MEMS Trench SOI ウエハー（誘電体分離技術）
高品質結晶のシリコン層！MEMS技術で従来のジャンクション隔離法と比較し著しくダイの縮小化を促進
アイスモスは一つのチップ上で高耐圧部とコンポーネンツを 分離するなどといった誘電体分離技術を提供します。 隔離には厚い膜のSOIと高いアスペクト比の深いトレンチエッチ および酸化膜とポリの埋め込み構造を使います。 この技術には100-150mmのウエハーサイズ、デバイスレイヤーは 1.5-100umの厚みに適用可能です。 【特長】 ■埋め込み層をなくす ■高品質結晶のシリコン層 ■エピ層をなくす ■寄生キャパシターを最小化 ■P＋隔離をなくす ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
- 価格：応相談
