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剥離処理により、不要箇所を除去！当社で取り扱う不良解析エッチング装置をご紹介
『200FA/200R/200I』は、半導体チップ及びウエハの不良解析装置です。 剥離処理により、不要箇所を除去し、不良原因箇所の解析をする事が 出来ます。 【特長】 ■選べる剥離技術(RIE、HCD、ICPRIE) ■サンプル形状柔軟性(ダイ、パッケージダイ、ウェーハフラグメント、 フルウェーハ) ■搬送の柔軟性(ダイレクトロード、プリロードシャトル、 ロードロック付きプリロードシャトル) ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
表面の単原子層のエッチング！エッチング対象物へのダメージを抑える事が出来ます！
当社が取り扱うプラズマベースの原子層エッチング装置 『Takachi ALE』をご紹介します。 Takachiシステムは、ALEキットを搭載することにより、 ALEプロセスが可能です。 表面の単原子層毎にエッチングしていく為、エッチング対象物への ダメージを抑える事が出来ます。 【特長】 ■ALEキットを搭載、ALEプロセスが可能 ■表面の単原子層毎にエッチング ■エッチング対象物へのダメージを抑える事が可能 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ICの絶縁層を除去！フットプリントが小さく、費用対効果の高いシステム
当社では、半導体故障解析用プラズマ・エッチング装置を 取り扱っております。 電気的な特性を維持するために金属層を侵食させない、マルチレベルの デプロセッシングから、金属エッチングを含む、高い選択比で損傷のない プロセスまで、RIE、ICP-RIE FAソリューションは、最大200 mmまでの ダイ、パッケージダイおよびウェハーのサンプルでご使用可能。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■ダイ、パッケージダイ、200mmウェーハのプロセス可能 ■蓄積されたプロセスノウハウは、オーバーエッチングを防止 ■フットプリントが小さく、費用対効果の高いシステム ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フランスで設計・製造された業界最小、ウエハトレイのみ交換で2～12インチウエハ対応、Corial 300・500シリーズ
当社で取り扱っている、薄膜用PECVD・ドライエッチング装置 「SHUTTLELINE(R)」・バッチプロセス対応コンパクト300＆500シリーズ についてご紹介いたします。 成膜はPECVD。エッチングはRIE, ICP, ICP-RIE。 ユニークなウエハステージを使用することで、例えば2インチウエハであれば 1枚～最大27枚のバッチ処理可。 開発から量産までお使いいただけます。 【特長】 ■成膜装置PECVDは、チャンバーがコンパクト設計の上、自動クリーニングを 取り入れる事により、スループットを最大にする事が出来る ■エッチング装置は、運用コスト下げられるとの事で、多くのマイクロ LEDメーカーで採用 ■ウエハ片、フルウエハと多様なウエハサイズ・形状に対応 シャトルシステム(ウエハステージ)により、異なるサンプルサイズでも ハードウェアの変更が不要 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
故障解析、MEMS、光MEMS、先端パッケージングなど、幅広い市場向けのエッチング及び成膜が可能！
『Shuttleline200シリーズ』は、エッチング及びPECVDアプリケーション用の 柔軟でマルチパーパスなプラットフォームであり、独自のシャトルコンセプトの 採用により、小片からフルウェーハまで様々なサイズのサンプルに対応した ハンドリングが可能なマルチパーパスエッチング・成膜ソリューションです。 また、RIE、ICP、PECVD、ICP-CVD方式のプラズマ処理技術を可能とし、 R＆D用途及び少量生産に好適なプロセッシングを提供。 具体的には、故障解析、MEMS、光MEMS、先端パッケージング、 パワー半導体用プロセスなど、幅広い市場向けのエッチング及び 成膜が可能です。 【特長】 ■独自のシャトルコンセプトにより、幅広い基板の形状とサイズに 容易に適応可能 ■豊富なオプションと高いアップグレード性を備えた ユーザーフレンドリーな装置 ■RIE方式、ICP方式のエッチングなど高度で特定な要求に対応する マルチパーパス性 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
不活性ガスArエッチングと反応性ガスによるエンハンスドRIBEが可能！
