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ガスのセンシングに最適！1000-2660nmまでの波長レンジを持つフォトダイオード
1000-2600nmフォトダイオード「1000-2600」は、 1000-2660nmまで波長レンジを持つフォトダイオード。 受光面は1-3mm、パッケージはTO-5です。 ガスのセンシングに使用します。 【特長】 ■スペクトル応答レンジ：1000-2600nm(typ) ■ピーク感度波長：1880nm(typ) ■応答性：0.9A/W(max) ■逆電圧：2V(max) ■暗電流：1.9mA ※詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。 ※カタログは英語版となります。
GPD社は、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオード、赤外フォトディテクタを製造している世界的な会社です
■有口径：0.3mm～5mm ■波長：0.5～1.7μm ■リニアオペレーション ■低暗電流、高感度 ■ファイバピグテール(シングルモード／マルチモード) ■パッケージ：TO-46、TO-18、TO-5、TO-8
Two-Color Sandwich PD
■InGaAsの上にSi(1.7、2.05、2.2、2.6μm) ■上部受光部有効径：2.0mm又は5.0mm ■下部受光部有効径：1mm、2.0mm又は3.0mm ■InGaAs(1.7、2.05、2.2、2.6μm)の上にInGaAs(1.7μm) ■下部受光部有効径：1mm又は2.0mm ■標準パッケージ：TO-5、TO-8
InGaAS Quadrant PD
■波長レンジ：800nm～1700nm ■有効径：0.5／1.0／1.5／2.0／3.0mm ■高感度 ■高シャント抵抗 ■低暗電流 ■高セグメント帯域幅向け低容量 ■標準パッケージ：TO-5、TO-18
Large Area InGaAs PD
■有口径：0.5mm～5mm ■カットオフ波長：1.7μm ■高感度用シャント抵抗 ■各種レンズ選択可能：両凸レンズ、片平レンズ、ボールレンズ ■光学フィルタ：濃度及びバンドパスフィルタ ■パッケージ：TO-46、TO-18、TO-5、TO-8
VCSEL光通信用に最適なGaAs PIN-フォトダイオード(TO-46 Can／ROSA対応)
■最大25Gbpsまで対応 ■SC／LCレセプタクル対応ROSA or TO46-CANパッケージでの提供が可能 ■ボールレンズ or ドームレンズ付き／TIA付き
◆感度範囲：400nm～1100nm◆はんだ付け可能チップフォトダイオード◆太陽電池等◆光導電性（太陽電池）はんだ付け可能チップ
■大きい有効径 ■豊富なサイズ ■高シャント抵抗 ■リード付又はリード無し 大きな活性面積光検出器または検出器は「使い捨て」とみなされる場合を必要とするアプリケーションに低コストのアプローチとなります。ハンダ付けリード付きまたはスタンドアロンのベアダイとして使用できます。感度範囲は400nm～1100nmです。
◆高速70μm InGaAsフォトディテクター◆TO-46パッケージで密閉したTIAとディテクターを結合
FCI-H155/622M-InGaAs-70シリーズは、広範囲なトランスインピーダンスアンプを備えた高速70μm InGaAsフォトディテクターです。4 ピン TO-46パッケージで密閉したTIAとディテクターを結合することで、高速シグナルディテクションとアンプの理想的な状態を提供します。 【モデル名：アクティブエリア(直径)・応答度1310nm・応答度1550nm・ダークカレント・キャパシタンス・ライズタイム・逆電圧】 ●FCI-InGaAs-70：70 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.03 nA、Vr=5.0V・1.5 pF、Vr=5.0V・0.2 ns、Vr=5.0V・20 V、max ●FCI-InGaAs-120：120 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.05 nA、Vr=5.0V・2 pF、Vr=5.0V・0.3 ns、Vr=5.0V・20 V、max ●FCI-InGaAs-300：300 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.3 nA、Vr=5.0V・10 pF、Vr=5.0V・1.5 ns、Vr=5.0V・15 V、max
◆Nd:YAG感度 高耐電圧 ◆大きい有効径 ◆高速感度 ◆高精度 ◆低電気容量、低ノイズ、高速操作が可能
◆YAGレーザー出力光の位置検出用 ◆1060nmで高感度に最適化されたフォトダイオード ◆高い逆バイアス電圧(200ボルト)で操作 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。 長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
◆石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージ ◆低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇
◆波長感度は200nmから1100nm 石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージされた、それらのディテクターは200nmから1100nmの波長感度です。 それらは、低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇することができます。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
◆プラスチックカプセル化されたフォトダイオード ◆高品質、高信頼性 ◆高密度パッケージ ◆強固なモールドパッケージ
・低暗電流 ・標準リード ・SMT ・モールドレンズ ・横向きあり ・チップ上にフィルター(700nmカットオフ） OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち30年以上の経験があります。当社は大量生産の要件を満たすための効率的な製造と優れたエンジニアリングソリューションを作り出し続けています。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
◆GaAsフォトダイオード ◆GaAsを基にした半導体の光センサ ◆400から850nmに感度があり
アクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。 一般的に400から850nmに感度があります。 【フォトダイオードアレイ】 FCI-GaAs-XXmは、高速ファイバーレシーバやアプリケーションモニタ用にデザインされた4 から 12素子のGaAs PINフォトディテクターアレイです。 ●仕様 ［モデル名：アクティブエリア・応答性・キャパシタンス・ダーク・カレント・最大逆電圧・最大フォワードカレント・バンド幅・ブレイクダウン・電圧・パッケージ］ ・FCI-GaAS-4M：70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-4M ・FCI-GaAS-12M：70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-12M
本製品はドイツ FirstSensor社が開発したγ線、β線 放射線検出用フォトダイオードです。
本製品はドイツ First Sensor社が開発したガンマ線、ベータ線 放射線検出用フォトダイオードです。 受光面積が10 ｘ1０ｍｍと大きく、また黒エポキシで斜光しており 感度向上とノイズ低減対策しております。 ピンタイプ、SMDタイプの両方を用意しており 実験、量産用と対応しております。
軟Ｘ線〜UV領域での内部量子効率がほぼ100％
OPTO DIODE(旧IRD)社は米NIST・LLNL他研究機関と共同で、軟Ｘ線〜ＵＶ領域において内部量子効率がほぼ100％のSiフォトダイオードを開発しました。 取扱い易く、小型のSiフォトダイオードは、高光エネルギー研究分野のみならず、エレクトロン・イオンの領域においても期待されています。
シリコン・フォトダイオードチップをメタルパッケージに組み込みました！
シリコンフォトダイオード KD834は、プレーナータイプのシリコン・フォトダイオードチップをメタルパッケージに組み込んだフォトダイオードです。 高感度フォトダイオード（λp：900nm）を使用し、TO-18メタルパッケージで高性能・高信頼性があります。また、RoHS対応品もご用意しています。 フォトセンサ用受光素子、光電スイッチ用受光素子などの用途に適しています。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
