更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
1～8 件を表示 ／ 全 8 件
定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完！より高性能な製品を提供します
『StrongIRFET2 パワーMOSFET』は、幅広いアプリケーションに対応する インフィニオンのMOSFET技術です。 低周波および高周波の両方のスイッチング周波数に好適。 当製品は、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な製品を 提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格/性能比 ■高いスイッチング周波数と低いスイッチング周波数に好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高い電力密度とエネルギー効率を実現！ベンチマークソリューションを提供します
『OptiMOS5 25Vおよび30VパワーMOSFET』は、2つのパーツを1つのOリング アプリケーションで交換できる半導体です。 当製品によりインフィニオンは、待機時およびフル稼働時の両方で高い 電力密度とエネルギー効率を実現し、ベンチマークソリューションを提供。 こうした最高クラスのMOSFETを、SuperSO8パッケージで提供しています。 【特長】 ■非常に低いオン抵抗RDS(on) ■100％雪崩テスト済み ■優れた耐熱性 ■Nチャネル ■鉛フリープレート、RoHS対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワー半導体とは/製造中止品(EOL品)の再生産
現在、世界中の様々な半導体メーカーが多くの資金を投じて、パワー半導体の研究開発や製造に取り組んでいます。中でも、パワーMOSFETやIGBTといった半導体製品に対する注目度は高くなっています。 ロチェスターエレクトロニクスでは、ルネサスのパワー半導体製品として、下記製品を取り扱っております。 ・トライアック・サイリスタ ・IGBT ・パワーMOSFET ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を販売しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
狭いVGS(th)レンジ！エクスポーズドパッドに特殊な仕上げをし、優れた熱伝導性を確保
『TOLTパッケージのOptiMOS5 80V/100V』は、高出力アプリケーションや 小型電気自動車などのメインインバーターに適した半導体です。 エクスポーズドパッドに特殊な仕上げをし、優れた熱伝導性を確保。 高出力性能を備えた電子制御ユニットが、以前にも増してパワーステージの 上面冷却で設計されているため、インフィニオンはこの新しい要件を サポートする専用パッケージで、MOSFETラインアップを補完しました。 【特長】 ■上面冷却に特化したTOLTパッケージ ■最小のRDS(on)は80Vで1.1mΩ、100Vで1.5mΩまで低下 ■低いパッケージ抵抗と浮遊インダクタンスの最小化 ■狭いVGS(th)レンジ ■様々なアプリケーションの電源要件に対応する多様なRDS(on)オプション ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
確かな経験と蓄積された技術により開発！各種整流ダイオードや高圧ツェナーなどを掲載
当カタログでは、当社で取り扱う半導体をご紹介しております。 小型薄型で、実装面積が小さい「一般整流ダイオード」をはじめ、 通信工業用として高い信頼性を有する「シリコンバリスタ」等を掲載しています。 高耐圧ダイオードモジュールは医療機器市場に、大電流ダイオードモジュールや スナバーモジュールは鉄道や産業機器に、表面実装ダイオードはカメラ・ 携帯機器・通信機器に、そしてカスタムモジュールは自動車に、幅広い分野で 採用されています。 【掲載内容（抜粋）】 ■一般整流ダイオード ■高速整流ダイオード ■超高速整流ダイオード ■シリコンバリスタ ■高耐圧整流ダイオード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（SiC）MOSFETトレンチ技術を採用
SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバーターをはじめ、蓄電システム、電気自動車（EV）充電、 モーター駆動、産業用電源など、様々なアプリケーションで活用可能です。 【特長】 ■当社従来比で主要性能数値を最大20％向上 ■高速スイッチング能力も最大30％以上向上 ■負荷に応じて最大5～30％低い電力損失で動作 ■定格650V、1200Vの製品を多数ラインアップ ※「CoolSiC MOSFET 650V G2」と「CoolSiC MOSFET 1200V G2」の アプリケーションノートを“PDFダウンロード”よりご覧いただけます。 お問い合わせもお気軽にどうぞ。
高電圧 電力変換システム用！様々な電力交換システムに適しています。
2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧 電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです 低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの構築を可能にします。 他の利点として、使用数量削減によりゲート駆動回路を構成する要素の減少も可能で、コストダウン、シンプルな設計による信頼性の向上、およびPCBスペースを節約し、小型化に貢献します。 【特徴】 ○高ブロッキング電圧 ○独自の高電圧パッケージ ○端子間の沿面距離増加 ○オン抵抗の温度係数が正 ○省スペース（デバイスの複数直列接続を削減） 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
SiC 半導体 金属- 酸化膜- 半導体（MOS）接合デバイス パワーデバイス ハードエレクトロニクス 量子効果デバイス
炭化ケイ素（SiC）は、熱酸化によって表面にSiO2 膜を形成できる上、8 インチウェハが量産化され、デバイス作製技術が発達している、Si 半導体並にデバイス応用のし易い半導体材料です。また、ワイドバンドギャップ、高い耐放射線性・耐熱性、堅牢といったダイヤモンドに良く似た性質も兼ね備えています。まさにSiC はSi とC（ダイヤモンド）の“いいとこ取り”をした材料です！ さらにここ数年間の研究により、SiC にはダイヤモンドNV センターによく似た単一欠陥が存在し、これを単一光子源やスピンとして利用することで、量子コンピューティングや量子フォトニクス、量子センシングに応用できる道のりが開かれています。
