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PBNるつぼと石英アンプルは再使用が可能！炉体移動式のVGF炉をご紹介します
『MAT-150VGFHQ』は、炉体移動式のVGF炉で、かつヒ素圧1atm中で 育成するので容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが出来る 4インチ用縦型VGF製造炉です。 育成後のGaAsインゴットとPBN坩堝は、液体に浸漬することで分離します。 また、PBNるつぼと石英アンプルは、再使用が可能です。 【特長】 ■容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが出来る ■育成後のGaAsインゴットとPBN坩堝は、液体に浸漬することで分離 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
PBN坩堝等を入れた石英アンプルを封着！高真空排気装置で真空引きをします
『MAT-200VS』は、1ゾーン式・2分割型の石英アンプル真空封着炉です。 事前にアンプル溶着機で上下アンプルを溶接した石英アンプルを使用。 溶融GaAs多結晶、種結晶、As金属、PBN坩堝等を入れた石英アンプルの 封着を行います。 詳しくは、お問い合わせください。 【特長】 ■事前にアンプル溶着機で上下アンプルを溶接した石英アンプルを使用 ■溶融GaAs多結晶、種結晶、As金属、PBN坩堝等を入れた石英アンプルを封着 ■電気炉の中に石英アンプルを入れ、上部細管から真空引きを行う ■高真空排気装置で真空引きする ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
1500℃高温炉も製作可能！試験中のその場観察ができる雰囲気炉をご紹介
当製品は、既存の引張・圧縮試験機に設置(新設も可)できる摩擦力測定用の 雰囲気炉です。 試料の設置作業が容易。 水冷容器の表面温度は40℃以下となります。 また、側面の観察はプリズムで正面から観察することが可能です。 【特長】 ■試験中のその場観察が可能 ■圧縮と引張荷重で摩擦力 ■同時に計測(100g単位) ■1500℃高温炉も製作可 ■既存の引張・圧縮試験機に設置(新設も可) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
電気炉の企画・設計・製造・販売なら当社にお任せください
当社は、化合物半導体、電子材料用の研究開発者向けの特殊な結晶合成や 熱処理向けの炉メーカーとして研究試作用電気炉を取り扱っております。 酸化膜用から乾燥用、酸素分圧制御用など幅広く取り揃えております。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。 【ラインアップ】 ■研究試作用箱 型炉 ■研究試作用電気炉1～5 ■研究加圧式電気炉 ■研究試作用上面加熱炉 ■高温温度校正炉 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが可能な炉体移動式のVGF炉です
『MAT-200VGFHQ』は、石英管式炉体移動型の炉構造であるVGF製造炉です。 ヒ素圧1atm中で育成するので、容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが 可能。常用温度は1200℃、最高温度は1300℃です。 また、育成後のGaAsインゴットとPBN坩堝は、液体に浸漬することで分離します。 さらにPBNるつぼと石英アンプルは、再使用が可能です。 【特長】 ■育成後のGaAsインゴットとPBN坩堝は、液体に浸漬することで分離 ■PBNるつぼと石英アンプルは、再使用が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
ガスフロー式で、N2,O2ガスを流すことが可能！オプションにて第三のガスも流せます
『MAT-200KA』は、4”＆6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発された 電気炉です。 ガスフロー式で、N2,O2ガスを流すことが可能。 均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御されます。 また、オプションにて第三のガスを流すことができます。 【特長】 ■4”＆6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発 ■均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御される ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