『QuaZar』は、大面積イオンソースと高度なモーションコントロールにより、 強誘電体PZTなどの難削材のエッチングプロセスにおいてプラズマエッチング では実現困難な垂直エッチング性が実現可能なエッチングプロセッシングです。 独自のIon Source、Marathon Grids、Dual PBN(オプション)の採用により、 従来品と比較しMTBMを3倍に(他社の既存装置にも搭載可能)。 また、REDEP Breaker, AUXILIARY Electrodeにより、RFシャント・ アノード消失を防止します。 【特長】 ■PZTエッチング応用では、EPDなしで貴金属電極層でエッチストップが可能 (サイドウォールにおける析出なしで、かつスムーズな表面) ■PZTエッチングにおけるフォトレジストに対する選択性は、不活性IBEの 0.6：1から、RIBE：1.1：1に向上 ■PZTエッチング速度は、不活性IBEの約20nm/minから、RIBEでは 約30nm/minに向上 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
セミナーでは、HDRF-高密度ラジカルで、ポリマー、HDIレジストを低温除去できる新技術などをご紹介予定
プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社は、東京ビッグサイトにて開催される「セミコンジャパン2024」に出展いたします。 弊社は、プラズマ技術を中心にエッチング、成膜、洗浄装置、ALDライク成膜装置、 イオンビーム装置、PVD装置、RTP装置を取り扱っております。 また、バッチ式スパッタ装置や、電子ビーム蒸着装置もラインアップとして揃えており、様々な用途にご提案が可能です。 ブースにて開催するセミナーでは、HDRF-高密度ラジカルで、 ポリマー、HDIレジストを低温除去できる新技術とKBOUS FAST-CVDの成膜レートで、 ALDライク成膜が可能な新技術をご紹介予定です。ぜひ、ご来場ください。 【開催概要】 ■会期：2024年12月11日(水)～13日(金) 10：00～17：00 ■会場：東京ビッグサイト 東4ホール 4032 ■住所：〒135-0063 東京都江東区有明3丁目11−1 ■最寄り駅 ・りんかい線 国際展示場駅(下車 徒歩約7分) ・ゆりかもめ 東京ビッグサイト駅(下車 徒歩約3分) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
MEMS加工の精度と効率を向上！高精度エッチング・成膜技術をご紹介いたします。 ※4月16日 ～ 4月17日開催
プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社は、東京・両国 国際ファッションセンタービル（KFC Hall)にて開催される 「MEMS Engineer Forum 2025」の技術展示コーナーに出展致します。 ＜展示内容＞ 1.高密度ラジカルによる低温・低ダメージエッチング・クリーニング装置 特許取得済みのHDRF技術（High density radical flux）により、MEMSの歩留低下原因を除去。 ２.これからの高周波デバイスや高速光変調導波路加工に不可欠な加工技術（イオン・ビーム・エッチング） 多層構造物の加工に適したイオン・ビーム・エッチング。ウエハステージのチルト機構により、側壁角度の調整が可能。 ３.化合物半導体のバッチ処理に適したプラズマ・エッチング、成膜装置 「シャトル」（ウエハキャリア）に複数枚のウエハを搭載し、バッチ処理が出来ます。少量産に適した装置。 皆様のご来場を心よりお待ちしております。 ※装置のカタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはお気軽にお問い合わせください。
フォトマスクの新規開発に携わる方必見！コンパクトな設計で、様々なサイズのフォトマスク・ウエハの処理が可能なドライエッチング装置
当社で取り扱う「フォトマスクのRIEドライエッチング装置」をご紹介します。 フォトマスクのキャリアとして、「シャトル」を採用している為、ハードウエハを交換する事無く、「シャトル」の交換のみで様々なサイズのフォトマスクを処理する事が可能。 オープンロード、ロードロックタイプを揃えており、ロードロックタイプであれば、MoSi,Cr,Ta系のエッチングも1つのチャンバーで処理出来る事があります。 【特長】 ■コンパクト設計 ■プラズマクリーニングにより簡単にリアクター内のクリーニング可 ■リアクタターチャンバー内の汚染防止としてライナーを採用 ■差し込み式の為、取り外しが簡単 ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
