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半導体デバイスなどのプロセス開発や不良解析への迅速なフィードバックを行うことが可能！
二次イオン質量分析(SIMS)は、全元素に対して高感度かつ高質量分解能測定での 深さ方向分析が可能です。 さらに当社では、試料導入から分析までの自動化機能を加え、高精度な自動測定が 可能になりました。 それによって、短期間で回答が求められる半導体デバイスなどのプロセス開発や 不良解析への迅速なフィードバックを行うことができます。 【特長】 ■高感度測定：Ag、In、Sbなどの重元素の高感度測定が可能 ■高質量分解能測定 ・M/△M＝～10,000 ・SiやSiO2中のP、Al、Fe、Niなどの汚染量評価が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
質量分析計には、磁場型・四重極型・飛行時間型などの種類があり、分析の目的に応じて使い分けます！
二次イオン質量分析(SIMS)は、ppbレベルの極微量不純物元素を 同定・定量できる非常に高感度な分析手法です。 スパッタリングしながら測定するため、膜中の不純物の深さ方向分布を 得ることができます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■磁場型SIMS：高感度が要求される不純物の評価に用いる ■四重極型SIMS：深さ方向分解能が要求される評価や、絶縁膜を含む 多層膜の評価に用いる ■飛行時間型SIMS：極表面にある極微量物質の分子構造レベルの評価、 表面の有機物などの汚染状態や微小異物の評価に用いる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
感度・定量に特化したSIMS(D-SIMS)にて高精度に成分評価する手法を確立！
ウェーハベベル部の成分評価は一般的にTEMやTOF-SIMSで行われていますが、 これらの手法はいずれも感度や定量に制限があり、微量の成分評価は困難と されてきました。 今回、新たに開発した専用治具を用いることで、感度・定量に特化したSIMS (D-SIMS)にて高精度に成分評価する手法を確立しました。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【技術概要】 ■傾けた不安定な状態の試料の位置ずれ、検出安定性の低下を 防止するために専用治具で固定 ■測定位置を高精度かつ自由度高く選択することができる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高感度・高質量分解能・高深さ方向分解能の3つの特長を備えるSIMS！
「高性能磁場型SIMS」は、すべての元素を高感度で深さ方向分析できる 装置です。 低エネルギー分析でも高感度かつ高質量分解能分析が可能な高性能SIMSに よって、難易度の高い、極浅領域における高精度な測定が可能となりました。 これにより、微細化や材料の多種多様化が進む半導体デバイスへ適用できる ようになりました。 【特長】 ■高感度測定(高い透過率) ■高質量分解能 ■極低エネルギー分析から通常分析まで様々な測定が可能 ■高輝度イオン銃搭載 ■高い繰り返し精度での自動測定、測定可能試料数25個 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
断面構造解析やTOF-SIMSによる深さ方向分析を実施！表面コート層から金属までの成分の分布状態や発色成分を確認可能
金属表面の印刷層のできばえ評価として、断面加工により金属との接合状態や 発色成分の分散状態を観察できます。 また、表面からTOF-SIMSのGCIBを用いた深さ方向分析を行うことで表面コート 層から金属までの成分の分布状態や発色成分を確認できます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【GCIB 特長】 ■イオンビーム1原子当たりのエネルギーが小さいため、有機膜などの 深さ方向分析に好適 ■膜の分子構造情報を反映した高質量数のフラグメントを検出可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
基板側からSIMS分析を行うバックサイドSIMS(Backside SIMS)についてご紹介！
SIMS分析において、高濃度層から下層膜への不純物拡散を評価する際には、 表面の凹凸やスパッタエッチングに伴い、高濃度層からのクレーターエッジ効果や ノックオンの影響を受けることがあります。 これらの影響を受けない評価方法として、基板側からSIMS分析を行う バックサイドSIMS(Backside SIMS)があります。 添付のPDF資料にて、Backside SIMSによりFが添加されたSiO2膜(FSG膜)から 下層SiO2膜へのFの拡散分布の評価についてご紹介しておりますので、 ぜひご覧ください。 【Backside SIMS原理】 ■裏面側のSi基板を研磨して薄くすることにより、裏面側からアプローチ できるようにする ■Si基板の残厚を制御して薄膜化することや、パターン付試料の任意領域を 薄膜化すること、SiO2層などのSiのエッチングを選択的に停止させる層が ある場合には、ウェットエッチングによりSi基板部分を全て除去することも可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
さまざまな酸化チタンの酸化状態の比較評価を行った例もご紹介！
当社で行う「Ti酸化物(TiOx)の酸化状態評価」についてご紹介いたします。 Ti酸化物のXPS分析では、内殻準位や価電子帯(Valence)スペクトルのピーク位置・ スペクトル形状・サテライトの位置から酸化状態を調べることが可能です。 添付のPDF資料にて、さまざまな酸化チタンの酸化状態の比較評価を行った 例をご紹介しておりますので、ぜひご覧ください。 【特長】 ■内殻準位や価電子帯(Valence)スペクトルのピーク位置・スペクトル形状・ サテライトの位置から酸化状態を調べることが可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
D-SIMSを用いてゲート酸化膜上層側からの不純物拡散を捉えることに成功！
GaNデバイスにおいて、ゲート酸化膜の前工程由来成分(不純物)の拡散は、 絶縁性不良の原因につながるため、その濃度分布や拡散源の特定が必要となります。 今回当社にて、薄膜加工したGaN化合物の表面に高い平坦性をもたせる技術を 開発しました。 それによりD-SIMSを用いてゲート酸化膜上層側からの不純物拡散を捉えることに 成功しました。 ※記事の詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
D-SIMSを用いてn-バッファ層厚・窒素(N)濃度を捉えることに成功！
SiC MOSFETでは近年、オン抵抗対策のため、n-基板とn-ドリフト層の間に 数百nmオーダのn-バッファ層が挿入されています。 n-バッファ層の評価では、深さ方向分解能を向上させるため、上層に位置する 数μmオーダのn-ドリフト層を薄膜化し、その表面を平坦化する必要があります。 今回当社にて、薄膜加工したSiC化合物の表面に高い平坦性をもたせる技術を 開発しました。それによりD-SIMSを用いてn-バッファ層厚・窒素(N)濃度を 捉えることに成功しました。 ※記事の詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
赤外線加熱により、試料のみを加熱するため、低バックグラウンド化が可能！
当社で行う「昇温脱離ガス分析(TDS)」についてご紹介いたします。 材料や部品から発生するガスを把握することにより、表面付着物、 工程改善策の確認や不具合発生原因の推定を行うことが可能です。 昇温脱離ガス分析(TDS)では、真空中で試料を昇温加熱した際に、 表面および内部から発生するガス種の同定(定性分析)やガス量の 半定量分析ができます。 【特長】 ■試料サイズ：10mm×10mm、4mm(厚さ)まで ■試料加熱雰囲気：高真空(10^-7Pa) ■温度 ・室温～1,400℃(試料ステージ温度) ・室温～約1,150℃(Si基板校正温度※) ※埋め込み熱電対による高精度な温度補正を実施 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
