更新日： 集計期間:2025年09月03日～2025年09月30日
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工業用フラッシュメモリをお求めなら大容量・低価格のUDInfo社製の工業用フラッシュメモリ
当社では、UDinfo社製の工業用フラッシュメモリを取り扱っております。 SDカードに繰り返し録画するドライブレコーダーや防犯カメラの 記録の信頼性を確保するために、工業用フラッシュメモリの需要が 高まっています。コストパフォーマンスにすぐれた大容量pSLCメモリが 特にお勧めです。 pSLC技術は、微細化・高 集積化が可能なMLCをベースに制御回路の 工夫で高性能化を実現するため、SLCに比べ大容量化が可能。そのため、 pSLCは3拍子(大容量・高性能・安価)揃ったフラッシュメモリと言えます。 【取扱い製品(抜粋)】 ■CF＆PCMCIA series ■Micro Disk Module ■SD＆MicroSD card ■USB Flash Drive ■HF3-25UD-4 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
サイバーセキュリティと機能安全の両立！メモリ自身がメモリ内のデータを守ります
『W77Qシリーズ』は、ご利用中の標準フラッシュメモリを置き換えることで、 セキュリティ機能を持たない既存モデルにセキュリティ機能をアドオンできる セキュアフラッシュメモリです。 セキュアブート、セキュアOTA、セキュアストレージなどの応用機能を実現。 SPI通信の改ざん検知機能により信号品質を向上し、機能安全にも貢献します。 また、PCB変更せずにセキュリティ機能を追加できるため、開発コストの 低減・既存資産の活用にも寄与できます。 【特長】 ■従来のSPIフラッシュメモリのピン配置・命令セットを100％継承 ■セキュリティ機能OFF時は標準メモリと同様の動作 ■SPIコマンド認証機能により不正なアクセスを検知＆プロテクト ■リード/ライト時にSPIバスに流れるアドレスやデータをストリーム暗号で秘匿 ■Vcc電圧1.8Vの16Mb～128Mb品をラインアップ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
★パソコンやカーナビにどんどん搭載が増える、次世代不揮発性メモリであるSSDを使いこなすには?設計担当者が押さえておくべき知識!
講 師 東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻 (兼)工学部 電気電子工学科 准教授 竹内 健 氏 対 象 SSD,NANDフラッシュ・メモリ技術に関心のある技術者、担当者 会 場 川崎市産業振興会館 第1会議室 【神奈川・川崎駅】 JR川崎駅から徒歩7分 日 時 平成23年9月30日(金) 17:30～20:30 定 員 30名 ※満席になりましたら、締め切らせていただきます。早めにお申し込みください。 聴講料 【早期割引価格】1社2名まで46,200円(税込、テキスト費用を含む) ※但し9月16日までにお申込いただいたTech-Zone会員に限る。会員登録は無料 ※9月16日を過ぎると【定価】1社2名まで49,350円(税込、テキスト費用を含む) となります ◆同一法人より3名でのお申し込みの場合、69,300円
GPU数の削減！必要なGPU数を増やすことなく、巨大なネットワークの学習が可能になります！
巨大な深層学習ネットワークを学習するのにGPUメモリが足りないという 問題がある一方、GPUはHDDやDRAMに比べて高価であり拡張が困難です。 その他のHWを利用することで単一GPUのみでの巨大なネットワークの 学習を実現！ 【技術詳細】 ■CUDA Unified Memoryを利用したデータのHDDへの転送 ・ユーザーが転送を意識することなくGPUメモリのデータを Hostメモリへ転送可能 ・Nvidia Driverを拡張することで、Hostメモリが不足した際に HDDへデータを転送する技術を実装 ■計算グラフの解析 ・必要なデータのみをGPUに残し、他はHostメモリ、ストレージに移行、 計算が必要になりそうなタイミングでGPUに転送する技術の開発 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
【高速書込み・高書換え回数・低消費電力】バイナリカウンタ機能を内蔵したエンコーダ向け16kビット不揮発メモリ（FeRAM）
