SiSi ウエハーソリューション
リークが小さく、高品質で、ワープも小さく、低い欠陥密度！費用対効果が高い材料としてご提供
半導体デバイスを製造するお客様には、Silicon-Silicon張り合わせ ウエハーを従来の厚エピや反転エピなど、パワーデバイスや PiNダイオード用に従来つかわれていたような材料にとって代わる、 費用対効果が高い材料として提供いたします。 直接ウエハーをボンディングする技術を使うと、様々な単結晶シリコンを 含むシリコン基板を作ることができます。 これらの抵抗レンジは1mΩ-cmから10kΩ-cmとなります。 【特長】 ■NタイプやPタイプの素材でオリエンテーション方向のアレンジ可能 ■リークが小さく、高品質で、ワープも小さく、低い欠陥密度 ■層の厚みのばらつきも+/-0.5um以下に抑える事が可能 ■高濃度から低濃度の遷移レベルもお客様のアプリケーションに 応じて鋭く、もしくはソフトなどに調整が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
- 価格：応相談
