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放射性汚染を最小限に抑制！用途に応じたプラズマ励起技術を提案可能
『PUPIONシリーズ』は、プラズマイオン注入装置です。 ナノエレクトロニクス・フォトニクスでのShallow depth dopingや β放射線医療のグレードの放射性同位。 放射性同位元素注入時の放射性汚染を最小限に抑制し、 用途に応じたプラズマ励起技術の提案が可能です。 【特長】 ■ナノエレクトロニクス・フォトニクスでの Shallow depth dopingやβ放射線医療 ■グレードの放射性同位 ■放射性同位元素注入時の放射性汚染を最小限に抑制 ■用途に応じたプラズマ励起技術を提案可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
半導体の特性の決め手となるイオン注入の一連の流れをイラストを用いて解説します。
当資料では、イオン注入の基礎として、目的、装置、その評価についてイラストにてご紹介しています。 株式会社イオンテクノセンターでは、研究開発のためのサンプル作製から 量産請負まで、半導体の前工程のプロセスの受託サービスを行っています。 イオン注入でお困りでしたら、是非当社にお任せください。 【掲載内容】 ■イオン注入の基礎知識
イオン注入・分析のよくあるご質問をQ&A形式でご紹介しています
イオンテクノセンターは、先端材料へのイオン注入サービスを行っております。 資料では、イオン注入・分析のよくあるご質問をQ&A形式でご紹介。 「イオン注入とは？」をはじめ、「アモルファスとは？」や 「サンプルなどの情報の機密保持は？」等、様々なご質問にお答えしています。 【掲載内容（抜粋）】 ■Q.イオン注入とは？ ■Q.イオン注入できるサンプル、ウェハの大きさや種類を教えてください。 ■Q.イオン注入を立ち合いで確認することはできますか？ ■Q.アモルファスとは？ ■Q.サンプルなどの情報の機密保持は？ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Various implanter line-up for your various requests
We can perform ion implantation processing under various conditions according to customer requirements, with a wide variety of samples from chips to 12-inch wafers. The implantation conditions range from 10 to 8,000 KeV, from room temperature to high-temperature heating (600 ° C), and about 60 types of ionic species can be handled.
露光された表面の電気的特性を変化！半導体の回路形成についてご紹介
当社の半導体における、回路形成「イオン注入」についてご紹介します。 「イオン注入」は、半導体素子を形成するために チップ製造中に何度も使用。 イオン注入中ウェーハは、ドーパントと呼ばれる帯電した イオンのビームによって衝撃を受け、露光された表面の 電気的特性を変化させます。 【特長】 ■半導体素子を形成するためにチップ製造中に何度も使用 ■露光された表面の電気的特性を変化 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
IonPOWDERによる粉体の革新的な表面処理。 粉体へのイオン注入(Ion Implantation)で表面改質を実施。
特徴 ･多種のガスが使用可能（Ar, He, N2, O2, SiH4, 混合ガス） ･装置はレシピで動作可能 ･PVD(physical vapor deposition)機構も、増設できます。 プロセスの利点 低温表面処理：元の材料特性が保持されます。 コーティング不要：イオンが深部までで注入されるため、表面は剥がれません。 部品の形状を尊重：追加の加工が不要です。 精密で局所的な表面処理：プロセスの最適化が可能です。 サンプルの電気伝導性：問いません。絶縁材料も処理可能です。 環境：ドライプロセスなので、化学的な廃棄物はありません。 イオン注入の効果 鋼材：表面硬化（ステンレス鋼で4倍）、優れた耐摩耗性。 ステンレス316L：摩擦係数が1/2に、ピッチング耐性が10倍に向上。 アルミニウム：表面硬化（7倍）、摩擦係数の大幅な低減、高い腐食抵抗性。 銅および銅合金：酸化および摩耗に対する強い耐性、表面硬化（4倍）。 金：表面硬化（7倍）、密度の増加、電気めっき層の気孔率の大幅な低減。
イオン注入・成膜・分析の技術と設備をさまざまな分野のイノベーションにつなげる
株式会社イオンテクノセンターは、時代の求めるプロフェッショナル 集団として、前身であるイオン工学研究所の事業を引き継いだ形で 誕生いたしました。 特にイオン注入、成膜、分析を中心とした技術と設備を備えた先端の 研究開発を行い、日本を代表する創造的ラボラトリーをめざします。 【事業内容】 ■イオン工学に関する研究開発受託 ■イオン工学に関する装置による金属、セラミックス、半導体材料等の 表面処理等の加工 ■物理分析評価サービス業務 ■技術情報提供サービス業務 ■大学及び研究機関における研究成果および特許権、実用新案権、意匠権、 商標権等の産業財産権その他無形財産権の事業支援とその仲介 ■測定器、分析器等精密機械器具の企画、開発、製造、販売並びに技術指導 及び研究に関する業務の受託 ■電子部品及び自動制御機器の企画、開発、製造、販売並びに技術指導及び 研究に関する業務の受託 ■経営コンサルティング業務 ※詳しくは外部リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低エネルギーから8MeＶまでの多彩な注入装置を完備しております。
室温でのイオン注入はもちろん、世界で数社のみが対応可能な高温でのイオン注入では、トップレベルの技術力と設備を誇ります。 弊社では、チップ小片から300ｍｍ（12インチ）径ウエハまで多種多様なサンプル及び、お客様からのご要望に合わせて各種条件での注入処理が可能です。注入条件は10～8,000KeVまで、室温から高温加熱（600℃）まで、イオン種は約60種の対応が可能です。
