更新日： 集計期間:2025年11月05日～2025年12月02日
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8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD22206W』
この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計されています。 低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスは バッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。 【特長】 ■非常に低い抵抗 ■1.5mm×1.5mmの小さな占有面積 ■鉛不使用 ■ゲートESD保護 ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。
ハロゲンフリーで同期型アプリケーションに最適化！産業機器向けのパワーMOSFETをご紹介
『OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V』は、ロジックレベルのゲート駆動を必要とする アプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供します。 オン抵抗とメリットの数値が改善されたため、高効率な設計ができ、 熱設計も容易。並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にも つながります。 インフィニオンの先端の薄型ウェハー技術で、大幅な性能向上が可能です。 【特長】 ■Nチャネル：エンハンスメントモード ■超低オン抵抗 RDS(on) ■優れた熱抵抗 ■175℃定格 ■100%アバランシェ試験済み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
部品点数の削減、システムコストパフォーマンスを最大化！きわめて高い信頼性
TOLTパッケージの『CoolSiC Generation2 650V』は、最高クラスの スイッチング性能を活かし、さらに上面放熱の様々な利点も備えている MOSFETパワー半導体です。 今回、CoolSiCおよびCoolMOSですでに利用可能なQDPAKを加えて、完全な ディスクリート上面放熱ソリューションが実装可能になったことにより、 さらに優れた放熱性を備え、システムコストの削減と簡素化、 アセンブリコストの低減を実現します。 【主な特長】 ■優れた性能指数(FOM) ■高い堅牢性と総合的な品質 ■広い駆動電圧範囲 ■ユニポーラ駆動に対応 VGS(off)＝0 ■すべての8x8FET製品とピン互換 ■.XT相互接合技術によるパッケージの改善 ■熱サイクル(TCoB)4倍向上 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
電源用途に向けたパワーMOSFET製品の製品紹介
【BOOST MOS】 用途：昇圧型DC-DCコンバータ等 パッケージ：TO-252、TO-220FP 耐圧：100V～250V 特徴：低R<sub>DS(ON)</sub>、高電流対応、低Qg 【BUCK MOS】 用途：降圧型DC-DCコンバータ パッケージ：TO-220FP 特徴：超低オン抵抗（5.3mΩ～） 【SR MOS（シンクロナス整流用MOS）】 用途：整流段における効率向上 特徴：高速スイッチング、低Qg 【Power Saving MOS】 超低電流用（例：0.033Aクラス） 小型SOT-23パッケージ 【Power Switch MOS】 用途：電源ラインのON/OFF制御 パッケージ：DFN3x3、SOP-8など多様 特徴：低オン抵抗・高電流制御対応 【Signal Switch MOS】 小電流・低電圧向けスイッチ用途 超小型パッケージに対応（SOT-23など） 【GaN/SiC WBGデバイス】 GaN HEMTおよびSiC SBD（ショットキーバリアダイオード） 650Vクラスなどの高耐圧製品を予定
オンセミコンダクター製品の継続供給サポート/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターエレクトロニクスは、オンセミコンダクターより認定された正規販売代理店及び製造メーカーです。 パワー、アナログやインテリジェント・センシング・ソリューションなど70億個以上の在庫を保有し、オンセミ製品の継続供給をサポートしています。 オンセミはモトローラの半導体製品部門がスピンオフとして1999年に設立、ロチェスターエレクトロニクスとはその以前1981年からパートナーシップを組んでいます。 さらに、近年Catalyst、 SanyoそしてFairchildの買収により、これらのレガシー製品の継続供給も可能になりました。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。