FeRAM（強誘電体メモリ）は、高速書込み・高書換え回数・低消費電力という特徴を持つ不揮発性メモリです。 本製品は、さらにチップ内にデータ処理（Data Processing）：バイナリカウンタ機能を内蔵しているため ロータリーエンコーダ用途に最適です。 また、動作温度も～125℃に拡張しております。 【特長】 ■高速書込み・高書換え回数 ■業界トップクラスの低消費電力でバッテリライフを長寿命化 ■バイナリカウンタ機能を内蔵 ■動作温度 －40℃～125℃ ■製品の小型に最適 ※詳しくは【PDFダウンロード】より資料をご確認ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
不揮発性メモリ！それぞれ異なる特長をもっているため得意とする用途も異なります
当社で取り扱っているFeRAM/ReRAMメーカー、RAMXEEDを ご紹介いたします。 強誘電体メモリの「FeRAM」は、不揮発性・高書換耐性・高速書込み・ 低消費電力の4つの特長を備えたメモリです。電源を切ってもデータは 消えません。また、データの重ね書きが可能です。 その他、抵抗変化型メモリの「ReRAM」は、不揮発性・低読出し電流・ 大容量・超小型パッケージの特長を備えたメモリです。 ※RAMXEEDは2025年1月1日より富士通セミコンダクターメモリソリューションから社名変更いたします 【FeRAM 特長】 ■バッテリーフリー(グリーン化製品) ■書換回数がEEPROMの最大1億倍 ■書換えコマンドの発行不要 ■書込みのための内部昇圧不要 ■書込み時間が短いため、書込み時の消費電力が小さい ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
予期せぬ電源消失も怖くない：瞬停直前のデータを保存して確実な復帰を可能にするFeRAM搭載！
PLC、モーションコントローラ、サーボモーター、HMI等のファクトリー オートメーション用機器を幅広く手掛ける世界的なグローバルカンパニーである 顧客はPLCを始めとする幅広い製品でFeRAMを採用しています。 EEPROMやFLASHメモリ等の従来型の不揮発性メモリでは書き込みの速度が遅く、 最終ユーザからの要求を満足する仕様の実現が厳しいことが明白でした。 高速な不揮発性メモリに採用を絞り、また市場での高い実績のある メモリとしてFeRAMが候補として挙がり、採用を決定しました。顧客はFeRAMを 採用した製品により、最終ユーザ数を更に増加させ、市場での評判と実績を 確実なものとしております。 【事例概要】 ■PLCにおいて、FeRAMはその高速書き込み、高書き換え耐性、優れたデータ 保持性により、高い信頼性とメンテナンス容易性、及び長いシステム寿命の 実現を可能にする ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ピン数の少ないクワッドSPIを使用することで基板スペースを節約します！
『Cypress FL‑L NOR フラッシュメモリ』は、高性能組み込みシステム向け の4KB均一セクタサイズを備えた最速クラスの製品です。 67MBpsの読み取り帯域幅により、⾼性能システムの⾼速プログラム実行を保証。 4KBの均一なセクターサイズにより、プログラムコードとパラメトリック データの保存に最大限の柔軟性が提供され、メモリ使用効率が向上します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
メモリ/製造中止品(EOL品)の再生産
インフィニオン S29GL512N10FFAR20は、サイプレス MirrorBit 製品の512Mビット(64Mバイト)フラッシュメモリです。この製品は単一の3.0Vで動作し、1.65VからVCCまでのI/O範囲を提供します。13mm×11mmのFBGA-64パッケージで提供され、-40℃～+85℃動作に対応し、AEC-Q100グレード3に認定されています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、70社以上の主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を提供しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
AEC-Q100 認定のフラッシュメモリ/高信頼性・高性能ソリューションの長期安定供給を実現
ウィンボンドは、先進運転支援システム (ADAS)、ドライバー監視システム(DMS)、 インフォテインメント、統合型スマートコックピットシステムなどの 自動車アプリケーション向けに最適化された AEC-Q100 認定の フラッシュメモリを提供しています。 ISO16949認証を取得した自社工場で製品の高品質基準を維持し、 車載アプリケーションのさまざまな要件を満たし、 高信頼性・高性能ソリューションの長期安定供給が可能です。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
