更新日： 集計期間:2025年07月09日～2025年08月05日
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MFR測定含めて射出成形や密度、引張試験などで、ISO17025の試験所の認定を取得しております!!
弊社では、プラスチック材料のMFR測定を行っております。 MFR(メルトフローレート)は、樹脂の流れやすさ(流動性)を表す指標の 一つで、品質管理・品質保証の管理項目として、広く用いられています。 シリンダ内で溶融した樹脂を、一定の温度と荷重条件のもと、シリンダ底部に 設置されたダイから10分間あたり押し出される樹脂量を測定。 MVR測定についても対応しておりますので、ご相談ください。 MFR測定に加えて、試験片の成形から各種物性試験まで対応しております。 【測定条件】 ■対応規格 ・JIS K7210-1 ・ISO 1133 ・ASTM D1895 ■測定上限温度：300℃ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
放射性物質測定キャンペーンを実施！ 通常価格の７５％OFF キャンペーン期間：2013年6月13日～8月31日ご依頼分まで
ISO/IEC１７０２５試験所認定取得機関として、信頼性の高いデータをご提供します。 わずか１００ｇの試料で測定可能！ 対 象 試 料：一般食品 必要試料量：１００ｇ 測 定 方 法：厚生労働省事務連絡（平成24年3月1日付） 「食品中の放射性セシウムスクリーニング法」 測 定 機 器：CsI（TI)シンチレーションスペクトロメータ 測 定 下 限：放射性セシウム（Cs-134，Cs-137の合計量）として、25Bq/ｋｇ
アナログの限界を超える、デジタルの精度。
Leitech デジゲージは、Leitech高解像度ゲージの改良モデルです。 デジゲージは、正確な測定値をデジタル画面に表示します。 デジゲージは、以下の2つを高精度で測定するための工具です ・有効ねじ長さ（スレッドエンゲージメント） ・全体の穴深さ 測定結果はデジタル表示され、高精度かつ視認性に優れています。 Leitech Digi Gauge System のスケールの解像度は 0.01 mm/0.0005 インチです。
プラスチック材料の耐寒性の評価が出来ます!!-50℃までの低温環境での引張試験、曲げ試験等も対応しております!!
弊社では、プラスチック材料の脆化温度測定を行っております。 試験片を低温液中(伝熱媒体：エタノール)に一定時間暴露後、所定の打撃を 与えて、破壊個数から脆化温度(50％の試験片が破壊する温度)を算出します。 【測定条件】 ■対応規格：JIS K7216 ■試験片寸法 ・A形：長さ38.0±2.0mm,幅6.0±0.4mm,厚さ2.0±0.2mm ・B形：長さ20.0±2.0mm,幅2.5±0.2mm,厚さ1.6±0.1mm ・ISO974：長さ20.0±2.0mm,幅2.5±0.2mm,厚さ1.6±0.1mm ■試験片温度：室温～－70℃ ■装置：脆化温度試験機/東洋精機製作所製 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
三次元測定機による高精度測定 航空･宇宙産業向け製品を15年以上保証してきた実績
【特徴】 ■機種：Ｍitsutoyo FALCIO Apex9106 ■複雑な形状の製品も、制度要求の高い製品も測定可能 ■20℃で温度管理された測定室 ■三次元測定機は人による測定値のバラツキなし ■JIS Q 9100に基づいた品質管理 ■測定結果はデータ保存し、20年保管 ■航空･宇宙製品を15年以上品質保証してきた実績
さまざまな用途のDLCコーティング厚みの測定
DLC(diamond‐like carbon)はアモルファス（非晶質）な炭素系材料です。高硬度・低摩擦係数・耐摩耗性・電気絶縁性・高バリア性・表面改質やDLCの厚み測定は断面を電子顕微鏡にて観察する破壊検査が一般的でしたが、大塚電子の光干渉式膜厚計であれば非破壊かつ高速に測定が可能です。 独自の顕微鏡光学系を採用することで、形状のあるサンプルの実測定が可能になりました。
反射対物レンズが実現する透明基板の高精度測定
フィルムやガラス等の透明な基板サンプルの場合、基板の裏面からの反射の影響を受けると正確な測定ができません。 OPTMシリーズの反射対物レンズを使用すると、物理的に裏面反射を除去することができ、透明基板でも高精度に測定ができます。 また、フィルムやSiC等の光学異方性をもつサンプルに対してもその影響を受けること無く上面の膜のみの測定を行うことが可能です。 （特許取得済 第5172203号）
反射分光膜厚計『OPTM』を用いた絶縁膜の膜厚測定
半導体トランジスタは電流の通電状態を制御することで信号を伝達していますが、電流が漏れたり別のトランジスタの電流が勝手な通路を通り回り込むことを防止するために、トランジスタ間を絶縁するための絶縁膜が埋め込まれています。 絶縁膜にはSiO2（二酸化シリコン）やSiN（窒化シリコン）が用いられます。 SiO2は絶縁膜として、SiNはSiO2より誘電率の高い絶縁膜として、または不必要なSiO2をCMPで除去する際のストッパーとして使用され、その後にSiNも除去されます。 このように絶縁膜としての性能、正確なプロセス管理のため、これらの膜厚を測定する必要があります。
複数点同一解析を用いた nk 未知の極薄膜の測定
従来法では困難であった極薄膜領域下(100nm以下)でのnk解析ですが、複数点解析機能により、精度良くnk解析が可能です。（特許取得済 第5721586号） 最小二乗法でフィッティングをして膜厚値（ｄ）を解析するには材料のnkが必要です。nkが未知の場合、d とnkの両方を可変パラメータとして解析します。 しかしながら、ｄ が100nm以下の極薄膜の場合、ｄ とnkとを分離することができず、そのため精度が低下して正確な ｄ が求められないことがあります。 このような場合、ｄ の異なるサンプルを複数測定し、nkが同一であると仮定して同時解析（複数点同一解析）をします。これにより精度よくnkを求め、正確な ｄ を求めることが可能です。
