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SiO2、SiNxなど様々な下地膜に対しエッチング残渣無く加工可能なITOエッチング液！
『ITO-07N』 は､FPD製造プロセスにおけるアモルファスITO､IZO 等の高精細パターニングが可能な透明導電薄膜エッチング液です。 【特徴】 ■アモルファス ITO､IZO 等のパターニングに最適 ■サイドエッチングが少なく､高精細なパターンニングが可能 ■低発泡性で、破泡性に優れる ※詳細は弊社HP又は資料請求して頂くかダウンロードからPDFデータをご覧下さい
残渣除去性が高く、サイドエッチングが少ない精細加工が可能な銀合金エッチング液！
『SEAシリーズ』は、LCD やOLED の反射電極､配線形成プロセスにおいて､微細加工可能なAg薄膜加工向けのエッチング液です。 【特徴】 ■低レート化により、μm オーダーの微細パターニングが可能 ■エッチング形状が良好 ■ポリ ITO 下地膜との選択性有 ■パドル、スプレー方式のエッチングに適用可能 ※詳細は弊社HP又は資料請求して頂くかダウンロードからPDFデータをご覧下さい
Ti/Al/Ti積層膜のウェットエッチングが可能なAl積層膜エッチング液
Al積層膜を一液で処理可能なエッチング液です。 これまでウェットエッチングが困難だったTi/Al/Ti積層膜にも適用が可能です。 【特徴】 ■Ti/Al/Ti積層膜やMo/Al/Mo積層膜を一括でエッチング可能 ■KSMF-100はMo/Al/Mo積層膜の他、Mo単膜やAl単膜の低テーパーエッチング液としても使用可能 ■KSMF-260はTi/Al/Ti積層膜のテーパーエッチングが可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
各種金属材料との選択エッチングが可能なチタンエッチング液
CuやAu電極のバリア層や密着層の除去において、Tiの選択的なエッチングが可能です。 【特徴】 ■TI-8Aは各種金属との選択エッチングが可能であり、TiNやTiWのエッチング液としても使用可能 ■TI-101は過酸化水素水を使用せず、CuやAgとの選択エッチングが可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
半導体デバイスやフォトマスクの材料として使用されるルテニウム用エッチング液
DRAMのキャパシタ電極やフォトマスクに使われるRu膜に対応したエッチング液です。 【特徴】 ■REC-01はRu膜を短時間でエッチングでき、RuO2もエッチング可能 ■REC-11はRuO4ガスの発生を抑制でき、ウェーハの金属汚染が少ない ■REC-11は数nm～のRu薄膜のエッチングに好適 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
Al、Al合金膜を腐食することなく、Siを良好に異方性エッチングします。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ 平滑なエッチング面の形成が可能です。 ・ デバイス表面の金属開口率に依存せずエッチングが可能です。 ・ エッチング液の劣化が少ないです。 ・ 前処理液として、Pure Etch ZE series（ Alダメージレス絶縁膜エッチング液）の使用を推奨します。 キーワード：ウェットエッチング、シリコン異方性エッチング
AlまたはAl合金膜を所望のテーパー角でエッチングします。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ 所望のテーパー形状（テーパー角）を形成します。 ・ Al、Al合金膜を良好にエッチングします。 ・ エッチング速度とエッチング形状の面内均一性が良好です。 キーワード：ウェットエッチング、アルミニウム
AlGaInP膜の表面を良好に粗面化エッチングし、光取り出し効率を向上させることができます。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ 所望の凹凸を形成し、光取り出し効率を向上させることが可能です。 ・ 低温、短時間での処理が可能です。 ・ 凹凸形状の面内均一性が良好です。 キーワード：フロスト処理、凹凸、LED、発光ダイオード、アルミニウムインジウムガリウムリン
Agナノワイヤー膜を良好にエッチングします。フルエッチング用とパーシャルエッチング用を取り揃えています。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ 低温、短時間での処理が可能です。 ・ 組成や処理条件を調整することにより、フルエッチングすることも可能です。 キーワード：ウェットエッチング、銀ナノワイヤー、AgNW、SNW