電動車向けパワー半導体製造で躍進目覚ましい
当社は、「富士電機（株）の”パワー半導体”事業戦略と今後の展開」のセミナーを開催します。 炭素中立を目指す世界的な再エネ化・省エネ化、電化・電動化の潮流の中で、富士電機は近年電動車向けおよび再エネ・省エネ向けパワー半導体に力を入れ伸長させてきている。欧米日を主とした世界の強豪がひしめき、中国メーカーも勢力を伸ばしてきているパワー半導体市場の中で、特に電動車向けパワー半導体を伸長させてきた富士電機のパワー半導体の事業戦略と今後の展開について、現在の主力パワー半導体であるIGBTと今後の成長が期待されるSiC MOSFETの市場動向と技術動向を含めて詳説する。 【セミナー詳細】 ■開催日時：2024年11月25日(月) 13:30 - 15:30(開場13時) ■会場：JPIカンファレンススクエア ■住所：東京都港区南麻布5-2-32 興和広尾ビル ■受講方法：会場、ライブ配信、アーカイブ配信 ■講師：富士電機株式会社 半導体事業本部 フェロー（工学博士） 藤平 龍彦 氏 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
コンパクトでありながら優れた熱性能！車載60VMOSFETファミリーをご紹介
『IAUZ40N06S5L050/IAUC41N06S5N102』は、低いRDS(on)、QG、ゲート容量で 先端の性能を提供する車載60VMOSFETファミリーのOptiMOS 5新製品です。 既存の製品ファミリーに加えて、業界標準の小型パッケージのS3O8(3x3mm2)と SingleSS08(5x6mm2)の2つが加わりました。 異なるボードネットに対して統一されたプラットフォーム コンセプトを 目指す場合、お客様の開発コストを削減することができます。 【特長】 ■スイッチング動作の最適化 ■高負荷対応の銅製クリップ ■最大41Aまでの電流負荷 ■コンパクトでありながら優れた熱性能 ■EMC性能の改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ダイオード、サイリスタ、MOS-FET、IGBT、スイッチング電源、ノイズフィルターなどさまざまな電子部品を取扱っています。
株式会社ユニカは、神奈川県秦野市にある日本インター株式会社の 製品を中心に、コーセル製品、LSIクーラー製品、LEM製品等、 さまざまな製品の販売を行う会社です。 【事業内容】 ■日本インター株式会社製品の販売（専属代理店） ■コーセル製品、LSIクーラー製品、LEM製品等の販売 ■プリント基板回路設計、パターン設計受託、基板製作、 部品実装受託、実装部品のとりまとめ受託 ※詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
MOSFET、IGBT、FRDチップの自社設計～製造を行う韓国・マグナチップ社をご紹介
当社では、『韓国・マグナチップ社製品の販売』を行っております。 マグナチップ社は、ANALOG-MIXED SIGNAL向けファンドリービジネスを はじめ、DISPLAY用ドライバ－ビジネス、POWER SOLUTIONSビジネスの 3つの事業部にて事業を展開している半導体メーカーです。 MOSFET、IGBT、FRDチップは全て自社設計、自社製造です。 【主な製品】 ■LED driver IC ■DC-DC converter IC ■AC-DC converter IC ■VCM driver IC ■Analog Switch IC ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
1500万以上のIR製品在庫を保持！「TC1130」の継続供給をサポートしています/製造中止品(EOL品)の再生産
当社は、長期にわたりインフィニオンテクノロジーズと契約、 メーカー認定の正規販売代理店及び製造メーカーとして、製造中止品(EOL)や 現行品の継続供給をサポートしています。 2億個以上のインフィニオン製品在庫とTC1130ファミリーなど継続供給 サービス及び製造をサポートしています。 【特長】 ■製造中止品(EOL)や現行品の継続供給をサポート ■2億個以上のインフィニオン製品在庫とTC1130ファミリーなど 継続供給サービス及び製造をサポート ■1500万以上のIR製品在庫を保持 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※詳細はぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。
汎用の低耐圧から1000V以上の高耐圧まで幅広いラインアップ！SiCや話題のGaNなどライアップ拡充中！他社相当品も豊富！
