技術の専業メーカーであり、SPO2向けにLEDモジュール,PDモジュール,反射モジュールの製造販売を行っています。これらの製品はヘルスケアフィールドで使われ、スマートフォン,スマートウォッチで使用されております。

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InGaAs高速フォトダイオード

◆高速70μm InGaAsフォトディテクター◆TO-46パッケージで密閉したTIAとディテクターを結合

FCI-H155/622M-InGaAs-70シリーズは、広範囲なトランスインピーダンスアンプを備えた高速70μm InGaAsフォトディテクターです。4 ピン TO-46パッケージで密閉したTIAとディテクターを結合することで、高速シグナルディテクションとアンプの理想的な状態を提供します。 【モデル名:アクティブエリア(直径)・応答度1310nm・応答度1550nm・ダークカレント・キャパシタンス・ライズタイム・逆電圧】 ●FCI-InGaAs-70:70 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.03 nA、Vr=5.0V・1.5 pF、Vr=5.0V・0.2 ns、Vr=5.0V・20 V、max ●FCI-InGaAs-120:120 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.05 nA、Vr=5.0V・2 pF、Vr=5.0V・0.3 ns、Vr=5.0V・20 V、max ●FCI-InGaAs-300:300 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.3 nA、Vr=5.0V・10 pF、Vr=5.0V・1.5 ns、Vr=5.0V・15 V、max

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GaAs PIN-フォトダイオード(PIN-PD)

VCSEL光通信用に最適なGaAs PIN-フォトダイオード(TO-46 Can/ROSA対応)

■最大25Gbpsまで対応 ■SC/LCレセプタクル対応ROSA or TO46-CANパッケージでの提供が可能 ■ボールレンズ or ドームレンズ付き/TIA付き

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ピンフォトダイオードチップ/チップオンサブマウント型

波長は1300~1600nm!計測機器、データコム、FTTHなどの用途に使用可能

当製品は、InP基板上にMOCVD(Metal Organic Vapor Deposition)で 成長させたInGaAs材料を使用したフォトダイオードです。 1300nmから1600nmの広い動作波長範囲に対応した前面入射型で、 サブマウントに容易に実装することができます。 ご用命の際は当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■InGaAs材料 ■平面的なZn拡散構造 ■直径70μmの受光部 ■前面入射型フォトダイオード ■高い応答性(0.85 A/W on a Wide Range (1300nm to 1600nm)) ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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ブラックシリコンフォトダイオード

【200nmから950nmの広い波長範囲において非常に高い感度を持つフォトダイオード】

ElFys社のブラックシリコンフォトダイオードは、原子層蓄積(ALD)コーティングを組み合わせた表面ナノ構造技術により集光性を高めた、広い波長範囲において高感度に光を検出できるフォトダイオードです。 波長範囲200nmから950nmにおいて96%以上の外部量子効率を持ちます。特に紫外域(UV)においては非常に高い感度を持ち、一般的なpn結合のフォトダイオードの約2倍光応答性が優れています。

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ブラックシリコンフォトダイオード ElFys SM

【ウェアラブルデバイスに適した超高感度・SMDパッケージ】ブラックシリコンフォトダイオード

ElFys SMシリーズは、可視光・近赤外光の受光性能に優れたSMDパッケージのブラックシリコンフォトダイオードです。 ■超高感度 超高感度で、より多くの光電流を出力。 PPG(光電式容積脈波)モジュールのエネルギー効率を向上させます。 ■SMD小型パッケージ 「小型パッケージ」と「高い受光部充填率」で、 革新的なウェアラブル製品の設計を可能にします。 特に、ウェアラブルデバイスのヘルスモニタリング用途に適しています。

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【技術資料】光検出素子

光検出素子の概要を解説!技術資料を無料プレゼント中

フォトダイオード(PD )は、半導体の PN 接合部に光を照射したときにその光強度変化を電気信号(電圧、電流)に変換する受光素子です。フォトダイオードはその特性や構造によって、PNPD、PIN-PD、そして APDの3つに大分されています。各々の特性の違いを理解して、用途に応じて使い分けます。 【掲載内容のご紹介】 ・ フォトダイオードとは ・ フォトダイオードの用途 ・ フォトダイオードの構造と原理 ・ 等価回路 ・ フォトトランジスタ 光検出素子(フォトダイオード・フォトトランジスタ・光給電素子)の概要に関する解説資料を無料でプレゼントしています!詳しくはPDFをダウンロードしてご入手ください。 弊社の取り扱っているフォトダイオードについての詳細は、お気軽にお問い合わせください。

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GaAsフォトダイオード OSI optoelectronics

◆GaAsフォトダイオード ◆GaAsを基にした半導体の光センサ ◆400から850nmに感度があり

アクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。 一般的に400から850nmに感度があります。 【フォトダイオードアレイ】 FCI-GaAs-XXmは、高速ファイバーレシーバやアプリケーションモニタ用にデザインされた4 から 12素子のGaAs PINフォトディテクターアレイです。 ●仕様 [モデル名:アクティブエリア・応答性・キャパシタンス・ダーク・カレント・最大逆電圧・最大フォワードカレント・バンド幅・ブレイクダウン・電圧・パッケージ] ・FCI-GaAS-4M:70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-4M ・FCI-GaAS-12M:70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-12M

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[マーケットレポート]フォトダイオードの世界市場

フォトダイオードの世界市場がセンシング技術に明るい未来を照らし、目覚ましい成長を予測

世界のフォトダイオード市場は、2022年に約4億1,010万米ドルの売上を達成し、センシング技術を再定義しようとしている。データ収集と精密センシングの強化を約束するビジョンにより、業界の専門家は、この市場が2031年までに推定8億4,050万米ドルの収益に達すると予測している。この予想変換は、2023年から2031年までの予測期間中に8.3%という驚異的な複合年間成長率(CAGR)を強調するものである。 光センシングの縁の下の力持ちであるフォトダイオードは、光を電気信号に変換する上で極めて重要な役割を果たしており、通信システムや産業オートメーションから医療機器や環境モニタリングに至るまで、幅広いアプリケーションで正確な計測を可能にしている。世界がスマートソリューションとデータ主導の洞察に向かうにつれて、光信号を捕捉し解釈するフォトダイオードの役割が最も重要になる。 応募方法は[PDFダウンロード]ボタンからご確認いただくか、関連リンクから直接ご応募ください。

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