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Al、Al合金膜を腐食することなく、Siを良好に異方性エッチングします。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ 平滑なエッチング面の形成が可能です。 ・ デバイス表面の金属開口率に依存せずエッチングが可能です。 ・ エッチング液の劣化が少ないです。 ・ 前処理液として、Pure Etch ZE series（ Alダメージレス絶縁膜エッチング液）の使用を推奨します。 キーワード：ウェットエッチング、シリコン異方性エッチング
AlまたはAl合金膜を所望のテーパー角でエッチングします。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ 所望のテーパー形状（テーパー角）を形成します。 ・ Al、Al合金膜を良好にエッチングします。 ・ エッチング速度とエッチング形状の面内均一性が良好です。 キーワード：ウェットエッチング、アルミニウム
AlGaInP膜の表面を良好に粗面化エッチングし、光取り出し効率を向上させることができます。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ 所望の凹凸を形成し、光取り出し効率を向上させることが可能です。 ・ 低温、短時間での処理が可能です。 ・ 凹凸形状の面内均一性が良好です。 キーワード：フロスト処理、凹凸、LED、発光ダイオード、アルミニウムインジウムガリウムリン
Agナノワイヤー膜を良好にエッチングします。フルエッチング用とパーシャルエッチング用を取り揃えています。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ 低温、短時間での処理が可能です。 ・ 組成や処理条件を調整することにより、フルエッチングすることも可能です。 キーワード：ウェットエッチング、銀ナノワイヤー、AgNW、SNW
Ag単膜、APC（Ag-Pd-Cu合金）などのAg合金膜単膜、またはAg/透明導電膜の積層膜エッチングに最適なエッチング液です。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ エッチングレートが安定しています。 ・ サイドエッチが少なく、微細パターンの形成が可能です。 ・ エッチング速度とエッチング形状の面内均一性が良好です。 キーワード：ウェットエッチング、銀、APC
Cu、Cu合金膜を良好にエッチングします。標準的な薄膜のエッチング用とCu/Ti積層膜の一括エッチング用を取り揃えています。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ 良好な順テーパーを形成します。 ・ サイドエッチが少なく、微細パターンの形成が可能です。 ・ エッチング速度とエッチング形状の面内均一性が良好です。 キーワード：ウェットエッチング、銅
Ti膜を良好にエッチングします。標準的な薄膜のエッチング用とTiシード層エッチング用を取り揃えています。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ サイドエッチが少なく、微細パターンの形成が可能です。 ・ エッチング速度とエッチング形状の面内均一性が良好です。 ・ Cu/TiやW/Tiなどの積層膜に適しています。 キーワード：ウェットエッチング、チタン
Cr膜を良好にエッチングします。微細パターン形成を検討される場合には、濡れ性向上のための前処理液のご提案も行っています。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ サイドエッチが少なく、微細パターンの形成が可能です。 ・ エッチング速度とエッチング形状の面内均一性が良好です。 ・ BM（ブラックマトリクス）やフォトマスクのCrエッチングに適しています。 キーワード：ウェットエッチング、クロム
ITO膜を良好にエッチングします。a-ITOエッチング用とp-ITOエッチング用を取り揃えています。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ エッチング後の残渣がありません。 ・ 低発泡性であり、破泡性に優れています。 ・ エッチング速度とエッチング形状の面内均一性が良好です。 キーワード：ウェットエッチング、酸化インジウムスズ
Ni膜を良好にエッチングします。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ サイドエッチが少なく、微細パターンの形成が可能です。 ・ エッチング速度とエッチング形状の面内均一性が良好です。 キーワード：ウェットエッチング、ニッケル Niの表面形状を凹凸状に加工する粗面化エッチング液は「Ni粗面化エッチング液」ページをご参照ください。
単結晶シリコン基板にテクスチャー（形成可能サイズ：2～3μm）を形成します。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・1液タイプで、アルカリに添加して使用します。 ・ 2～3μmのTEXサイズが形成可能です。 ・ 薬液使用量が少なく、薬液ライフが長いです。 ・ 処理後の表面反射率低下による、変換効率の改善が可能です。 キーワード：テクスチャー形成、凹凸、単結晶Si、太陽電池
レジストや金属膜（Au、Crなど）によるマスクを腐食することなく、水晶を従来品より平坦な底面形状でエッチングします。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・断面形状のテーパー角の角度差を従来品より低減可能です。 ・エッチング底面を従来品より平坦にエッチング可能です。 ・厚みの均一性が良好です。 キーワード：ウェットエッチング、水晶
反射率低減、効率向上、密着性向上、 シリコン、化合物半導体、金属表面を粗らします 。
・所望の凹凸を形成します。 ・凹凸形状の面内均一性が良好です。 キーワード：化学的粗面化、凹凸、ニッケル、めっき、スパッタ、フロスト処理、LED、発光ダイオード、アルミニウムインジウムガリウムリン、リン化ガリウム、ガリウムリン、アルミニウムガリウムヒ素、ガリウムヒ素、窒化ガリウム、ステンレス鋼
Cuめっき/Cuシード構造に対して、Cuめっき配線やバンプへのダメージ少なく、Cuシード層をエッチングします。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ Cuめっきの細りが少ないです。 ・ Cuの表面荒れが少ないです。 ・ さまざまなシード層に適用可能です。（無電解銅めっき～スパッタ銅） ・ Dip方式、Spray方式、Spin方式と多様の方式に対応しています。 キーワード：ウェットエッチング、銅、めっき、シード層、選択セミアディティブ法
特殊な技術を用いることなく、Niの表面を良好に粗面化エッチングします。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ 所望の凹凸を形成します。 ・ 凹凸形状の面内均一性が良好です。 キーワード：化学的粗面化、凹凸、ニッケル、めっき、スパッタ