Potens(ポテンツ)は2012年9月に設立された台湾のFABレスメーカーです。 パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしています。 ＜10V耐圧～100V耐圧MOSFET＞ CSP MOSFETやDouble Trench構造MOSFETを中心に、300品種以上を保有。 ＜100V耐圧～1000V耐圧＞ Double Trench構造MOSFETやIGBT、GaN、Super Junctionなど500品種以上を保有。SiC SBDも保有。 ＜1000V耐圧以上＞ SiCを中心に100品種以上を保有。 国内外メーカーの代替品となる製品もございますので、 EOL等での置き換えが必要な際には、ぜひお問い合わせください。
パワー半導体FET 低耐圧 MOSFET 高耐圧 SJ MOSFET 添付資料をダウンロード！お気軽にお問い合わせく下さい！
ポテンツセミコンダクター社は2012年9月台湾にて設立した会社です。 パワー半導体を中心に製品展開を行っています。 新規設計や、代替え品として、検討ください。 国内外メーカーの代替品となる製品もございますので、EOL等での置き換えが必要な際には、ぜひお問い合わせください。 技術サポートの特色として、20年以上の半導体開発経験を持つ半導体開発チームと 電源メーカで設計技術を蓄積してきたメンバーで構成した応用技術チームが連携し、 お客様が採用する過程で発生しうる技術的な課題（回路構成、効率、ノイズ、発熱等）に対してもお客様と一緒に解決してまいります。 また低耐圧製品から高耐圧製品（600V - 1500V)まで幅広いラインナップを取り揃えています。 製品ラインナップ製品は、 低耐圧から高耐圧品まで用意しています。 ・MOSFET ・IGBT ・Super Junction ・SiC ・Gan ◇カスタム設計対応 お客様のご要望に合せ回路/レイアウト設計サービスを提供出来ます。 是非、お問い合わせください。
低耐圧FETから、高耐圧(1500V)まで各種製品を揃えています。 高耐圧FET製品のクロスリファレンス配布しています。
Potens(ポテンツ)は、2012年9月に設立された台湾FABレスメーカーです。 汎用の低耐圧から1000V以上の高耐圧まで幅広いラインアップがあり、 SiCや話題のGaNなどライアップ拡充しており、他社相当品も豊富！ パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしています。 ＜10V耐圧～100V耐圧MOSFET＞ CSP MOSFETやDouble Trench構造MOSFETを中心に、300品種以上を保有。 ＜100V耐圧～1000V耐圧＞ Double Trench構造MOSFETやIGBT、GaN、Super Junctionなど500品種以上を保有。SiC SBDも保有。 ＜1000V耐圧以上＞ SiCを中心に100品種以上を保有。 国内外メーカーの代替品となる製品もございますので、 EOL等での置き換えが必要な際には、ぜひお問い合わせください。
アバランシェ降伏、UIS試験回路と波形など！パワーMOSFETのアバランシェ耐量試験について解説
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ アバランシェ試験で測定するアバランシェ耐量とは、パワーデバイスに 耐電圧以上の電圧を印加していくと急激に電流が流れはじめ破壊に至って しまうのですが、どのくらいのエネルギーまで耐えられるかということを指します。 当レポートでは、アバランシェ降伏やUIS試験回路と波形について 図を用いて解説。 万が一アバランシェモードに入った場合であっても問題ないかを 検証するために、パワエレ回路設計を行う際にはパワーMOSFETの アバランシェ耐量を調べておく必要があります。 【掲載内容】 ■アバランシェ降伏のイメージ図 ■アバランシェ耐量を測定する試験回路と波形 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高電圧 電力変換システム用！様々な電力交換システムに適しています。
2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧 電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです 低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの構築を可能にします。 他の利点として、使用数量削減によりゲート駆動回路を構成する要素の減少も可能で、コストダウン、シンプルな設計による信頼性の向上、およびPCBスペースを節約し、小型化に貢献します。 【特徴】 ○高ブロッキング電圧 ○独自の高電圧パッケージ ○端子間の沿面距離増加 ○オン抵抗の温度係数が正 ○省スペース（デバイスの複数直列接続を削減） 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
