更新日： 集計期間:2025年10月15日～2025年11月11日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年10月15日～2025年11月11日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年10月15日～2025年11月11日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
31～45 件を表示 ／ 全 46 件
GPD社は、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオード・赤外フォトディテクタの製造を行っています
■小から大口径まで各種：100μm～25mm ■波長感度域：800nm～1800nm ■高直線性：>10dBm ■各種レンズ選択可能：両凸レンズ、片平レンズ及びボールレンズ ■光学フィルタ：濃度フィルタ及びバンドパスフィルタ ■シングル及びデュアルステージの電子冷却可能 ■4分割フォトダイオード ■2色(Si/Ge)サンドイッチフォトダイオード ■カスタム付属品付パッケージ可能：ファイバピグテール、高信頼性ピグテール、レセプタクルとサブマウント ■各種パッケージ：TO-46、TO-18、TO-5、TO-8、TO-9、BNC
◆逆バイアス状況下で駆動◆大口径、四角形もラインナップ◆低ダークカレント◆シリコンPINフォトダイオード◆ピーク波長約940nm
■スペクトル検出範囲：400nm～1100nm LD-PDはMIL-I-45208に準拠した検査システムを導入しており、 Telcordia試験要件（TA-NWT-00093）およびMIL-STD-883試験方法に準拠しています。 【パラメータ：Typical値・シンボル・試験条件】 ●丸形φ0.2～φ8.0mm ディテクタサイズ(mm)：φ0.2、φ0.5、φ1、φ2、φ4、φ5、φ8 応答波長範囲(nm)：400 – 1100・λ 応答性(A/W)：0.40、0.45、0.5、0.5、0.5、0.5、0.55・Re・VR=15V、λ=900nm 応答時間(nS)：2、5、6、8、15、15、25tr・VR=15V、RL=50Ω 暗電流(nA)：1、2、3、5、12、40、60・ID・VR=15V 逆電圧(V)：100・VB・IR=10μA 静電容量(pF)：0.8、1.2、2.0、6、20、30、70・Cj・f=1MHz、VR=15V 動作電圧(V)：0～15・VR ソケット：Coaxial/TO-46/TO-5/TO-8 飽和光パワー：0.3w/cm2
■広いアクティブエリア■高い感受性■強い耐久性■ワイドアングル■チップオンPCB
◆メディカル向けセンサー◆各種光センサー◆選べる４パターン SPO2（動脈血酸素飽和度）を測定するための受光用フォトダイオードです。これらのフォトダイオードはスマートフォン，スマートウォッチ，メディカル端末に組み込まれ使用されます。 SJ SYSTEMはSPO2（動脈血酸素飽和度）をパルスオキシメーターで計る技術の専業メーカーであり、SPO2向けにLEDモジュール，PDモジュール，反射モジュールの製造販売を行っています。これらの製品はヘルスケアフィールドで使われ、スマートフォン，スマートウォッチで使用されております。
◆ラージアクティブエリア ◆ビームの移動確認等に最適 ◆センサー用途
FCI-InGaAs-QXXXシリーズは、アクティブエリアを大口径にしたInGaAsフォトダイオードです。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
◆1次元または2次元アクティブ領域効果 ◆アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能 ◆ポジションセンシング
セグメント化され、1次元または2次元アクティブ領域に横効果PSDが利用できる。 幅広いアプリケーションに適合するように、アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能。 横効果のPSDが広い横方向の変位を測定するのに最も適しているのでセグメント化された検出器は、典型的には、ビームヌルアプリケーションで使用される。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
◆大口径アクティブエリアサイズ ◆波長帯：1100-1620nm ◆IR感度ディテクター
アクティブエリアサイズが1mm,1.5mm と 3mmのFCI-InGaAs-XXX-Xシリーズは、OSI Optoelectronics社の1100nm から1620nmで素晴らしい応答性があるIR感度ディテクター(弱いシグナル感度もあります。)の一部です。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
ウルトラフラットで広帯域なスペクトル特性！タップおよびパワーモニタ機能を内蔵
当製品は、薄膜タップのウルトラフラットな分光感度と、 パワーモニター用の高感度PINフォトダイオードを組み合わせた ハイブリッドコンポーネントです。 2つの機能を1つの温度安定性のあるデバイスパッケージを使用。 PMファイバーのピグテールを使用した信号またはポンプ・レーザー・ソース のパワー・モニタリングなどにご利用いただけます。 【特長】 ■ウルトラフラットで広帯域なスペクトル特性 ■タップおよびパワーモニタ機能を内蔵 ■コーニング社製SMF-28または偏波保持ファイバ ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ハロゲンフリー対応！小型な光学ユニットへの搭載に適したSiフォトダイオード
