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基板バイアス機構！当社のマイクロウエーブPECVD/エッチング装置をご紹介
『scia Cube 300/450/750』は、300×300mm、450×450mm、 750×750mm基板対応のマイクロウエーブPECVD/エッチング装置です。 プロセスは、マイクロウエーブPECVD、反応性イオンエッチング(RIE)と なっております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■300×300mm、450×450mm、750×750mm基板対応 ■基板バイアス機構 ■基板冷却加熱機構(-10～850℃) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高選択性エッチング！ICPソースと基板電極間の間隔調整によるラジカル供給の最適化
『SI 500』は、ICPパワーによるイオン密度の制御のICP-RIEです。 独自のPTSA200ICPソースによる10＾12[イオン/cm3]の 高いプラズマ密度により高エッチレートを実現。 また、バイアスパワーによるイオンエネルギーの制御で 低ダメージエッチングとなっております。 【特長】 ■ICPパワーによるイオン密度の制御 ■バイアスパワーによるイオンエネルギーの制御 ■ICPソースと基板電極間の間隔調整によるラジカル供給の最適化 ■低ダメージエッチング ■高選択性エッチング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
プラズマアシストリアクティブ成膜可能！インテグレーション用オプションなどにも対応
『FLARIONシリーズ』は、プラズマ成膜及びエッチング装置です。 PLUMシリーズのシームレスICPによるプラズマアシストリアクティブ成膜が可能。 また、基板回転機構、バイアス機構やプログラム制御された 軸動作機構の搭載が可能で、カスタマイズやインテグレーション用 オプションに対応しています。 【特長】 ■PLUM シリーズのシームレスICPによる プラズマアシストリアクティブ成膜可能 ■基板回転機構、バイアス機構や プログラム制御された軸動作機構搭載可能 ■カスタマイズやインテグレーション用オプション対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
