更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
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【技術資料進呈中】長時間測定をターゲットとしたリアルモード計測について掲載
当資料は、長時間測定をターゲットとしたリアルモード計測について 解説した技術資料です。 ヘテロダイン処理系において、リアルモードでの測定技術の構築を 行いました。構築対象は、信号処理装置が主です。 シンセサイザを用いて理論どおりの動作を確認し、1nm 以下の分解能を確認。 そして、種々のパラメータの動作可能範囲を得ました。 その装置により、標準光学系を用いて空気中内および真空室内で計測しました。 【掲載内容】 ■長時間測定できるリアルモード設定のために ■シンセサイザによるデータ測定・解析 ■標準型光学系でのデータ測定・解析 ■真空室内での標準型光学系でのデータ測定・解析 ■考察・反省 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
製造プロセスフロー概要およびGaNトランジスタ、抵抗と静電容量の構造を明確にします
当社では、『Navitas GaN Power IC(NV6117&NV6115)構造解析レポート』を ご提供しております。 NV6117とNV6115の低耐圧トランジスタ、抵抗素子、静電容量素子および GaNエピ層の構造は、同構造と推測されるため、サンプルを使い分けて 解析しています。 【レポート内容】 ■600V GaN製品の比較(NAVITAS、GaN Systems、Panasonic) ■PKG観察、X線観察、チップ観察 ■チップ平面観察 ■高耐圧/低耐圧GaNトランジスタ、抵抗素子、静電容量素子の断面SEM解析 ■GaNエピ層TEM-EDX材料分析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
多重型光学系光路長差0mm条件下で大気中と真空中の結果について解説
当資料は、多重型光学系光路長差0mm条件下で大気中と真空中の 結果について解説した技術資料です。 「光路長ゼロ条件下における空気屈折率が及ぼす影響」や、 「変位量変動例(前回報告のデータ再掲)における解析」について、 グラフなどを用いて解説しています。 【掲載内容】 ■光路長ゼロ条件下における空気屈折率が及ぼす影響について ■変位量変動例(前回報告のデータ再掲)における解析 ■考察・反省 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにします！
株式会社エルテックは『短絡耐量評価・解析レポート』を販売しています。 短絡故障の瞬間に爆発する他のSiC MOSFETと比較して、 INFINEON CoolSiC MOSFETは爆発することなくソフトに故障します。 このレポートでは、短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにしています。 【特長】 ■試験測定データの結果と先端SiCトランジスタの短絡耐量を制限する 物理的メカニズムを特定するための解析評価 ■破壊までの臨界温度および破壊エネルギーが抽出される ■破壊モードとの物解析を行う ■INFINEONと他社の1200Vトランジスタの短絡耐量を比較する ■短絡耐性を高めるためのトランジスタ構造とプロセスの変化を明らかにする ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Gobi MDM9235モデムのロジック詳細構造解析
本レポートは、20nmノードQualcomm MDM9235モデムの詳細構造解析 (LDSA) です。 MDM9235は第4世代のQualcomm Gobi 9x35 シリーズモデムで、20nm CMOS プロセスを使用して製造されたQualcomm初のモデムです。 MDM9235 は4G LTE-A Cat. 6データレート (301.5 Mbps) および 4k ビ デオコンテンツをサポートするためQualcomm Snapdragon 805 アプリケーションプロセッサと対になっています。 【特徴】 ○重要なデザインとマニュファクチャリング革新の理解 ○適切な情報に基づいた技術的な資源投資判断 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
製品開発時・他社の設計が知りたい時などに最適！最大規模のデータライブラリで自社で解析するより素早く調べることができます。
TechInsights のティアダウンは、製品設計や関連するサプライチェーンに影響を及ぼす技術・コスト要因に対する深い洞察をご提供いたします。 モバイル・医療機器・デジタルホームなど市場主要製品のティアダウンレポートは、個別またはライセンス契約によりご利用いただ けます。 各種製造業の方々は下記などの情報を得るために弊社ティアダウンを活用していただいております。 【製品メーカー様活用事例】 ・ 競合相手がとった設計の選択 ・ 新興/主力のコンポーネントサプライヤー ・ 新製品機能の裏にある主要コスト要因 ・ 国際市場新規参入企業の競争上の強み 【半導体/コンポーネントのサプライヤー様活用事例】 ・ ソケットの可能性 ・ コンポーネント統合のトレンド ・ パッケージングのトレンド ・ 競争上の脅威 【知的財産の利害関係者様活用事例】 ・ デザインウィンの確認 ・ 主張ターゲットの追跡 ・ 当該製品および技術の市場サイジング （お客様独自のニーズにお応えするカスタムティアダウンも行っています） ※詳しくはカタログをダウンロードしていただくかお問い合わせください。
2022年最新版！大学・航空宇宙系研究機関でも活用が進むデータドリブンな材料開発工程時間を55%削減するノウハウを大公開
デジタルトランスフォーメーション（DX）の波が、いよいよ製造業バリューチェーンの上流にある研究開発にも影響を与え始めています。 ベテラン研究者の勘や経験に頼った設計が7割と言われる製造業の研究開発をAIはいかに変えていくのでしょうか。 当レポートは、大学や航空宇宙系研究機関でも活用が進むデータドリブンな材料開発の裏側と設計・材料選定プロセスにおける工程時間を55%削減するヒントについて解説します。 ※詳しくはカタログをダウンロードしてご確認頂けます。 ※材料開発工程時間の55%削減は試算によるものです。
20nm class DRAMと0nm class 2Gb DDR3DRAMのセル構成を比較したレポートです。
「Samsung 20nm class 3GB(6x4Gbit) LPDDR3」の構造解析を再構成したものです。 主な目的は20nm class DRAMとそれの一世代前の30nm class 2Gb DDR3 DRAMのセル構成を比較するものです。（20nm classは単に”2X nm”と指定されています。） 【特徴】 ■6つの2X nm class4GBを使用しているチップ ■一つのパッケージ内に3チップスタック・2セットが対称に構成 ■パッケージの厚さ：6つのダイ構成で0.8mm その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。
研究開発の実験に伴う工数時間を55%削減！データドリブンな材料開発の秘訣を大公開
化学業界ではマテリアルズインフォマティクス(MI)に注目が集まり、開発にMIを取り入れる企業、研究者も徐々に増えています。 MIとは、化学産業のようなプロセス系の製造業における製品設計にデジタル技術を活用する試みを指します。 ビッグデータ、AI、機械学習などといったデジタル技術の進展により、膨大な数の実験や論文を解析して材料の配合を予測するなど、材料開発の効率を向上させることが可能です。 本レポートでは、マテリアルズインフォマティクス（MI）と製品配合の領域を超えた、さらなるAI活用の最新動向について解説しています。 また、先行してMIの取り組みを始めている、旭化成、住友化学、東レ、横浜ゴムといった大手企業の事例も収録。 ※実験に伴う工数時間の55％削減は試算によるものです。
【無料進呈】電子製品の開発時・他社の設計が分かるサンプルレポート進呈中！
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