OPTO DIODE社 XUV−UV検出用Siフォトダイオード
軟Ｘ線〜UV領域での内部量子効率がほぼ100％
OPTO DIODE(旧IRD)社は米NIST・LLNL他研究機関と共同で、軟Ｘ線〜ＵＶ領域において内部量子効率がほぼ100％のSiフォトダイオードを開発しました。 取扱い易く、小型のSiフォトダイオードは、高光エネルギー研究分野のみならず、エレクトロン・イオンの領域においても期待されています。
- 企業：ラドデバイス株式会社
- 価格：応相談
フォトダイオード(si) - 企業と製品の一覧
更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
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製品一覧
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Siフォトダイオード『CP0174AL』
ハロゲンフリー対応！小型な光学ユニットへの搭載に適したSiフォトダイオード
『CP0174AL』は、可視光から近赤外光まで（400nm～1000nm）のレーザ 及びLEDなどの光量を測定することができるフォトダイオードです。 受光部のサイズは0.7mm×0.7mmで、ハロゲンフリーに対応します。 小型パッケージ COB-2PIN（2.2mm×1.22mm）の採用により、 ピコプロジェクターなどの小型な光学ユニットへの搭載に好適です。 【特長】 ■感度：0.26A/W@405nm 0.44A/W@700nm ■受光部サイズ：0.7mm×0.7mm ■小型、薄型パッケージ：2.2mm×1.22mm×1.0mm COB-2PIN ■半田リフロー対応 ■鉛フリー対応 RoHS対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：YITOAマイクロテクノロジー株式会社
- 価格：応相談
Siはんだ付け可能チップフォトダイオード
◆感度範囲：400nm～1100nm◆はんだ付け可能チップフォトダイオード◆太陽電池等◆光導電性（太陽電池）はんだ付け可能チップ
■大きい有効径 ■豊富なサイズ ■高シャント抵抗 ■リード付又はリード無し 大きな活性面積光検出器または検出器は「使い捨て」とみなされる場合を必要とするアプリケーションに低コストのアプローチとなります。ハンダ付けリード付きまたはスタンドアロンのベアダイとして使用できます。感度範囲は400nm～1100nmです。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
Si フォトダイオード (TOパッケージ) (Si PD)
◆逆バイアス状況下で駆動◆大口径、四角形もラインナップ◆低ダークカレント◆シリコンPINフォトダイオード◆ピーク波長約940nm
■スペクトル検出範囲：400nm～1100nm LD-PDはMIL-I-45208に準拠した検査システムを導入しており、 Telcordia試験要件（TA-NWT-00093）およびMIL-STD-883試験方法に準拠しています。 【パラメータ：Typical値・シンボル・試験条件】 ●丸形φ0.2～φ8.0mm ディテクタサイズ(mm)：φ0.2、φ0.5、φ1、φ2、φ4、φ5、φ8 応答波長範囲(nm)：400 – 1100・λ 応答性(A/W)：0.40、0.45、0.5、0.5、0.5、0.5、0.55・Re・VR=15V、λ=900nm 応答時間(nS)：2、5、6、8、15、15、25tr・VR=15V、RL=50Ω 暗電流(nA)：1、2、3、5、12、40、60・ID・VR=15V 逆電圧(V)：100・VB・IR=10μA 静電容量(pF)：0.8、1.2、2.0、6、20、30、70・Cj・f=1MHz、VR=15V 動作電圧(V)：0～15・VR ソケット：Coaxial/TO-46/TO-5/TO-8 飽和光パワー：0.3w/cm2
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
Si高速フォトダイオード
◆高速シリコンフォトダイオード ◆800nm波長域にピーク ◆高ハンド幅応用(100Mbps~1.25GHzまで）仕様
高速シリコンフォトダイオードは800nm波長域にピークを持ち、高ハンド幅応用(100Mbps~1.25GHzまで）仕様のディテクターです。100Mbpsから622Mbpsと1.25Gbpsフォトダイオードの２種類あります。 【100Mbps / 622Mbpフォトダイオード】 OSI オプトエレクトロニクス社の大有効径の高速シリコンディテクターシリーズは短距離データ通信用にデザインされた製品です。 【850nm 1.25 Gbps フォトダイオード】 OSI オプトエレクトロニクス社の大有効径の高速シリコンピンフォトダイオードシリーズは850nmの短距離データ通信用にデザインされた製品です。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
シリコンフォトダイオード
シリコンフォトダイオード
OSPD50シリーズは、高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。端子間容量6pF、遮断周波数25MHz以上を実現しました。アクティブエリアは標準で0.8mmx0.8mm 1.2mmx1.2mm 2.0mmx2.0mmの３種類を用意しプラスチックパッケージサイズは小型で4x4.8x1.8mmになります。分光感度特性は可視〜赤外域用(λ=320nm~1100nm) 赤外域用(λ=760nm~1100nm)及び特別感度波長範囲としてλ=600nm~720nmの３タイプを用意。実装面積の小スペース化を可能にするリードフォーミングタイプへの対応も可能です。魅力的な低価格と短納期にて対応致します。
- 企業：オー工ステンプ株式会社
- 価格：応相談
Siプラスチックカプセルフォトダイオード
◆プラスチックカプセル化されたフォトダイオード ◆高品質、高信頼性 ◆高密度パッケージ ◆強固なモールドパッケージ
・低暗電流 ・標準リード ・SMT ・モールドレンズ ・横向きあり ・チップ上にフィルター(700nmカットオフ） OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち30年以上の経験があります。当社は大量生産の要件を満たすための効率的な製造と優れたエンジニアリングソリューションを作り出し続けています。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
650nm ピンフォトダイオード(650nm Pin PD)
