1～4 件を表示 ／ 全 4 件
Cu板における圧縮前後での変化を観察！圧縮前後の結晶粒径の半化を比較できます
EBSD(電子線後方散乱回折)法は、電子線照射により得られた反射電子回折 パターンから個々の結晶の方位情報を取得しマップ化したもので、さらに 定量的、統計的なデータとして結晶方位(配向性)のみならず結晶粒分布や 応力ひずみ等の材料組織状態を調べる手法です。 Cu板における圧縮前後での変化観察では、IQマップ、GRODマップ、 IPFマップ(Axis3方向)を使用し、圧縮前後の結晶粒径の半化を 比較することができます。 【特長】 ■個々の結晶の方位情報を取得しマップ化 ■結晶方位、結晶粒分布や応力ひずみ等の材料組織状態を調べる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
特長を当社のFT-IR、熱分解GC-MSを使用して分子レベルで解き明かしていきます！
アイテスでは『ナイロン6.10の構造解析』を行っています。 ナイロンはしなやかさを備え、絹に近い感触を持ち、その一方で、 「鋼鉄より強く、クモの糸より細い」という天然繊維にない高い強度や 耐久性を持ちます。 その特長を当社のFT-IR、熱分解GC-MSを使用して分子レベルで 解き明かしていきます。 【ナイロン6.10 界面重合反応機構】 1.塩素の電子吸引により隣接炭素の電子が不足 2.アミンの非共有電子が炭素を求核攻撃する 3.酸素原子が活性化して不安定な中間体を形成 4.塩化水素が脱離して、アミド結合を形成 5.界面重合が進み、ポリマー化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
TEM（透過型電子顕微鏡）は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。
TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、 あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の 解析を行う事ができます。
良品と静電気（ESD）破壊品の輝度・特性の比較、EMS顕微鏡による発光解析事例をご紹介します！
当社では、静電破壊した橙色LEDの不良解析を行っております。 ESD試験にて破壊され、発光強度の低下したLEDはエミッション発光と IR-OBIRCH法を用いて解析し、不良現象を明らかにすることが可能です。 「良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性比較」や「エミッション 顕微鏡による発光解析」などの事例がございます。 【解析例】 ■良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性⽐較 ・砲弾型LEDのレンズ部を研磨にて平坦化し、輝度比較を行ったところ、 ダークエリアが観察された ■エミッション顕微鏡による発光解析 ・ESD破壊品は順バイアスでダークエリアが観察され、逆バイアスで 破壊箇所のみが発光した ■IR-OBIRCHおよびSEI解析 ・ESD破壊品のIR-OBIRCH解析により詳細な破壊箇所が特定できた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
