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幅広くカスタマイズ可能なCMPスラリー
CMP（ケミカル・メカニカル・ポリッシング：化学的機械研磨）スラリーは、半導体の製造工程で、基板表面を研磨するために用いるスラリーです。化学的エッチングが、材料を柔らかくし、機械的摩耗によりマテリアルが除去されるため、元々の立体的形状が平坦化されます。これがCMPのメカニズムです。 当社のCMPスラリーは半導体回路微細化と高速化を実現するための銅配線用、低温でスパッタリングでき、ローコストなアルミ配線用、高速信号処理に優れた化合物用、様々な用途で実績があります。化学反応溶液とナノサイズの研磨粒子で構成されており、粗大粒子の発生や粒子の沈殿が少なく、安定した品質が特徴です。 ※お気軽にお問い合わせ下さい。
安定した品質が特長！「アルミナ」「シリカ」の特性や研磨対象物をご紹介！
当社は創業より培ってきた経験に基づきスラリー開発・製造を行っております。 『CMPスラリー』は、ケミカル溶液とナノサイズの研磨粒子で構成されており、 粗大粒子の発生が少なく、粒子の分散性の良い、安定した品質が特長。 洗浄性が良く、速い研磨レートが得られる「アルミナ」と、ダメージフリーで 高い面粗度が得られる「シリカ」をご用意しております。 【特長】 ＜アルミナ＞ ■特性：洗浄性が良く、速い研磨レートが得られる ■研磨対象物：樹脂、化合物セラミックス ＜シリカ＞ ■特性：ダメージフリーで高い面粗度が得られる ■研磨対象物：酸化膜、金属膜樹脂、ガラス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