アクティブエリア3.6 mm²の650nm Pin Photo Diode
高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。 アクティブエリアは標準で1.9mmx1.9mmを用意。 パッケージサイズは小型で5.2x4.8x1.43mmになります。 お客様のご要求仕様へのカスタマイズ対応も検討します。 お気軽にお問い合わせください。
- 企業：オー工ステンプ株式会社
- 価格：応相談
Siポジションセンサーフォトダイオード
◆1次元または2次元アクティブ領域効果 ◆アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能 ◆ポジションセンシング
セグメント化され、1次元または2次元アクティブ領域に横効果PSDが利用できる。 幅広いアプリケーションに適合するように、アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能。 横効果のPSDが広い横方向の変位を測定するのに最も適しているのでセグメント化された検出器は、典型的には、ビームヌルアプリケーションで使用される。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
2色サンドイッチフォトダイオード
Two-Color Sandwich PD
■InGaAsの上にSi(1.7、2.05、2.2、2.6μm) ■上部受光部有効径：2.0mm又は5.0mm ■下部受光部有効径：1mm、2.0mm又は3.0mm ■InGaAs(1.7、2.05、2.2、2.6μm)の上にInGaAs(1.7μm) ■下部受光部有効径：1mm又は2.0mm ■標準パッケージ：TO-5、TO-8
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
ゲルマニウムフォトダイオード(Ge Photodiode)
GPD社は、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオード・赤外フォトディテクタの製造を行っています
■小から大口径まで各種：100μm～25mm ■波長感度域：800nm～1800nm ■高直線性：>10dBm ■各種レンズ選択可能：両凸レンズ、片平レンズ及びボールレンズ ■光学フィルタ：濃度フィルタ及びバンドパスフィルタ ■シングル及びデュアルステージの電子冷却可能 ■4分割フォトダイオード ■2色(Si/Ge)サンドイッチフォトダイオード ■カスタム付属品付パッケージ可能：ファイバピグテール、高信頼性ピグテール、レセプタクルとサブマウント ■各種パッケージ：TO-46、TO-18、TO-5、TO-8、TO-9、BNC
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
【光検出器・オプトカプラ】フォトダイオード ラインアップ一覧
カメラや煙探知器、安全装置など、日常的に利用するさまざまな電子機器で使用！
「フォトダイオード」は、光を電気信号に変換する半導体デバイスです。 光のセンサ又は検出器として使用されており、代表的なのは半導体のpn接合を 利用したフォトダイオード。 光がフォトダイオードに入射すると、半導体の接合部分の電子が励起され、電流を 測定することにより光量を検出できます。 【ラインアップ(一部)】 ■フォトダイオード ams OSRAM 赤外線 Si スルーホール実装 5mm package ■フォトダイオード 浜松ホトニクス IR ＋ Visible Light Si スルーホール実装 TO-18 ■フォトダイオード 浜松ホトニクス Full Spectrum Si スルーホール実装 TO-18 ■フォトダイオード ams OSRAM Full Spectrum Si スルーホール実装 3mm package ■フォトダイオード 浜松ホトニクス Full Spectrum Si スルーホール実装 TO-5 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：アールエスコンポーネンツ株式会社
- 価格：応相談
Nd-YAG最適化フォトダイオード
◆Nd:YAG感度 高耐電圧 ◆大きい有効径 ◆高速感度 ◆高精度 ◆低電気容量、低ノイズ、高速操作が可能
◆YAGレーザー出力光の位置検出用 ◆1060nmで高感度に最適化されたフォトダイオード ◆高い逆バイアス電圧(200ボルト)で操作 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。 長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
InGaAs大口径フォトダイオード
◆大口径アクティブエリアサイズ ◆波長帯：1100-1620nm ◆IR感度ディテクター
アクティブエリアサイズが1mm 1.5mm と 3mmのFCI-InGaAs-XXX-Xシリーズは、OSI Optoelectronics社の1100nm から1620nmで素晴らしい応答性があるIR感度ディテクター(弱いシグナル感度もあります。)の一部です。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
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GaAsフォトダイオード OSI optoelectronics
◆GaAsフォトダイオード ◆GaAsを基にした半導体の光センサ ◆400から850nmに感度があり
アクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。 一般的に400から850nmに感度があります。 【フォトダイオードアレイ】 FCI-GaAs-XXmは、高速ファイバーレシーバやアプリケーションモニタ用にデザインされた4 から 12素子のGaAs PINフォトディテクターアレイです。 ●仕様 ［モデル名：アクティブエリア・応答性・キャパシタンス・ダーク・カレント・最大逆電圧・最大フォワードカレント・バンド幅・ブレイクダウン・電圧・パッケージ］ ・FCI-GaAS-4M：70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-4M ・FCI-GaAS-12M：70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-12M
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
