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最終更新日:2022年12月28日

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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100-200mmの貼付ウエハー(SOI,SiSi)や誘電体分離や高アスペクト比の深いトレンチエッチなどカスタム品を提供します

アイスモス・テクノロジーはMEMSや高度なエンジニアリング基板を提供するベストインクラスのサプライヤーです。 20年以上の経験をもとに、卓越した製造スキルと最新の技術的な開発で、アイスモスはすべてのお客様がお問合せから製品を受け取るまで優れたサービスをうけることをお約束します。 革新的な製品開発、デザインのご提案、特別なサービスなどエンジニアチームが技術的にサポートいたします。 既存製品がリストにない場合には、お客様とともに独自の特別な製品を開発もいたします。 それが弊社の強みとなるサービスです。 SOI = Silicon on Insulator SiSi = Silicon Silcon bonded  DSOI= Double SOI DSP=Double Sided Polished CSOI=Cavity SOI Thin SOI  TSOI=Trench SOI TSV=Through-Silicon Vias ファウンドリーサービス 是非お気軽にお問合せ下さい。 http://jp.icemostech.com/products.html

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基本情報

弊社の専門技術に、ウエハーの貼り付けWafer Bonding、深掘り反応性イオンエッチング Deep Reactive Ion Etching(DRIE)、そしてウエハー研磨があります。 このDRIEを使ってトレンチエッチと埋め込みサービスをバルクシリコンやSOIウエハーなどに適用し,お客様へ独自の誘電体絶縁基板を提供いたします。 SOI材料は、テレコミュニケーション製品や光学デバイス、ICの絶縁や無接点リレーやMEMSセンサー向けマイクロマシーン構造体、アクチュエーター、スイスの高級腕時計産業へのシリコンパーツなどといった、幅広い分野において適用されております。 10年以上の経験をもとに製造のスキルと最先端の技術開発によって、お客様がお問合せから製品供給までの優れたサービスを受けることができるようお応えしていきます。技術チームが革新的な製品開発のためのデザインやサービスを提供いたします。ISO 9001・ISO14001/IATF16949 を継続的に回しながら社員教育を重視し、高度な技術産業として最新技術が獲得できるように努めます。

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用途/実績例

SOI MEMS/MST 生体分野 MEMS RF分野 MEMS 光エレクトロニクス スマートパワー アナログ IC 高級腕時計 TSOI MEMS ソリッドステートリレー光電発電機 太陽光発電セルと光電子デバイス・IC テレコム用高耐圧アナログIC 高パフォーマンスバイポーラ回路 スマートパワーIC 集積センサー DSOI MEMS/MST向けSOIソリューション 生体 MEMS RF MEMS 光エレクトロニクス/光マイクロマシーン DSP MEMS/MST 生体 MEMS RF MEMS 光エレクトロ二クス SiSi PIN ダイオード RF 減衰器 光検出器 X-ray 検出器 IR 赤外線センサー パワーデバイス エピ材からの置換 CSOI 圧力センサー マイクロフォン 慣性 MEMS マイクロ流体デバイス 共振器 Thin SOI RF フィルター 光エレクトロニクス 画像検出 ワイヤレスコネクション フレキシブル・ハイブリッドエレクトロニクス RF MEMS

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当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術プロセス、高度な技術基盤ウエハーやSOI(シリコンオンインシュレーター)、貼り付けシリコン基板を、高い費用対効果で提供するベストインクラスのサプライヤーとして2004年に設立いたしました。(米国本社、英国製造拠点、東京R&D拠点) 革新的な深いトレンチエッチを持つMEMS構造の高耐圧スーパージャンクションMOSFETを、シンプル且つ低コストプロセスで開発、実現しました。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。

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