更新日： 集計期間:2025年04月16日～2025年05月13日
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Agnitron社にて独自開発された、高性能、高スループット先端化合物半導体向けMOCVD装置を提供します。
Agnitron社のAgilisシリーズは、先端化合物半導体エピ成長を可能にする構成オプションを備えた柔軟なプラットフォームです。研究開発用(R&D用)の小型チャンバではシングル又はデュアルチャンバ構成選択可能、量産機用の大型チャンバではシングルチャンバ構成にて幅広い材料のエピ成長が可能です。
最高900℃の加熱制御が行えるホットウォール式の熱CVD装置
ホットウォール式の熱CVD装置です。最高900℃の加熱制御が行えます。 石英ガラス等の管状炉になっています。 化合物半導体のエピタキシャル成長など、純度を重視するプロセスに利用できます。 直感的に操作が行える手動装置の為、簡易的な実験を行う研究室、教育機関に適しています。 ◆詳しくは 製品カタログ（PDFダウンロード）をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 関連リンクからも製品カタログをご覧いただけます。
10種類以上の半導体ガスを自在にコントロール可能！カスタマイズ可能
縦型、枚葉、ウェハーサイズ、ガス種、フットプリントなど多くの使用に対応。汎用性を重視したハイグレード縦型減圧CVD装置です。標準仕様を基にカスタマイズを施し、より安価に製造することも可能です。 【特長】 ■スモールフットプリントながらウエハーサイズ3 6 8 /inchに対応 ■ヒーター昇降機能によりナチュラル酸化を低減 ■常温～900℃まで安定した温度コントロールを実現 ※詳しくはお問い合わせいただくかPDFをダウンロードしてご覧ください。
プラズマCVD装置
● トレーカセット方式を採用。 1. 搬送時間短縮により高スループットを実現。 2. トレー変更によりφ2インチ〜φ8インチのウエハーに対応可能。 ● 真空カセット室を採用。 1. 1カセット1回の真空排気により高スループットを実現。 2. コンタミネーションの影響回避やウエハー表面の酸化を防止。 ● 納入実績の豊富なPD-220Lの反応室をさらに信頼性の高いものに改良。
広範な膜特性の制御可能！大幅なパーティクル低減および生産性を向上します
『酸化膜／窒化膜プラズマCVD装置』は、2周波独立印可方式により、 低応力、高硬度、高絶縁性を実現します。 ラジカルプラズマクリーニングシステムによる大幅なパーティクル低減 および生産性を向上。 マルチチャンバ仕様や各種オーダーメイドも製作可能ですので、 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■2周波独立印可方式により、低応力、高硬度、高絶縁性を実現 ■優れた膜厚分布および再現性を実現 ■特殊表面処理によるメタルコンタミ低減 ■広範な膜特性の制御可能 ■豊富な蓄積データ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
完全に再生(リファブ)され、アップグレードされたレガシーMOCVD装置を最良のサービス、サポートと共に提供します。
Agnitron社は中古装置の使用履歴、装置特徴を等を熟知しており、ニーズを満たす中古装置の再生（リファブ）、アップグレードを実施します。また材料科学、プロセスエンジニアリングに精通しており、装置のエンジニアリングだけに留まらず、装置の過去使用履歴が将来の性能にどのように影響を与えるか、部品の再利用可否、交換する適切な時期を把握していますので安心して装置を購入、使用して頂けます。 (1) 標準及びオプションのアップグレードにより新たな機能追加可能。 (2) 部品、サービス提供体制。 (3) 様々なお客様の要求に柔軟に対応。 (4) オプションによりエピ検収保証可能。
小型で多用途に応用可能！デバイス評価プロセスにも適応できる高機能装置です
『SHUTTLELINE(R)シリーズ』は、薄膜堆積用PECVD・ドライエッチング・ 故障解析用プロセス対応フレキシブル半導体製造装置です。 RIE/ICP-RIE PECVD/ICP-CVDに対応し、コンパクトな機体に 多様なオプションで多用途に使えるフレキシブル装置。 企業及びアカデミアのR&D、研究室にラボスケールのコンパクトな 装置が必要な方や、1台で成膜・エッチングとマルチに使用可能な 装置をお探しの方などにおすすめです。 【特長】 ■高精度でダメージフリーなエッチングプロセス ■ダイ パッケージ化ダイ ウェハ片およびフルウェハに多様なウェハサイズ・形状に対応 ■シャトルシステムにより、異なるサンプルサイズでもハードウェアの変更が不要 ■1台で成膜/エッチング装置とマルチに対応 ■世界中で採用実績があり、Plasma-Therm LLCのグローバルネットワークで現地サポート ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
