1～2 件を表示 ／ 全 2 件
リークが小さく、高品質で、ワープも小さく、低い欠陥密度！費用対効果が高い材料としてご提供
半導体デバイスを製造するお客様には、Silicon-Silicon張り合わせ ウエハーを従来の厚エピや反転エピなど、パワーデバイスや PiNダイオード用に従来つかわれていたような材料にとって代わる、 費用対効果が高い材料として提供いたします。 直接ウエハーをボンディングする技術を使うと、様々な単結晶シリコンを 含むシリコン基板を作ることができます。 これらの抵抗レンジは1mΩ-cmから10kΩ-cmとなります。 【特長】 ■NタイプやPタイプの素材でオリエンテーション方向のアレンジ可能 ■リークが小さく、高品質で、ワープも小さく、低い欠陥密度 ■層の厚みのばらつきも+/-0.5um以下に抑える事が可能 ■高濃度から低濃度の遷移レベルもお客様のアプリケーションに 応じて鋭く、もしくはソフトなどに調整が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
100-200mmの貼付ウエハー（SOI,SiSi）や誘電体分離や高アスペクト比の深いトレンチエッチなどカスタム品を提供します
アイスモス・テクノロジーはMEMSや高度なエンジニアリング基板を提供するベストインクラスのサプライヤーです。 20年以上の経験をもとに、卓越した製造スキルと最新の技術的な開発で、アイスモスはすべてのお客様がお問合せから製品を受け取るまで優れたサービスをうけることをお約束します。 革新的な製品開発、デザインのご提案、特別なサービスなどエンジニアチームが技術的にサポートいたします。 既存製品がリストにない場合には、お客様とともに独自の特別な製品を開発もいたします。 それが弊社の強みとなるサービスです。 SOI = Silicon on Insulator SiSi = Silicon Silcon bonded DSOI= Double SOI DSP=Double Sided Polished CSOI=Cavity SOI Thin SOI TSOI=Trench SOI TSV=Through-Silicon Vias ファウンドリーサービス 是非お気軽にお問合せ下さい。 http://jp.icemostech.com/products.html
