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計算の精度が高い！装置内のプラズマ密度が、比較的低い場合のプラズマ解析を得意とするモジュール
『プラズマPICモンテカルロ衝突モジュール（PIC-MCCM）』は、プラズマ CVD装置、プラズマエッチング装置、スパッタリング装置、機能性薄膜の 製造装置といった装置内の、非平衡低温プラズマの挙動を解析ができる モジュールです。 装置内のプラズマ密度が、比較的低い（10^16[#/m3]；10^10[#/cc]程度以下） 場合のプラズマ解析を得意としており、電磁場中での電子ビーム、イオン ビームの軌道解析などといった荷電粒子挙動解析も可能です。 【特長】 ■物理モデルが比較的簡単である ■シミュレーションの際に持ち込まれている物理モデルの仮定や近似が少ない ■計算の精度が高い ■SMCMとのカップリングにより、バッファガス・ラジカル種の影響も 考慮にいれた連成シミュレーションを行うことが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
真空技術、プラズマ技術、薄膜技術、微細加工技術を用いる技術者のためのシミュレーションソフトウェア！
『PEGASUS』は、装置メーカ、材料メーカそしてデバイスメーカにおいて真空技術を 利用した開発、製造に携わる技術者のためのシミュレーションソフトウェアです。 機能が異なる複数のモジュールで構成されおり、一つあるいは複数のモジュールを 組み合わせて使用することで、お客さまの要求に応じたシミュレーションを行うことができます。 IT、宇宙開発、エネルギー、半導体など幅広い産業・分野を対象としています。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。 【特長】 ■装置メーカ、材料メーカそしてデバイスメーカにおいて真空技術を利用した開発、製造に携わる 技術者のためのシミュレーションソフトウェア ■真空薄膜技術で必要とされる多くのプロセスに関連するシミュレーションを行うことが可能 ■装置サイズの気相シミュレーションからミクロンサイズの基板表面シミュレーションまで行うことが可能 など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
新衝突計算法を指定することにより、平均自由行程以上のセルサイズでの計算が可能です！
『中性粒子DSMCモジュール（DSMCM）』は、多数のサンプル粒子を配置し、 それらの粒子の衝突を物理モデルに従って確率的に引き起こして挙動を 追跡していくといったDSMC法（粒子モデル）を用い、いろいろな真空装置内の 希薄気体の流れ場を解析するためのモジュールです。 エッチング装置、薄膜製造装置、スパッタリング装置内の電荷を持たない 中性粒子（バッファガス、ラジカル種、スパッタリング粒子）の挙動を 解析することが可能。 また、新衝突計算法を指定することにより粘性流領域(Kn<0.01)の解析もできます。 【特長】 ■原理的には自由分子流から常圧の気体の流れ場までを解析できる ■計算量の問題から、低圧の流れ場に適用するのが有効 ■新衝突計算法(U-system)を指定することにより、平均自由行程以上の セルサイズでの計算が可能 ■PIC-MCCMやPHMとカップリングすることにより、ラジカル種やスパッタリング 粒子の挙動も（テスト粒子モンテカルロ法を用いて）高速に計算することが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