PVインバータのダウンタイムを激減：FeRAMの高速書込が可能にするミリ秒単位の電流電圧ロギング
PVインバータを始めとしたエネルギーストレージ、風量発電設備等の 再生可能エネルギー用設備を世界的に展開し、環境保全に先進的なグローバル カンパニーである顧客は、PVインバータにFeRAMを採用しています。 顧客は最終ユーザーから故障時の原因解析を確実に行うために、電流及び 電圧のデータを毎秒ロギングすることを求められておりました。ログを格納する メモリとして、EEPROMやFLASHメモリ等の従来型の不揮発性メモリでは顧客の 製品の長い稼働期間に渡って動作し続けることに課題がありました。 そのため、高速書き込みと高書き換え耐性を持ち、かつ市場での高い実績のある FeRAMの採用により顧客製品の長い全稼働期間に渡って確実にログデータを 格納し、最終ユーザの要求を満足する製品の開発に成功しています。 【事例概要】 ■PVインバータにおいて、FeRAMはその高速書き込み、高書き換え耐性、 優れたデータ保持性により、高い信頼性とメンテナンス容易性、及び 長いシステム寿命の実現を可能にする ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
インフィニオンのHiRelメモリは極限条件でも動作可能です！
当社で取り扱う、耐放射線不揮発性「SPI F‑RAM」をご紹介します。 センサーや機器のデータストレージ、衛星の校正データのデータロギング、 およびプロセッサのブートコードアプリケーションに好適。 事実上無限の耐久性、即時不揮発性書き込みテクノロジー、100年以上の データ保持、シングル イベント アップセット(SEU)の影響を受けない機能は、 宇宙アプリケーション向けの信頼性の高い不揮発性メモリです。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
NANDフラッシュメモリのオクタル・インターフェース！Octal NANDによって大容量コードストレージを提供可能に
当社が取り扱う『Octal NAND Flash』は、車載や産業機器用 アプリケーションに必要な高耐久性と高信頼性を実現する製品です。 10年のデータ・リテンションと10万回のプログラム/イレースサイクルを提供。 連続読出しスループットは最大240Mバイト/秒であり、既存のQspi NAND フラッシュメモリの3倍高速な製品です。 【製品特長】 ■インターフェース：Octal SPI ■バス幅：x1/x8 ■読出し速度：最大240Mバイト/秒 ■書込み速度：最大9Mバイト/秒 ■エンデュランス：10万回 ■データ・リテンション：10年 ■ECC：1セクターあたり1ビットの訂正能力をもつECCを メモリーチップ内に搭載 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
大容量かつ低価格を実現！車載・産業製品向け高信頼性フラッシュメモリ
『Macronix Serial NAND Flash』は、高集積化により大容量の データストレージに適した製品です。 書き込み速度が速く、高速なデータ処理に対応。 Macronixの長期供給保証制度により、EOLによる設計工数の 負担をなくします。 【特長】 ■容量あたりの単価が安く、一般的なFlashメモリより安価で提案可能 ■高集積化により大容量のデータストレージに好適 ■書き込み速度が速く、高速なデータ処理に対応 ■高い信頼性により、不良解析での工数がかからない ■Macronixの長期供給保証制度によって、EOLによる設計工数の 負担がない(Macronix MPLP参照) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高耐久、高信頼、高速読み書きを実現！データの長期保存、高速かつ頻繁な書き換えが必要なセットに好適な高品質メモリ
『Macronix社 SLC NAND Flash』は、高い耐久性と低エラー率により、 データの長期保存や頻繁な書き換えが必要なセットに適したメモリです。 高速な読み書き性能は、リアルタイム処理や高負荷アプリケーションに好適。 エラー発生が少ないため、エラー訂正などの運用コストや手間を軽減します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■耐久性：10万回以上の書き換え可能 ■パフォーマンス：Read/Writeの速度が高速 ■信頼性：各セル1bit格納の為、データの整合性が高い/エラーの発生が少ない ■容量帯：1Gb～8Gbのラインアップ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