『CP0174AL』は、可視光から近赤外光まで（400nm～1000nm）のレーザ 及びLEDなどの光量を測定することができるフォトダイオードです。 受光部のサイズは0.7mm×0.7mmで、ハロゲンフリーに対応します。 小型パッケージ COB-2PIN（2.2mm×1.22mm）の採用により、 ピコプロジェクターなどの小型な光学ユニットへの搭載に好適です。 【特長】 ■感度：0.26A/W@405nm 0.44A/W@700nm ■受光部サイズ：0.7mm×0.7mm ■小型、薄型パッケージ：2.2mm×1.22mm×1.0mm COB-2PIN ■半田リフロー対応 ■鉛フリー対応 RoHS対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
UV-C光を用いた除菌、殺菌、消毒の照射パワーモニターに好適
UV-C帯域の紫外線（200～280nm）の光パワー測定に対応したシリコンフォトダイオードです。 独自パッケージの採用により、低コストを実現しました。 【特徴】 ■UV-C光の検出が可能 ■小型表面実装パッケージ 3.5x3.0mm ■鉛フリー ■半田リフロー対応 ■光学フィルターとの組み合わせて、UV-C以外の光を受光することも可能 ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。
◆GaAsフォトダイオード ◆GaAsを基にした半導体の光センサ ◆400から850nmに感度があり
アクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。 一般的に400から850nmに感度があります。 【フォトダイオードアレイ】 FCI-GaAs-XXmは、高速ファイバーレシーバやアプリケーションモニタ用にデザインされた4 から 12素子のGaAs PINフォトディテクターアレイです。 ●仕様 ［モデル名：アクティブエリア・応答性・キャパシタンス・ダーク・カレント・最大逆電圧・最大フォワードカレント・バンド幅・ブレイクダウン・電圧・パッケージ］ ・FCI-GaAS-4M：70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-4M ・FCI-GaAS-12M：70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-12M
光通信やリモコンなどの受信機や、カメラやスキャナーなどの画像センサーなどに使用！
フォトダイオードとは、光を電気に変えることができる半導体の部品です。 光通信やリモコンなどの受信機や、カメラやスキャナーなどの画像センサー などに使われています。 光がフォトダイオードに当たると、光のエネルギーが半導体素子の中の電子を 励起します。そして、この励起された電子は、電気信号として出力されます。 【特長】 ■光が当たると、光のエネルギーが半導体素子の中の電子を励起 ■励起された電子は、電気信号として出力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
High Speed InGaAs PD
■小口径：60μm～300μm ■カットオフ波長：1.7μm ■高感度向け低暗電流 ■高速向け低容量(2.5GHz) ■パッケージ：ファイバピグテール、高信頼性ファイバピグテール付TO-46、レセプタクルとサブマウントタイプ
◆高速シリコンフォトダイオード ◆800nm波長域にピーク ◆高ハンド幅応用(100Mbps~1.25GHzまで）仕様
高速シリコンフォトダイオードは800nm波長域にピークを持ち、高ハンド幅応用(100Mbps~1.25GHzまで）仕様のディテクターです。100Mbpsから622Mbpsと1.25Gbpsフォトダイオードの２種類あります。 【100Mbps / 622Mbpフォトダイオード】 OSI オプトエレクトロニクス社の大有効径の高速シリコンディテクターシリーズは短距離データ通信用にデザインされた製品です。 【850nm, 1.25 Gbps フォトダイオード】 OSI オプトエレクトロニクス社の大有効径の高速シリコンピンフォトダイオードシリーズは850nmの短距離データ通信用にデザインされた製品です。
光検出素子の概要を解説！技術資料を無料プレゼント中
フォトダイオード（PD ）は、半導体の PN 接合部に光を照射したときにその光強度変化を電気信号（電圧、電流）に変換する受光素子です。フォトダイオードはその特性や構造によって、PNPD、PIN-PD、そして APDの３つに大分されています。各々の特性の違いを理解して、用途に応じて使い分けます。 【掲載内容のご紹介】 ・ フォトダイオードとは ・ フォトダイオードの用途 ・ フォトダイオードの構造と原理 ・ 等価回路 ・ フォトトランジスタ 光検出素子（フォトダイオード・フォトトランジスタ・光給電素子）の概要に関する解説資料を無料でプレゼントしています！詳しくはPDFをダウンロードしてご入手ください。 弊社の取り扱っているフォトダイオードについての詳細は、お気軽にお問い合わせください。
MP8はシリコンより50%高い効率を誇り、強固な組み立てと高温耐性を備えた先進的な絶縁アプリケーションを実現。
AZUR SPACE社から登場したIII-V系の高性能光受信チップMP8は、絶縁製品に最適です。標準のシリコンソリューションに比べて50%高い電力変換効率を実現し、コンパクトなサイズで高電圧レベルでの高出力電流を維持します。MP8のモノリシック設計は、不均一な照明に対しても耐性を持ち、高温環境にも適しています。主な特徴は以下の通りです： - 高効率 - 堅牢で組み立てやすい - 不均一な光分布に対する耐性 - 低温度係数 これらの特徴により、MP8は絶縁MOSFETドライバー、固体リレー用フォトディテクター、浮動電源供給などのアプリケーションに理想的な選択肢となります。