Ag単膜、APC（Ag-Pd-Cu合金）などのAg合金膜単膜、またはAg/透明導電膜の積層膜エッチングに最適なエッチング液です。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ エッチングレートが安定しています。 ・ サイドエッチが少なく、微細パターンの形成が可能です。 ・ エッチング速度とエッチング形状の面内均一性が良好です。 キーワード：ウェットエッチング、銀、APC
Cu、Cu合金膜を良好にエッチングします。標準的な薄膜のエッチング用とCu/Ti積層膜の一括エッチング用を取り揃えています。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ 良好な順テーパーを形成します。 ・ サイドエッチが少なく、微細パターンの形成が可能です。 ・ エッチング速度とエッチング形状の面内均一性が良好です。 キーワード：ウェットエッチング、銅
Ti膜を良好にエッチングします。標準的な薄膜のエッチング用とTiシード層エッチング用を取り揃えています。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ サイドエッチが少なく、微細パターンの形成が可能です。 ・ エッチング速度とエッチング形状の面内均一性が良好です。 ・ Cu/TiやW/Tiなどの積層膜に適しています。 キーワード：ウェットエッチング、チタン
Cr膜を良好にエッチングします。微細パターン形成を検討される場合には、濡れ性向上のための前処理液のご提案も行っています。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ サイドエッチが少なく、微細パターンの形成が可能です。 ・ エッチング速度とエッチング形状の面内均一性が良好です。 ・ BM（ブラックマトリクス）やフォトマスクのCrエッチングに適しています。 キーワード：ウェットエッチング、クロム
ITO膜を良好にエッチングします。a-ITOエッチング用とp-ITOエッチング用を取り揃えています。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ エッチング後の残渣がありません。 ・ 低発泡性であり、破泡性に優れています。 ・ エッチング速度とエッチング形状の面内均一性が良好です。 キーワード：ウェットエッチング、酸化インジウムスズ
Ni膜を良好にエッチングします。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ サイドエッチが少なく、微細パターンの形成が可能です。 ・ エッチング速度とエッチング形状の面内均一性が良好です。 キーワード：ウェットエッチング、ニッケル Niの表面形状を凹凸状に加工する粗面化エッチング液は「Ni粗面化エッチング液」ページをご参照ください。
単結晶シリコン基板にテクスチャー（形成可能サイズ：2～3μm）を形成します。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・1液タイプで、アルカリに添加して使用します。 ・ 2～3μmのTEXサイズが形成可能です。 ・ 薬液使用量が少なく、薬液ライフが長いです。 ・ 処理後の表面反射率低下による、変換効率の改善が可能です。 キーワード：テクスチャー形成、凹凸、単結晶Si、太陽電池
レジストや金属膜（Au、Crなど）によるマスクを腐食することなく、水晶を従来品より平坦な底面形状でエッチングします。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・断面形状のテーパー角の角度差を従来品より低減可能です。 ・エッチング底面を従来品より平坦にエッチング可能です。 ・厚みの均一性が良好です。 キーワード：ウェットエッチング、水晶
反射率低減、効率向上、密着性向上、 シリコン、化合物半導体、金属表面を粗らします 。
・所望の凹凸を形成します。 ・凹凸形状の面内均一性が良好です。 キーワード：化学的粗面化、凹凸、ニッケル、めっき、スパッタ、フロスト処理、LED、発光ダイオード、アルミニウムインジウムガリウムリン、リン化ガリウム、ガリウムリン、アルミニウムガリウムヒ素、ガリウムヒ素、窒化ガリウム、ステンレス鋼
Cuめっき/Cuシード構造に対して、Cuめっき配線やバンプへのダメージ少なく、Cuシード層をエッチングします。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ Cuめっきの細りが少ないです。 ・ Cuの表面荒れが少ないです。 ・ さまざまなシード層に適用可能です。（無電解銅めっき～スパッタ銅） ・ Dip方式、Spray方式、Spin方式と多様の方式に対応しています。 キーワード：ウェットエッチング、銅、めっき、シード層、選択セミアディティブ法
