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剥離処理により、不要箇所を除去！当社で取り扱う不良解析エッチング装置をご紹介
『200FA/200R/200I』は、半導体チップ及びウエハの不良解析装置です。 剥離処理により、不要箇所を除去し、不良原因箇所の解析をする事が 出来ます。 【特長】 ■選べる剥離技術(RIE、HCD、ICPRIE) ■サンプル形状柔軟性(ダイ、パッケージダイ、ウェーハフラグメント、 フルウェーハ) ■搬送の柔軟性(ダイレクトロード、プリロードシャトル、 ロードロック付きプリロードシャトル) ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
表面の単原子層のエッチング！エッチング対象物へのダメージを抑える事が出来ます！
当社が取り扱うプラズマベースの原子層エッチング装置 『Takachi ALE』をご紹介します。 Takachiシステムは、ALEキットを搭載することにより、 ALEプロセスが可能です。 表面の単原子層毎にエッチングしていく為、エッチング対象物への ダメージを抑える事が出来ます。 【特長】 ■ALEキットを搭載、ALEプロセスが可能 ■表面の単原子層毎にエッチング ■エッチング対象物へのダメージを抑える事が可能 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ICの絶縁層を除去！フットプリントが小さく、費用対効果の高いシステム
当社では、半導体故障解析用プラズマ・エッチング装置を 取り扱っております。 電気的な特性を維持するために金属層を侵食させない、マルチレベルの デプロセッシングから、金属エッチングを含む、高い選択比で損傷のない プロセスまで、RIE、ICP-RIE FAソリューションは、最大200 mmまでの ダイ、パッケージダイおよびウェハーのサンプルでご使用可能。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■ダイ、パッケージダイ、200mmウェーハのプロセス可能 ■蓄積されたプロセスノウハウは、オーバーエッチングを防止 ■フットプリントが小さく、費用対効果の高いシステム ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フランスで設計・製造された業界最小、ウエハトレイのみ交換で2～12インチウエハ対応、Corial 300・500シリーズ
当社で取り扱っている、薄膜用PECVD・ドライエッチング装置 「SHUTTLELINE(R)」・バッチプロセス対応コンパクト300＆500シリーズ についてご紹介いたします。 成膜はPECVD。エッチングはRIE, ICP, ICP-RIE。 ユニークなウエハステージを使用することで、例えば2インチウエハであれば 1枚～最大27枚のバッチ処理可。 開発から量産までお使いいただけます。 【特長】 ■成膜装置PECVDは、チャンバーがコンパクト設計の上、自動クリーニングを 取り入れる事により、スループットを最大にする事が出来る ■エッチング装置は、運用コスト下げられるとの事で、多くのマイクロ LEDメーカーで採用 ■ウエハ片、フルウエハと多様なウエハサイズ・形状に対応 シャトルシステム(ウエハステージ)により、異なるサンプルサイズでも ハードウェアの変更が不要 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
フォトマスクの新規開発に携わる方必見！コンパクトな設計で、様々なサイズのフォトマスク・ウエハの処理が可能なドライエッチング装置
当社で取り扱う「フォトマスクのRIEドライエッチング装置」をご紹介します。 フォトマスクのキャリアとして、「シャトル」を採用している為、ハードウエハを交換する事無く、「シャトル」の交換のみで様々なサイズのフォトマスクを処理する事が可能。 オープンロード、ロードロックタイプを揃えており、ロードロックタイプであれば、MoSi,Cr,Ta系のエッチングも1つのチャンバーで処理出来る事があります。 【特長】 ■コンパクト設計 ■プラズマクリーニングにより簡単にリアクター内のクリーニング可 ■リアクタターチャンバー内の汚染防止としてライナーを採用 ■差し込み式の為、取り外しが簡単 ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
