リークが小さく、高品質で、ワープも小さく、低い欠陥密度！費用対効果が高い材料としてご提供
半導体デバイスを製造するお客様には、Silicon-Silicon張り合わせ ウエハーを従来の厚エピや反転エピなど、パワーデバイスや PiNダイオード用に従来つかわれていたような材料にとって代わる、 費用対効果が高い材料として提供いたします。 直接ウエハーをボンディングする技術を使うと、様々な単結晶シリコンを 含むシリコン基板を作ることができます。 これらの抵抗レンジは1mΩ-cmから10kΩ-cmとなります。 【特長】 ■NタイプやPタイプの素材でオリエンテーション方向のアレンジ可能 ■リークが小さく、高品質で、ワープも小さく、低い欠陥密度 ■層の厚みのばらつきも+/-0.5um以下に抑える事が可能 ■高濃度から低濃度の遷移レベルもお客様のアプリケーションに 応じて鋭く、もしくはソフトなどに調整が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【その他特長】 ■高い品質 ■低コスト ■低い欠陥密度 ■膜の均一性がよい ■マルチレイヤ― ■鋭い濃度遷移レベル ■10kΩ-cmまでの抵抗率 ■界面品質がよい（高解像サム検査による） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■高耐圧PINダイオード ■RF減衰器 ■光検出器 ■X線検出器 ■IR赤外線センサー ■高耐圧パワーデバイス ■エピ材からの置き換え ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術プロセス、高度な技術基盤ウエハーやSOI（シリコンオンインシュレーター）、貼り付けシリコン基板を、高い費用対効果で提供するベストインクラスのサプライヤーとして2004年に設立いたしました。(米国本社、英国製造拠点、東京R＆D拠点） 革新的な深いトレンチエッチを持つMEMS構造の高耐圧スーパージャンクションMOSFETを、シンプル且つ低コストプロセスで開発、実現しました。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。