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ホワイトペーパー進呈中。ADASのコストを抑え、信頼性・安全性・付加価値を高めるアイデアをご紹介
インフィニオン テクノロジーズは、 半導体製品・ソリューションを多数ご提供しています。 普及が進むADAS（先進運転支援システム）の機能性や価値を高める上で 生じる課題と、それを解決するアイデアをご紹介した資料をただいま進呈中です。 事故防止や自動運転などのニーズに応えるためのADASの高機能化や、 それに伴うコストの増加という問題を、半導体がどのように解決するか、 サプライヤーの立場から解説しています。 【資料概要】 ◎ADAS機能により、いかに交通事故を減少させるか ◎ADAS機能にかけられるコストとは？ ◎半導体としての信頼と安全 ◎半導体としてのアプローチ 「PDFダウンロード」からすぐにご覧いただけます。 当社の製品・ソリューションなどについてもお気軽にお問い合わせください。
ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に封止！高い電力密度と性能を保有
インフィニオンの、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用した 製品ラインアップが拡張されました。 PQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまでとなります。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■高い電力密度と性能 ■優れた熱性能 ■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用 ■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化 ■低いPCB損失 ■PCB寄生容量の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ThinPAK 5x6パッケージに搭載！幅の広い製品ラインアップから適切な製品を選択可能
700Vおよび800Vの『CoolMOS P7』パワーMOSFET製品ファミリーは、 フライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション向けに 開発されています。 保護用ツェナーダイオード内蔵。磁性体サイズ及びBOMコストの削減が 可能なほか、HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現しています。 また、小型で高い電力密度の設計が可能で、幅の広い製品ラインアップから 適切な製品をお選びいただけます。 【特長】 ■コスト競争力のある技術 ■スイッチング速度の高速化による効率性の向上 ■磁性体サイズ及びBOMコストの削減が可能 ■HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現 ■駆動しやすく、優れたデザイン性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
非常にコンパクトなデザインを実現！小型電気自動車、eスクーター等のアプリケーションに好適
インフィニオンは、150VのOptiMOS 5パワーMOSFETの製品ラインアップを TO-Leadlessパッケージを採用した製品に拡大しています。 大電流設計、高電力密度、低EMIが可能。小型電気自動車、eスクーター、 ホットスワップ、バッテリー管理システムなどのアプリケーションに好適。 接触面積の増加によりエレクトロマイグレーションが大幅に減少します。 【特長】 ■最大300Aまでの高電流に対応 ■接触面積の増加によりエレクトロマイグレーションが大幅に減少 ■非常に低いパッケージ寄生容量 ■リードレスパッケージ ■並列接続数や冷却の必要性を低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SuperSO8 5x6 (SSO8) パッケージ搭載！並列接続数を低減しシステムコスト削減を実現
『OptiMOS 5 60V パワーMOSFET』は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と 高い連続電流(最大330A)を実現した製品です。 インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS MOSFETは、OptiMOS 3および5の 製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現。 システムコストの低減と性能向上の必要性に対応します。 逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を 最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性が 向上します。 【特長】 ■導通損失を低減し、電力密度と効率を向上 ■並列接続数を低減し、システムコスト削減を実現 ■オーバーシュート低減 ■優れた熱挙動 ■最大175℃の高い動作温度定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ハーフブリッジ、フルブリッジ(2x)構成に対応！コストの最適化を実現
『MOTIX BTN9990LV』は、pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイド MOSFET、ドライバーICチップを1パッケージ化した製品です。 ディスクリートソリューションと比較して、PCB面積とBOMが少なく、 診断、電流検出、保護機能を統合し、システムの信頼性を向上。 大電力のPMOS、NMOS、ドライバーICを統合し、設計と製造の工数を 最小限に抑えます。 【特長】 ■pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイドMOSFET、 ドライバーICを小型のHSOF-7パッケージに搭載 ■AEC-Q100/Q006認証(グレード1) ■パス抵抗 typ.5.3mΩ@25℃(最大9.6mΩ@150℃) ■電源電圧範囲8V～18V(最大40Vまで) ■低暗電流(最大3.3μA@85℃) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速/低速両方のスイッチングに好適！より高性能な選択肢を提供
『StrongIRFET2パワーMOSFET60V』は、 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンの MOSFET技術です。 低速および高速の両スイッチング周波数に好適。 当製品は、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、 より高性能な選択肢を提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
