1～5 件を表示 ／ 全 5 件
TOF-SIMSでは無機材料の変色原因のイメージングが可能
セラミックスは日用品から電子部品まで幅広く利用されている無機化合物材料です。不純物や付着物により生じるセラミックスの変色評価には、着目箇所について有機物・無機物を問わず微量成分のイメージング分析が可能なTOF-SIMS分析が有効です。 本資料ではAl酸化物のセラミックス変色部分をTOF-SIMSで分析し、イオンイメージとラインプロファイルで変色原因を示した事例を紹介します。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：製造装置・部品 分析目的：組成分布評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
感度よく検出することが可能！TOF-SIMSとSEM-EDXでLiの分析を比較した事例をご紹介
TOF-SIMSとSEM-EDXでLiの分析を比較した事例をご紹介します。 汚染や異物の分析には、SEM-EDXが利用されていますが、 windowless EDXを除く一般的なEDXではLiの検出は困難です。 一方、TOF-SIMSはLiを感度よく検出することができます。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【概要】 ■銅板の染みの分析 ■SEM-EDX分析→Li検出困難 ■TOF-SIMS分析→Li検出可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
めっきの剥がれ、密着不良をTOF-SIMS分析で原因調査
リン青銅上のニッケルめっきに発生した剥がれの不具合を調査するため、TOF-SIMS分析を行いました。 剥がれの部分を強制剥離させ、TOF-SIMSで定性分析を行ったところ、剥離面からはシロキサンやカリウム化合物(塩化カリウムや硫酸カリウム)などが検出されました。これらの成分が剥がれの原因であると考えられます。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 最先端の二次イオン質量分析（SIMS）装置であるNanoSIMS 50Lは、プローブ径約50 nmのイオンビームと、透過率の高い質量分析系の併用により、従来のSIMSに比べて約2桁高い空間分解能でイメージング測定を行うことが可能である。本稿では、NanoSIMS 50Lの装置の特徴と分析事例を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．分析装置の概要 ３．毛髪断面の分析事例 ４．SiC半導体デバイスの分析事例 ５．まとめ
基板側からSIMS分析を行うバックサイドSIMS(Backside SIMS)についてご紹介！
SIMS分析において、高濃度層から下層膜への不純物拡散を評価する際には、 表面の凹凸やスパッタエッチングに伴い、高濃度層からのクレーターエッジ効果や ノックオンの影響を受けることがあります。 これらの影響を受けない評価方法として、基板側からSIMS分析を行う バックサイドSIMS(Backside SIMS)があります。 添付のPDF資料にて、Backside SIMSによりFが添加されたSiO2膜(FSG膜)から 下層SiO2膜へのFの拡散分布の評価についてご紹介しておりますので、 ぜひご覧ください。 【Backside SIMS原理】 ■裏面側のSi基板を研磨して薄くすることにより、裏面側からアプローチ できるようにする ■Si基板の残厚を制御して薄膜化することや、パターン付試料の任意領域を 薄膜化すること、SiO2層などのSiのエッチングを選択的に停止させる層が ある場合には、ウェットエッチングによりSi基板部分を全て除去することも可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