特殊な技術を用いることなく、Niの表面を良好に粗面化エッチングします。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・ 所望の凹凸を形成します。 ・ 凹凸形状の面内均一性が良好です。 キーワード：化学的粗面化、凹凸、ニッケル、めっき、スパッタ
InP膜の表面を良好に粗面化エッチングし、光取り出し効率を向上させることができます。
本製品の特長は以下のとおりです。 ・所望の凹凸を形成し、光取り出し効率を向上させることが可能です。 ・低温、短時間での処理が可能です。 ・凹凸形状の面内均一性が良好です。 キーワード：フロスト処理、凹凸、LED、発光ダイオード、インジウムリン
ウェハーレベルＣＳＰや精密電子部品をはじめとするあらゆる分野で
ウェハーレベルＣＳＰや精密電子部品をはじめとするあらゆる分野でのウエットエッチング剤です。各種機能を有したエッチング剤、ソフトエッチング剤、ハーフエッチング剤なども取りそろえています。銅再配線工程や素子電極形成等に各種金属膜のエッチング液を提供しています。詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
微細加工が可能なAl用エッチング液！
『混酸Alエッチング液』は、ガラスやSi 基板を侵すことなく、微細加工が可能なAl用エッチング液です。 Mo、Mo合金エッチング液としてもご使用いただけます。 【特徴】 ■希釈、調合不要であり、そのまま使用可能 ■ 毒劇物、危険物、PRTR 規制対象物質に非該当 ■ ガラス、Si 基板等へのダメージがない ■ エッチング形状の面内均一性が良好 ■ エッチング残渣がない ■ Al エッチングレート 約1,000Å/min.(30℃)
エッチング残渣が少なく高精細なパターニングが可能な金エッチング液！高精細なバンプや配線形成プロセスにおいて優れた加工形状を実現！
『AURUM シリーズ』は、濡れ性が良く、高精細なバンプや配線形成プロセスにおいて優れた加工形状を実現した､液ライフの長いAu薄膜用エッチング液です。 【特徴】 ■エッチング残渣が少なく､高精細なパターニングが可能 ■シアン化合物を含まず、表面平滑性に優れる ■液ライフが長く､コストリダクションが可能 ■毒劇物、危険物、PRTR 規制対象物質に非該当 ■Al、Ni、Cr、Ti 等の異種金属に対する選択性が優れる ■Si、ガラスなどの基板にダメージを与えない 高精細向け高エッチングレート品…AURUM-304：約300nm/min(30℃) 高精細向け低エッチングレート品…AURUM-302：約100nm/min(30℃) をご用意しております。 ※詳細は弊社HP又は資料請求して頂くかダウンロードからPDFデータをご覧下さい
型番によりCuダメージの抑制が可能な低抵抗ポリITO膜エッチング液！
『混酸ITO-02』 は、FPD 製造プロセスにおける低抵抗ポリITO 電極等の高精細パターニングが可能なエッチング液です。 また、『ITO-301』は、Cuダメージを抑制し、低抵抗ポリITO電極等の構成パターニングが可能なエッチング液です。 【特徴】 ■低抵抗 ポリITO 膜のエッチング加工に使用可能 ■低温､短時間でポリ ITO 膜、アモルファスITO 膜のエッチングが可能 ■ガラス基板へのダメージがない ■型番により、Cuダメージの抑制が可能 ■希釈、調合が不要であり、そのままご使用可能 ※詳細は弊社HP又は資料請求して頂くかダウンロードからPDFデータをご覧下さい
仕上がりは滑らか、Cu表面の粗さ変化はわずか。
Cuめっき後のCu/Tiシード層エッチングに適しており、CuとTiを一括でエッチングすることも可能です。また、Cu表面の平滑性を損なわないため、伝送損失への影響が小さいです。 【特徴】 ■エッチング前の平滑さが損なわれない ■オーバーエッチングによる形状変化が小さい ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
サイドエッチングの少ないパターニングが可能なクロムエッチング液
水晶振動子やMEMSセンサーなどの電極材料、フォトマスクに使われるCr薄膜に対応したエッチング液です。 【特徴】 ■サイドエッチングの少ないパターニングが可能 ■Cr-301はエッチングレートが極めて低いため、Cr膜の膜厚調整などに適しています。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
