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加速電圧50kVで2nmの最小ビーム径を実現！※描画デモ可能
通信用半導体レーザーのDFB-LDの生産用に適したモデルです。微細加工性とレジスト感度のバランスがとれた50kV加速電圧を採用した主力製品です。 【特長】 ■単結晶ZrO/Wを採用したＴＦＥ電子銃 ■抜群のビーム電流安定性、ビーム位置安定性 ■加速電圧50kVで2nmの最小ビーム径を実現 ※描画デモできます。詳しくはお問い合わせいただくかPDFをダウンロードしてご覧ください。
微小放電がほとんど発生しない構造の鏡筒を新たに開発し、長時間安定稼動を実現しました
『CABL-UH』は、高加速電圧の採用により、レジスト内の電子線の 前方散乱が少なく、より微細な加工が可能な電子線描画装置です。 130kVの加速電圧は1段加速で生成し、従来の多段加速による電子銃よりも 短い構造となっています。この1段加速の設計により、低収差で クーロンぼけの少ない電子光学系が実現しました。 また、お客様の用途、予算に応じて110kV、90kVのラインアップも 揃えています。是非お問い合わせください。 【特長】 ■高加速電圧を採用 ■レジスト内の電子線の前方散乱が少ない ■より微細な加工が可能 ■大電流で高解像度の描画が可能 ※英語カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
