1～10 件を表示 ／ 全 10 件
高周波トランジスタ(fT=1.1～8GHz)ラインナップ紹介！
弊社量産中の高周波トランジスタのご紹介です。 本製品はシリコン高周波プロセスにより製造されており、利得帯域幅積(fT)が高く、チューナーやキーレスエントリーの発振回路やイメージセンサーの増幅回路などの高周波増幅用途に最適です。 fTが1.1GHz、4.5GHz、8GHzのラインナップを取り揃えており、SC-59、SC-70、SC-75Aの小型パッケージであるため、セットの小型化、高密度実装が可能です。 また、高周波トランジスタは他社国内メーカーではEOLとなっている製品が多数ありますが、弊社では継続生産しておりますので、他社製品のEOLでお困りの方は、この機会に是非ご検討ください。
航空宇宙用RFハイパワートランジスタ
○航空電子機器用パルストランジスタのラインナップをご紹介。 周波数：1 025 - 1150MHz 米国アドバンスドセミコンダクタ（ASI）社は、 RFパワートランジスタ、高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス（旧SGSトムソン）社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合は、 お問い合わせいただければ設計変更のための時間や手間をかけることなく、ご希望の回路をデザインできるかも知れません。
H2シリーズ ICeGaNで高度なNL3回路を搭載！無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる
『CGD65B240SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 当製品はICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバー とコントローラーチップが利用可能。デバイスは、大きな銅領域に 直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-7.0AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能！
『CGD65B130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 GaNの特性により、高電流、高耐圧を実現し、広範囲の電圧と 高いスイッチング周波数に対応。 デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる！高電流、高耐圧を実現
『CGD65A130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、 熱性能を向上させ、 熱設計を簡素化します。 また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
Tr1とTr2のhFEとVBEのペアリングを保証！
hFE1、VBEのペアリングを保証しており、差動増幅回路への適用が可能です。 また、AEC-Q101にも対応しております。 高耐圧・低出力容量となっており、オーディオ機器に最適です。
誘導性負荷の駆動に最適。フリーホイールダイオードを削減可能！
抵抗入りトランジスタのコレクタ・ベース間にツェナーダイオードが接続（内蔵）されてお り、アクティブクランプ動作によりモーターやソレノイドドライブ時の逆起電力からトランジスタ を保護します。 また、抵抗を内蔵しているためマイコンからの直接入力が可能であること、 小型面実装外形となっていることから、セットの小型化・部品点数の大幅な削減に寄与 できます。さらに、定格電流が1.0Aと大きく、ドライバとしての使用にも最適です。
CWマイクロウェーブ RFパワートランジスタ
○GHz帯連続波用途パワートランジスタのラインナップです。 米国ASI Semiconductor Inc.（ASI）社は、RFパワートランジスタ、 高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス（旧SGSトムソン）社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合、 お問い合わせに応じて、設計変更のための時間や手間をかけることなくご希望の回路をデザインできるかも知れません。 ※詳細はカタログダウンロードからご覧ください。
パルスレーダー用RFパワートランジスタ
○パルスレーダー用トランジスタはパルス幅の長いものから短いものまで ラインナップしています。 《UHFレーダ用》 ・周波数：400 - 500MHz 米国ASI Semiconductor Inc.（ASI）社は、RFパワートランジスタ、 高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス（旧SGSトムソン）社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合、 お問い合わせいただければ設計変更のための時間や手間をかけることなく、ご希望の回路をデザインできるかも知れません。
放送局向け RFパワートランジスタ
○TV放送用送信機に必要な高いリニアリティを実現しています。 ・FM放送用 周波数 ：108MHz ・TV用 周波数 ：225MHz ・TV用 周波数 ：860MHz 米国アドバンスドセミコンダクタ（ASI）社は、 RFパワートランジスタ、高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス（旧SGSトムソン）社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合は、 お問い合わせいただければ、設計変更のための時間や手間をかけることなく、 ご希望の回路をデザインできるかも知れません。 ※詳細はカタログダウンロードからご覧ください。
