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EBSD法によるCu結晶解析

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最終更新日:2025年06月26日

株式会社アイテス
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Cu板における圧縮前後での変化を観察!圧縮前後の結晶粒径の半化を比較できます

EBSD(電子線後方散乱回折)法は、電子線照射により得られた反射電子回折 パターンから個々の結晶の方位情報を取得しマップ化したもので、さらに 定量的、統計的なデータとして結晶方位(配向性)のみならず結晶粒分布や 応力ひずみ等の材料組織状態を調べる手法です。 Cu板における圧縮前後での変化観察では、IQマップ、GRODマップ、 IPFマップ(Axis3方向)を使用し、圧縮前後の結晶粒径の半化を 比較することができます。 【特長】 ■個々の結晶の方位情報を取得しマップ化 ■結晶方位、結晶粒分布や応力ひずみ等の材料組織状態を調べる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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EBSD法によるCu結晶解析

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【Cu板における圧縮前後での変化観察】 ■IQマップ ■GRODマップ ■IPFマップ(Axis3方向) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【EBSDによる解析例】ビア

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【EBSDによる解析例】高融点はんだ

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【EBSDによる解析例】Chip

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銅端子の断面観察とSEM/EDXによる元素分析

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【EBSDによる結晶解析】 アルミ溶接部(スポット溶接)

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【EBSDによる解析例】シリコンウエハ

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SACはんだとNiパッド界⾯の化合物の解析例

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SACはんだとNiパッド界⾯の化合物の解析例

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Sn-Ag-Cu系はんだとNiPパッド界⾯に形成される化合物の解析例をご紹介 いたします。 NiPパッドとSn-Ag-Cu系はんだの界面には(Ni,Cu)3Sn4や(Cu,Ni)6Sn5等 の化合物が成⻑しており、EDXによる面分析では化合物中にNiやCu、Snの 分布が⾒られます。 EBSD法は試料の持つ結晶構造の情報を基に解析する手法です。 EDXによる元素分析と合わせて解析することで組成を推定することができ、 Ni3Sn4やCu6Sn5の結晶データを代用して解析することが可能な場合があります。

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アイテスは、日本アイ・ビー・エム野洲事業所の品質保証部門を母体として1993年に設立されました。 日本アイ・ビー・エム野洲事業所での最先端電子部品の不良解析・信頼性保証で培った技術力を基盤にして、半導体、ディスプレイ、有機EL、太陽電池、電子部品の開発・製造を支える様々な商品、サービスを国内、海外のお客様へ提供してまいりました。

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