ドライエッチング装置・XeF2エッチング装置
XeF2エッチング装置
●完全ドライプロセスであるため、スティクションによる自立デバイスの破壊を抑制することが可能。 ●ウエットプロセスにおける前処理、後処理が不要。 ●ガスを断続的に流し、エッチングすることによりエッチングのスピードおよびガスの使用量の制御が容易。 ●プラズマを使用しないため、電界による素子へのダメージ（電子またはイオン衝撃）がない。 ●研究開発用途向けであるため、卓上型で非常にコンパクトな設計。 ●専用機であるため低価格。
- 企業：サムコ株式会社
- 価格：応相談