アプリケーション要件に応じて特定の価値提案を提供！力の違いを体験してください
『CoolMOS SJ MOSFET』製品は、伝導損失、スイッチング損失、 駆動損失の点で優れた性能指数を誇ります。 非常に効率的でコンパクトなシステム設計が可能になり、より優れた性能の 製品に対する将来の需要に対応できます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
幅広い用途に対応する豊富な製品ラインアップ！複数の販売パートナーで利用可能
「StrongIRFET 2 in 60VパワーMOSFET」は、幅広いアプリケーションに 対応する当社の先進世代のMOSFET技術で、低速および高速の 両スイッチング周波数に適しています。 この新ファミリーは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な 選択肢を提供します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
2つのディスクリートパッケージを置き換えることで、基板上の電源部を少なくとも50％縮小することが可能！
『スケーラブルパワーブロック』は、インフィニオンのパッケージ イノベーションであり、ローサイドとハイサイドの両方のMOSFETを、 さまざまなアプリケーションを対象としたコンパクトなリードレスSMD (6.3 x 6.0 mm2)パッケージに搭載しています。 リード製品には、先進のOptiMOS 6 40 VおよびOptiMOS 5 100 Vシリコン 技術があり、コンパクトな実装面積で優れた性能を発揮。 2つのディスクリートパッケージを置き換えることで、お客様は基板上の 電源部を少なくとも50％縮小することができます。 【主な特長】 ■高いチップ/パッケージ比 ■最適化されたリードフレームとCuクリップ設計 ■ローサイドとハイサイドを内部接続 ■両面放熱 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
Vgs(th)のばらつきを抑え、並列接続能力を向上させることにより、スケーリングが容易になり、電力出力が向上！
『OptiMOS 6 135 V』は、小型電気自動車(LEV)、電子フォークリフト、 電動工具、園芸工具などの高出力モーター制御アプリケーションや、 主に72 Vや84 Vのバッテリーを使用するUPSを対象にしています。 本製品ファミリーは、120 Vと150 VのMOSFET間のギャップを効果的に埋め、 低いRDS(on)で高性能を実現し、効率的な電力処理、電力損失の低減を 実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■Vgs(th)のばらつきが少ない ■きわめて低い逆回復電流(Qrr) ■幅広いパッケージラインアップ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせを実現！
新しい『OptiMOS 6 200 V MOSFET』は、インフィニオンの先進トレンチ MOSFET技術を代表する製品です。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減しています。ゲート閾値電圧の ばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、 並列接続に優れたデバイスです。 本製品は、穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、 出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、 様々な動作条件においてシステム効率を向上させます。 【主な特長】 ■RDS(on)を42％低減 ■3倍ソフトなダイオードで、キャパシタンス直線性も向上 ■Qrrが89％低減 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です！
新しい『CoolSiC MOSFET 750 V G1』は、最高レベルのシステム性能と 信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 本製品は、インフィニオンの長年にわたるSiCの経験を活かし、性能、信頼性、 堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、高い効率と電力密度を 実現する簡素化されたコスト効率の高いシステム設計を実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低 Crss/Cissと高 Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
世界先端の高耐圧スーパージャンクションMOSFET技術！技術と価格性能の両方の世界標準を確立
『CoolMOS 8 SJ 600V』は、高速ボディダイオードを内蔵しており、 幅広いアプリケーションに適しているMOSFETパワー半導体です。 P7、S7、CFD7、C7、G7、PFD7などの600V CoolMOS7 MOSFETファミリーの 後継製品であり、インフィニオンのワイドバンドギャップ(WBG)製品群を補完。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【主な特長】 ■世界最高クラスのRDS(on)A ■高速ボディダイオード内蔵 ■優れたハードコミュテーション耐性 ■先進の相互接合技術 ■7mΩから段階的に取り揃えた製品ラインアップ ■上面放熱パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
システムのコストパフォーマンスを最大化！きわめて高い信頼性、長い製品寿命
Thin-TOLL 8x8パッケージ搭載の『CoolSiC Generation2 650V』は、 高性能技術を活用する8x8オプションとして適したMOSFETパワー半導体です。 標準的な8x8パッケージののサーマルサイクルにおける性能限界を克服し、 .XTインターコネクト技術により熱抵抗を低減。 その結果として、SiCの特性を最大限に活かしながら、小さなフット プリントを維持し、電力密度を次の次元へと引き上げることが可能です。 【主な特長】 ■優れた性能指数(FOM) ■同クラスで最低水準のRDS(on) ■高い堅牢性と総合的な品質 ■広い駆動電圧範囲 ■ユニポーラ駆動に対応 VGS(off)＝0 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
